实验报告
实验题目：Pn结二极
二实验目：
1半导体二极伏安特性感性认识测绘二极伏安特性曲线
2解Pn结测温原理测绘Pn结正压降温度变化曲线
三实验原理：
1晶体二极导电特性
晶体二极加正电压者反电压电压定数值时通电流电压定数值时较电流出现相应电压称导通电压正导通电压（锗约03V硅约05V）反导通电压（称击穿电压耐压）相差（伏百伏）外加电压导通电压时电流指数规律迅速增时欧姆定律二极成立次实验中伏安法测绘晶体二极正反导电特性曲线测量电路：
图2二极反伏安特性测量线路
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
图1二极正伏安特性测量线路
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
V
V
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
V
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
V
(a) mA表外接
(a) mA表接
(a) mA表外接
(a) mA表接
2Pn结正压降温度变化变化
Pn结温度传感器相温度传感器说具灵敏度高线性热响应快易实现集成化等优点Pn结温度传感器原理：
Pn结正压降(VF )正电流(IF)温度(T)函数：
中e电子电荷k波尔兹曼常数B结面积掺杂浓度关温度关常数r常数（）T绝温度Vg(0) 绝零度时Pn结材料导带底价带顶电势差
式中两项线性项：
非线性项：
证明恒流供电情况温度较高（室温）时Pn结VF T赖关系取决线性项Pn结正压降温度升高线性降Pn结测温原理次实验中测绘Pn结正压降温度变化曲线
四实验仪器：
1仪器记录
电阻元件VA特性实验仪Pn结正压降特性实验仪加热测温装置
2仪器实验注意事项：
（）电阻元件VA特性实验仪：
（1）测量中电流2 (mA)
（二）Pn结正压降特性实验仪：
（1）仪器连线较芯线较细注意力猛
（2）加热线极性区外余极性区连接时接反特注意加热线绝接错位置否定会损毁仪器
（3）加热装置温度超100oC长期热会造成连接线老化
（4）完毕切断电源
五实验容步骤：
1 测定正特性曲线
图1正确连接线路[电压表2V档电流表2mA挡]开电源开关电源电压调逐步减限流电阻直毫安表显示19999mA止记相应电流电压然调节电源限流电阻电压表位读数调成0记录电压电流降低0010V测次数直伏特表读数05500V止正电流修正
2测定反特性曲线
图2正确连接线路[电压表2V档电流表2mA挡接通线路开关电源电压逐步调时逐步减限流电阻直毫安表显示19999mA止记相应电流电压然调节电源电压者限流电阻电流调节180061600614006………mA情况记录相应电压中00006mA伏特计电流记录电流时应该行减
3测绘Pn结正压降温度变化曲线
（1）加热装置两组连接线侧引出组线加热线两根芯线Pn结正压降特性实验仪面板12两端子相连（计正负）组顶部引出六根芯线中两根（中根黄色）成组测温信号线黄色正黑色负面板5端子正负相连（正负接错）外四根8 9端子正负相连（正负接错）
（2）控温电流旋钮旋位置开测量仪电源记录室温TS
(3)IF键IF调50微安VF键 记录VF △V键△V调零
（4）加热电流调700mA左右观测△V变化△V改变10 mv读取组△VT值直温度达100 oC止
六数记录：
1 二极正特性
端电压VV
07400
07300
07200
07100
07000
06900
06800
ImA（外接）
19995
15092
11577
08796
06694
05091
03087
ImA（接）
05046
04276
03738
03234
02763
02330
01944
端电压VV
06700
06600
06500
06400
06300
06200
06100
ImA（外接）
02902
02177
01631
01206
00883
00646
00468
ImA（接）
01596
01288
01026
00800
00614
00462
00343
端电压VV
06000
05900
05800
05700
05600
05500
ImA（外接）
00344
00244
00174
00124
00063
0004
ImA（接）
00251
00181
00129
00094
00067
00047
2二极反特性
mA表外接时二极反特性
UV
7423
7414
7403
7393
7386
7380
7373
7364
7343
7319
ImA
19999
18006
16006
14006
12006
10006
08006
06006
04006
02006
UV
7342
7293
7287
7285
ImA
01006
00506
00206
00106
mA表接时二极反特性
UV
7762
7596
7566
7536
7508
7482
7455
7426
7385
ImA
19999
18006
16006
14006
12006
10006
08006
06006
04006
02006
UV
7341
7300
7291
7287
ImA
01006
00506
00206
00106
3Pn结正压降温度变化
实验室起始温度：TS 209 ℃
工作电流：IF 056 μA
起始温度时正压降VF 666 mv
△Vmv
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T℃
252
302
348
397
445
495
545
595
642
692
△Vmv
110
120
130
140
150
160
T℃
741
790
839
888
931
976
七数处理：
1利测量数坐标纸分作出晶体二极伏安特性曲线图[正反接外接]
2 利测量数坐标纸作出Pn结正压降温度变化曲线图
接
外接
接
外接
（52600）
（52580）
八实验结讨：
1晶体二极加正电压者反电压电压定数值时通电流电压定数值时较电流出现相应电压称导通电压
该晶体二极正导通电压约07V反导通电压约73V 硅晶体二极
2恒流供电情况温度较高（室温）时 Pn结正压降温度升高线性降斜率：
3测量二极正特性时采接法伏安特性曲线显著偏离事实说明测电阻元件阻值较阻值远电流表表头阻时电流表分压效果会显著种情况适合采电流表接
九：问答题
1什反伏安特性曲线进行电流修正
答：反时加二极两端电压较时流福特表电流流二极电流相较
2述实验中电压表接 电流表接便 已知电流表阻约98
答：电压表阻 电流表阻旦二极导通阻电流表接电流表阻分压较
3正特性曲线中电压表位调零？否反特性曲线实验中电压表位读数调零？（结合实验数回答）
答：正特性曲线中电压表位调零便画图图横坐标采什例时电压值出现坐标纸方格线反特性曲线实验中电压表位读数调零测数会超4~5整条曲线意义电压间隔004V4数画曲线反映真实特性没什意义
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实验题目：Pn结二极
二实验目：
1半导体二极伏安特性感性认识测绘二极伏安特性曲线
2解Pn结测温原理测绘Pn结正压降温度变化曲线
三实验原理：
1晶体二极导电特性
晶体二极加正电压者反电压电压定数值时通电流电压定数值时较电流出现相应电压称导通电压正导通电压（锗约03V硅约05V）反导通电压（称击穿电压耐压）相差（伏百伏）外加电压导通电压时电流指数规律迅速增时欧姆定律二极成立次实验中伏安法测绘晶体二极正反导电特性曲线测量电路：
图2二极反伏安特性测量线路
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
图1二极正伏安特性测量线路
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
V
V
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
V
mA
限流电阻箱
开始时处5000Ω位
电源约1V
V
(a) mA表外接
(a) mA表接
(a) mA表外接
(a) mA表接
2Pn结正压降温度变化变化
Pn结温度传感器相温度传感器说具灵敏度高线性热响应快易实现集成化等优点Pn结温度传感器原理：
Pn结正压降(VF )正电流(IF)温度(T)函数：
中e电子电荷k波尔兹曼常数B结面积掺杂浓度关温度关常数r常数（）T绝温度Vg(0) 绝零度时Pn结材料导带底价带顶电势差
式中两项线性项：
非线性项：
证明恒流供电情况温度较高（室温）时Pn结VF T赖关系取决线性项Pn结正压降温度升高线性降Pn结测温原理次实验中测绘Pn结正压降温度变化曲线
四实验仪器：
1仪器记录
电阻元件VA特性实验仪Pn结正压降特性实验仪加热测温装置
2仪器实验注意事项：
（）电阻元件VA特性实验仪：
（1）测量中电流2 (mA)
（二）Pn结正压降特性实验仪：
（1）仪器连线较芯线较细注意力猛
（2）加热线极性区外余极性区连接时接反特注意加热线绝接错位置否定会损毁仪器
（3）加热装置温度超100oC长期热会造成连接线老化
（4）完毕切断电源
五实验容步骤：
1 测定正特性曲线
图1正确连接线路[电压表2V档电流表2mA挡]开电源开关电源电压调逐步减限流电阻直毫安表显示19999mA止记相应电流电压然调节电源限流电阻电压表位读数调成0记录电压电流降低0010V测次数直伏特表读数05500V止正电流修正
2测定反特性曲线
图2正确连接线路[电压表2V档电流表2mA挡接通线路开关电源电压逐步调时逐步减限流电阻直毫安表显示19999mA止记相应电流电压然调节电源电压者限流电阻电流调节180061600614006………mA情况记录相应电压中00006mA伏特计电流记录电流时应该行减
3测绘Pn结正压降温度变化曲线
（1）加热装置两组连接线侧引出组线加热线两根芯线Pn结正压降特性实验仪面板12两端子相连（计正负）组顶部引出六根芯线中两根（中根黄色）成组测温信号线黄色正黑色负面板5端子正负相连（正负接错）外四根8 9端子正负相连（正负接错）
（2）控温电流旋钮旋位置开测量仪电源记录室温TS
(3)IF键IF调50微安VF键 记录VF △V键△V调零
（4）加热电流调700mA左右观测△V变化△V改变10 mv读取组△VT值直温度达100 oC止
六数记录：
1 二极正特性
端电压VV
07400
07300
07200
07100
07000
06900
06800
ImA（外接）
19995
15092
11577
08796
06694
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ImA（接）
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04276
03738
03234
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02330
01944
端电压VV
06700
06600
06500
06400
06300
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ImA（外接）
02902
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ImA（接）
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01026
00800
00614
00462
00343
端电压VV
06000
05900
05800
05700
05600
05500
ImA（外接）
00344
00244
00174
00124
00063
0004
ImA（接）
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00181
00129
00094
00067
00047
2二极反特性
mA表外接时二极反特性
UV
7423
7414
7403
7393
7386
7380
7373
7364
7343
7319
ImA
19999
18006
16006
14006
12006
10006
08006
06006
04006
02006
UV
7342
7293
7287
7285
ImA
01006
00506
00206
00106
mA表接时二极反特性
UV
7762
7596
7566
7536
7508
7482
7455
7426
7385
ImA
19999
18006
16006
14006
12006
10006
08006
06006
04006
02006
UV
7341
7300
7291
7287
ImA
01006
00506
00206
00106
3Pn结正压降温度变化
实验室起始温度：TS 209 ℃
工作电流：IF 056 μA
起始温度时正压降VF 666 mv
△Vmv
0
10
20
30
40
50
60
70
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90
100
T℃
252
302
348
397
445
495
545
595
642
692
△Vmv
110
120
130
140
150
160
T℃
741
790
839
888
931
976
七数处理：
1利测量数坐标纸分作出晶体二极伏安特性曲线图[正反接外接]
2 利测量数坐标纸作出Pn结正压降温度变化曲线图
接
外接
接
外接
（52600）
（52580）
八实验结讨：
1晶体二极加正电压者反电压电压定数值时通电流电压定数值时较电流出现相应电压称导通电压
该晶体二极正导通电压约07V反导通电压约73V 硅晶体二极
2恒流供电情况温度较高（室温）时 Pn结正压降温度升高线性降斜率：
3测量二极正特性时采接法伏安特性曲线显著偏离事实说明测电阻元件阻值较阻值远电流表表头阻时电流表分压效果会显著种情况适合采电流表接
九：问答题
1什反伏安特性曲线进行电流修正
答：反时加二极两端电压较时流福特表电流流二极电流相较
2述实验中电压表接 电流表接便 已知电流表阻约98
答：电压表阻 电流表阻旦二极导通阻电流表接电流表阻分压较
3正特性曲线中电压表位调零？否反特性曲线实验中电压表位读数调零？（结合实验数回答）
答：正特性曲线中电压表位调零便画图图横坐标采什例时电压值出现坐标纸方格线反特性曲线实验中电压表位读数调零测数会超4~5整条曲线意义电压间隔004V4数画曲线反映真实特性没什意义
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