新电光伏电池原理工艺形考作业务0104网考试题答案
100通
考试说明：光伏电池原理工艺形考4务务1务4客观题务1务4需考试中次抽取试卷直出现01务_000102务_000103务_000104务_0001试卷该套试卷答案答题做考题时利文档中查找工具考题中关键字输查找工具查找容框迅速查找该题答案文库教学考体化答案敬请查
01务
01务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1轨道杂化价（）结构晶体特点
A四面体
B五面体
C六面体
D面体
2色心属（）
A点缺陷
B线缺陷
C面缺陷
D体缺陷
3布喇菲格子特点格点周围环境（）
A相
B
C部分相
D部分
4（）层位流层外属太阳气层中底层里层
A光球
B色球
C日冕
D针状体
5原子脱离格点形成填隙原子样热缺陷称（）缺陷
A弗仑克尔
B肖特基
C组成
D皆
6固体物理学中考虑晶格周期性选取（）重复单元作固体物理学原胞简称原胞
A
B
C中间
D皆
7晶胞（）体积重复单元结点般仅顶点体心面心
A定
B定
C定
D皆
8杂质原子取代基质原子占晶格格点位置时形成（）杂质
A位式
B间隙式
C组成式
D皆
9太阳常数参考值Isc（）±7Wm2
A1357
B1367
C1377
D1387
10非晶硅两致命缺点工作性稳定寿命短二光电转化效率晶体硅太阳电池（）
A高
B低
C致
D未知
二项选择题（10道试题30分）
1根晶体缺陷空间延伸线度晶体缺陷分（）
A点缺陷
B线缺陷
C面缺陷
D体缺陷
2（）区属国太阳热资源分布三类区
A山西北部
B山东
C河南
D吉林
3弗仑克尔缺陷特点（）
A空位填隙原子成产生
B空位填隙原子数目相等
C定温度缺陷产生复合程达衡
D定温度晶体部空位表面原子处衡
4网光伏供电系统组成结构（）
A太阳电池阵列
B控制器
C蓄电池
D逆变器
E交流负载
5球太阳资源丰富程度低区（）
A北非
B加
C西北欧洲
D中美洲
6立方晶系列（）面完全等价
A（100）
B（010）
C（001）
D{100}
7太阳中心外分（）
A核反应区
B辐射区
C流区
D太阳气
8点缺陷材料性影响（）
A提高材料电阻
B加快原子扩散迁移
C形成晶体缺陷
D改变材料力学性
9国（）等西部区光资源尤丰富
A青藏高原
B蒙古
C宁夏
D陕西
10球太阳资源丰富程度高区（）
A印度
B巴基斯坦
C澳利亚
D中国
三判断题（10道试题20分）
1点缺陷特点：三维尺寸均某位置发生影响邻原子
A错误
B正确
2般言晶体方具相周期性方具周期性
A错误
B正确
3倒格子中某倒格点原点离原点面体称第布里渊区
A错误
B正确
4电子原子间转移意电子量相轨道间发生转移
A错误
B正确
5原胞结点出现顶点
A错误
B正确
6气层影响仅太阳光入射方关气中吸收散射反射太阳辐射物质关
A错误
B正确
7天空晴朗太阳头顶直射阳光气中光程短时达球表面太阳辐射强
A错误
B正确
8正格子倒格子相应
A错误
B正确
9根接受太阳总辐射量少国划分五类区
A错误
B正确
10太阳常数常单位Wm2
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
列国太阳电池发展历程应
（1）1958年A国开始研制太阳电池
（2）1971年B国发射第二颗造卫星—科学实验卫星实践号首次应太阳电池
（3）1979年C国开始利半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池
（1）A（2）B（3）C
2
列事件时间关系等应
（1）1839年A法国物理学家AEBecqueral第次实验室中发现液体光生伏特效应
（2）1877年B制作第片硒太阳电池
（3）1954C贝尔实验室Chapin等开发出第块实效率6％单晶硅光电池
（1）A（2）B（3）C
3
列晶体缺陷特征应
（1）点缺陷A维尺寸二维尺寸光学显微镜观察
（2）线缺陷B二维尺寸维尺寸电镜观察
（3）面缺陷C三维尺寸均某位置发生影响邻原子
（1）C（2）B（3）A
4
列定义公式应
（1）太阳高度角A
（2）太阳方位角B
（3）太阳入射角C
（1）C（2）A（3）B
5
列太阳气结构名称应
（1）光球A外层
（2）色球B中层
（3）日冕C底层
（1）C（2）B（3）A
6
列球太阳资源分布情况区应
（1）丰富程度高区A中国
（2）丰富程度中高区B印度
（3）丰富程度中低区C日
（1）B（2）A（3）C
7
列世界气候带应
（1）赤道带A纬度10º～回线（235º）
（2）热带B回线极圈（235º～665º）
（3）温带C南北纬10º
（1）C（2）A（3）B
8
列省份区太阳资源分布情况应
（1）山东A二类
（2）江西B三类
（3）宁夏南部C四类
（1）B（2）C（3）A
9
列晶胞含原子数计算方法应
（1）顶点原子A时2晶胞
（2）棱原子B时4晶胞
（3）面心原子C时8晶胞
（1）C（2）B（3）A
10
列概念意义应
（1）太阳常数A描述气层太阳辐射强度
（2）太阳光谱B太阳发射电磁辐射气顶波长分布
（3）气光学质量C太阳光线穿球气路径太阳光线天顶角方时穿气路径
（1）A（2）B（3）C
02务
02务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1（）价带效状态密度计算公式
A
B
C
D
2列项属配位数值（）
A12
B9
C8
D6
3然界晶体结构（）种
A200
B210
C220
D230
4空间点阵分（）晶系
A四种
B五种
C六种
D七种
5PN结中总电子电流计算公式（）
A
B
C
D
6PN结中施掺杂浓度受掺杂浓度300K时Si突变结接触电势差VD（）
A0736V
B0976V
C0686V
D0876V
7300K时征半导体中掺入施杂质形成N型半导体欲锗中费米级低导带底量015eV施掺杂浓度ND（）
A
B
C
D
8列公式中计算征半导体费米级（）
A
B
C
D
9体心立方堆积空间利率（）
A68
B67
C66
D65
10空穴漂移电流（）
A
B
C
D
二项选择题（10道试题30分）
1晶体结合基形式分（）
A高子键合
B金属键合
C价键合
D分子键合
2点缺陷材料造成影响（）
A提高材料电阻
B加快原子扩散迁移
C形成晶体缺陷
D改变材料力学性
3征半导体电子浓度空穴浓度（）
A电子浓度>空穴浓度
B相等
C电子浓度<空穴浓度
D费米级通常带隙中央附
4衡PN结扩散电流漂移电流（）
A相等
B等
C方相反
D方致
5PN结光作发生变化（）
A产生电子空穴数
B电子空穴建电场作产生漂移运动
C形成光电流
D光转化电光电效应
6正格子原胞体积倒格子原胞体积互倒数表达正确（）
A
B
C
D
7弗仑克尔缺陷特点描述正确（）
A空位填隙原子成产生
B留空位没填隙原子
C空位填隙原子数目相等
D定温度缺陷产生复合程达衡
8P型半导体征半导体中掺入受杂质扩散作形成特征（）
A数载流子空穴
B少数载流子电子
C费米级价带顶
D费米级位置征费米级
9晶体缺陷缺陷形状涉范围分（）
A点缺陷
B线缺陷
C面缺陷
D体缺陷
10半导体性描述正确（）
AN型半导体电子浓度远空穴浓度
BP型半导体电子浓度远空穴浓度
C半导体导电性施杂质浓度关
D半导体导电性受杂质浓度关
三判断题（10道试题20分）
1晶体方具相周期性
A错误
B正确
2熔化程中晶体长程序解体时应着定熔点非晶体固定熔点
A错误
B正确
3组成缺陷包括位式杂质原子填隙式杂质原子
A错误
B正确
4定晶格结点占体积定面间距晶面格点面密度
A错误
B正确
5非晶体部原子分子排列整齐周期性规律
A错误
B正确
6晶体缺陷固体物理中重研究领域
A错误
B正确
7带轴方晶体中原子排列情况晶体性质
A错误
B正确
8晶体中位晶格点阵原子静止动
A错误
B正确
9晶体位错滑移界切应力减原
A错误
B正确
10结构相晶体滑移方滑移面通常相
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
根均摊法晶胞中处位置原子晶胞含原子数计算方法应
（1）处顶点原子A原子14属该晶胞
（2）处棱原子B原子18属该晶胞
（3）处面心原子C原子12属该晶胞
（1）B（2）A（3）C
2
晶体金属中原子堆积方式应
（1）六方密堆积A铜型堆积
（2）面心立方密堆积B钾型堆积
（3）体心立方堆积C镁型堆积
（1）C（2）A（3）B
3
P型半导体费米级受杂质浓度增加变化根变化图符号表达意义应
（1）EcA费米级
（2）EvB价带顶量
（3）EfC导带底量
（1）C（2）B（3）A
4
列半导体费米级求解公式应
（1）征半导体费米级A
（2）N型半导体费米级B
（3）P型半导体费米级C
（1）A（2）B（3）C
5
列定义计算公式应
（1）导带效状态密度A
（2）导带中电子浓度B
（3）价带中空穴浓度C
（1）A（2）C（3）B
6
列关晶体结构描述应
（1）晶棱A互相行晶棱方
（2）晶带B晶面交线
（3）晶带带轴C晶棱互相行晶面组合
（1）B（2）C（3）A
7
物质室温征载流子浓度应
（1）SiA
（2）GaAsB
（3）GeC
（1）A（2）B（3）C
8
品种晶体两应晶面间夹角恒定变石英晶体面间夹角情况应
（1）abA141°47′
（2）acB120°00′
（3）bcC113°08′
（1）A（2）C（3）B
9
称操作程中保持变素称称元素称元素定义应
（1）点A旋转轴
（2）线B反演中心
（3）面C反映面
（1）B（2）A（3）C
10列晶体缺陷类型描述应
（1）点缺陷A维尺寸二维尺寸光学显微镜观察
（2）线缺陷B二维尺寸维尺寸电镜观察
（3）面缺陷C三维尺寸均某位置发生影响邻原子
（1）C（2）B（3）A
03务
03务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1太阳电池组件测量条件欧洲委员会定义101号标准中光谱辐度（）
A500W㎡
B1000W㎡
C1500W㎡
D2000W㎡
2悬浮区熔方法制备区熔单晶硅纯度（）电学性（）
A高均匀
B高均匀
C低均匀
D低均匀
3圆切割机切片速度（）硅材料损耗（）效率（）切片硅片表面损伤
A慢低
B慢低
C快高
D快高
4太阳电池组件测量条件欧洲委员会定义101号标准中电池温度（）
A15℃
B20℃
C25℃
D30℃
5常规电池厚度（）开路电压填充子（）
A减降
B减升
C减变
D增加变
6目前拉晶工艺采放肩工艺肩部形成（）夹角
A30°
B45°
C90°
D180°
7粒子（）差存产生扩散运动必条件
A浓度
B
C颜色
D重量
8电池烧结前先电极进行（）进行烧结
A氧化
B加热
C烘干
D铜化
9常规硅太阳电池工艺中形成电池PN结方法（）
A扩散法
B离子注入法
C合金法
D分离法
10硅片清洗必须次序清洗硅片表面油脂蜡等机物
A甲苯丙酮酒精水
B丙酮甲苯酒精水
C水甲苯丙酮酒精
D水丙酮甲苯酒精
二项选择题（10道试题30分）
1太阳电池光电转换效率素关（）
A结构
B材料性质
C工作温度
D环境变化
2太阳电池测试方法包括（）
A阳极氧化法测结深
B四探针法测薄层电阻
C少子寿命测试
D太阳电池负载特性测试
3制备背电场电池较常方法硼扩散法硼扩散法优点（）
A分配系数铝
B结均匀
C电极牢度
D需温度低
4固态氮化硼扩散液态硼扩散较特点（）
A设备复杂操作麻烦
B扩散效率高更适批量生产
C扩散硅片均匀性重复性表面质量较
D产品合格率较高
5晶硅绒面制备时采酸腐蚀液（）组成
AHN03
BHF
CH20
DCH3CH2OH
6硅材料选料包括（）
A导电类型
B电阻率
C晶位错寿命
D形状尺寸厚度
7离子注入法具特点（）
A精确剂量控制
B均匀性
C掺杂深度
D受固溶度限制
8常酸性腐蚀液配方中硝酸氢氟酸醋酸（）
A633
B533
C511
D611
9单晶硅锭两种常见生产工艺（）
A浇铸法
B直拉法
C直熔法
D区熔法
10碱腐蚀法酸腐蚀法优点（）
A成较低
B环境污染
C外观整
D光亮度高
三判断题（10道试题20分）
1水汽氧化面工艺常方法
A错误
B正确
2制作背场较改善太阳电池性
A错误
B正确
3串联电阻填充子影响极忽略计
A错误
B正确
4利区熔单晶硅制备太阳电池光电转换效率高生产成低应广泛
A错误
B正确
5晶面间价键密度越低该晶面越容易腐蚀
A错误
B正确
6光伏电池具称电子学结构
A错误
B正确
7光伏电池微波中继站电源供作线电通讯系统电源
A错误
B正确
8晶硅般采碱溶液进行表面腐蚀制绒
A错误
B正确
9硅片进行表面腐蚀作表面切片机械损伤
A错误
B正确
10常规硅太阳电池工艺中形成电池PN结方法合金法
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1提高硅太阳电池效率种途径请匹配
（1）紫光电池A采01～015μm浅结30条cm精细密栅
（2）M1S电池B金属半导体间加入1．53．0nm绝缘层
（3）聚光电池C电池面积低成
（1）A（2）B（3）C
2硅片表面污染杂质分类
（1）分子型杂质AK+Na+Ca2+FCLCO32
（2）离子型杂质B油脂腊松香
（3）原子型杂质C金铂铜铁
（1）B（2）A（3）C
3太阳电池组件测量必须标准条件进行测量条件欧洲委员会定义101号标准条件
（1）光谱辐度A25℃
（2）光谱B1000W㎡
（3）电池温度CAM15
（1）B（2）C（3）A
4硅片般清洗序请步骤匹配
（1）机溶剂油A热王水I号Ⅱ号清洗液
（2）残留机机杂质B热浓硫酸
（3）清洗液彻底清洗C甲苯
（1）C（2）B（3）A
5列常种氧化方法匹配
（1）水汽氧化法A生长速率慢生成二氧化硅薄膜结构致密均匀性
（2）干氧氧化法B生长速率介两者间钝化效果进步降低体寿命
（3）湿氧氧化法C生长速率快生长二氧化硅层结构疏松表面斑点
（1）C（2）A（3）B
6列概念意义作匹配
（1）腐蚀A降低表面反射提高光生载流子收集
（2）扩散B热运动引起杂质原子基体原子输运程
（3）绒面C表面切片机械损伤
（1）C（2）B（3）A
7太阳电池等效电路中暗电流表达式
式中项分指代（1）C（2）A（3）B
（1）UA电子电量
（2）QB二极曲线子取值1～2间
（3）AC等效二极端电压
8电池总短路电流全部光谱段贡献总表达式表示：
式中项分指代
（1）λ0A表面反射率
（2）R(λ)B征吸收波长限
（3）F(λ)C太阳光谱中波长l～l+dl间隔光子数
（1）B（2）A（3）C
9列常减反射膜匹配
（1）SiO膜A折射率18～25具明显表面钝化体钝化作
（2）TiO2膜B折射率18～19常减反射膜材料
（3）Si3N4膜C折射率20～27较理想太阳电池减反射膜
（1）B（2）C（3）A
10列扩散源匹配
（1）液态源扩散A五氧化二磷
（2）涂布源扩散B硼酸三甲酯
（3）固态源扩散C氮化硼
（1）B（2）A（3）C
04务
04务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1提高微晶硅太阳电池性核心技术（）光电转换效率超20
A陷光技术
B掺杂工艺
C面积均匀性技术
D抗光致衰减技术
2转化率低存光致衰退太阳发电市场功率型电子产品市场电子计算器玩具等太阳电池（）
A单晶硅电池
B晶硅太阳电池
C铜铟镓硒太阳电池
D非晶硅太阳电池
3列染料敏化太阳电池（DSSC）优点（）
A结构简单
B光电转换效率高
C环境污染
D成低廉易制造
4硅太阳电池面应倾采电阻率()材料获高转换效率
A0150·cm
B10200Ω·cm
C零点2Ω·cm
D001
5目前产业化太阳电池中占例（）
AMIS光伏电池
B硅基太阳电池
C碲化镉太阳电池（aSi）
D铜铟镓硒太阳电池
6列半导体异质结太阳电池（）
A硫化亚铜硫化镉太阳电池
B碲化镉太阳电池
C砷化镓太阳电池
D非晶硅薄膜太阳电池
7目前制备薄膜方法中（）种高效低成适合面积生产方法
A化学沉积法
B电沉积法（ED）
C喷涂法（SP）
D物理气相沉积法（PVD）
8（）接触形成整流特性接触良欧姆接触
A半导体半导体
B金属半导体
C金属金属
D金属绝缘体
9单晶硅生产工艺太阳电池领域应（）
A浇铸法
B直熔法
C区熔法
D直拉法
10MIS光伏电池什结构()
A金属绝缘层半导体结构
B金属绝缘层金属结构
C半导体绝缘层半导体结构
D绝缘层金属半导体结构
二项选择题（10道试题30分）
1晶硅采种溶液进行表面腐蚀制绒（）
ANaOH
BHN03HFH20
CKOH
DCH3CH2OH
2MIS结构实际（）
A金属绝缘层半导体
B金属
C电阻
D电容
3染料敏化太阳电池组成（）
A纳米孔薄膜
B染料敏化剂
C电解质
D电极
4铸造晶硅工艺（）
A直熔法
B浇铸法
C直拉法
D区熔法
5王水溶解活泼金属铜银金铂等具极强（）
A强碱性
B氧化性
C腐蚀性
D强酸性
6电池优缺点（）
A衬底制作非常适合规模动化生产
B电池生产成低廉
C效率低缺少硅电池种固稳定性
D系统部分成高
7直拉单晶硅制备工艺般包括（）
A晶硅装料熔化
B种晶
C引细颈放肩等径
D收尾
8铜铟镓硒薄膜太阳电池受全世界广泛研究原（）
A性稳定
B成低
C抗辐射力强
D光电转换效率高
9面关硅太阳电池形状尺寸厚度说法正确（）
A125×125mm2
B156×156mm2
C基体厚度200µm左右
D球形
10硝酸(HNO3)溶解（）
A金
B铂
C铜
D铁
三判断题（10道试题20分）
1硅片清洗必须酒精水甲苯丙酮次序清洗机物机溶剂分子
A错误
B正确
2N型半导体样品热端空穴冷端扩散冷端带正电热端带负电
A错误
B正确
3金属绝缘层半导体(MIS)结构实际电容
A错误
B正确
4非晶硅薄膜太阳电池般设计成pin结构
A错误
B正确
5II号清洗液离子水含量30氧化氢含量37浓盐酸混合成
A错误
B正确
6太阳电池工艺成低面积均匀性动化生产
A错误
B正确
7硅片清洗常机溶剂甲苯丙酮酒精等
A错误
B正确
8晶硅般采酸溶液进行表面腐蚀制绒
A错误
B正确
9非晶硅薄膜太阳电池制备玻璃锈钢陶瓷等衬底
A错误
B正确
10微晶硅非晶硅样间接吸收具低吸收系数
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1列太阳电池尺寸应
（1）单晶硅片厚度A125×125mm2
(2)硅太阳电池尺寸B700mm×700mm×300mm
(3)晶硅铸锭尺寸C200～300μm
（1）C（2）A（3）B
2列溶剂名称应
（1）王水A机溶剂
(2)硝酸B混合溶剂
(3)甲苯C机溶剂
（1）B（2）C（3）A
3列太阳电池关键词应
（1）非晶硅A陷光效应
(2)微晶硅B光致衰减效应
(3)铜铟镓硒C敏感元素配
（1）B（2）A（3）C
4列生产工艺特点应
(1)区熔单晶硅A利高频感应线圈辅助线圈加热晶硅棒
(2)直拉单晶硅制备工艺B炉需消耗支坩埚
(3)直熔法生长铸造晶硅C种晶引细颈放肩程
（1）A（2）C（3）B
5I号清洗液离子水含量30氧化氢含量25浓氨水混合成体积占例应
（1）离子水A58
(2)氧化氢B28
(3)氨水C18
（1）A（2）B（3）C
6列太阳电池研制年份应
（1）质结GaAs太阳电池A1973年
(2)染料敏化太阳电池B1956年
(3)GaAs三层结构异质结太阳电池C1991年
（1）B（2）C（3）A
7列太阳电池缺陷应
（1）铜铟镓硒A效率低稳定性差
(2)非晶硅B严重光致衰减效应
(3)C复杂结构敏感元素配
（1）C（2）B（3）A
8列太阳电池概念应
（1）第代电池A聚光电池
(2)第二代电池B单晶硅太阳电池
(3)第三代电池C非晶硅薄膜太阳电池
（1）B（2）C（3）A
9列等效情况应
（1）欧姆接触A等效电容
(2)金属绝缘层半导体结构B等效带正电荷电子
(3)空穴C等效成电阻
（1）C（2）A（3）B
10单晶硅制绒工艺复杂请工艺时间应
（1）腐蚀时间A10～20min
(2)加水乙醇间隔B40～60mim
(3)HF溶液浸泡C3～5min
（1）B（2）A（3）C
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考试说明：光伏电池原理工艺形考4务务1务4客观题务1务4需考试中次抽取试卷直出现01务_000102务_000103务_000104务_0001试卷该套试卷答案答题做考题时利文档中查找工具考题中关键字输查找工具查找容框迅速查找该题答案文库教学考体化答案敬请查
01务
01务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1轨道杂化价（）结构晶体特点
A四面体
B五面体
C六面体
D面体
2色心属（）
A点缺陷
B线缺陷
C面缺陷
D体缺陷
3布喇菲格子特点格点周围环境（）
A相
B
C部分相
D部分
4（）层位流层外属太阳气层中底层里层
A光球
B色球
C日冕
D针状体
5原子脱离格点形成填隙原子样热缺陷称（）缺陷
A弗仑克尔
B肖特基
C组成
D皆
6固体物理学中考虑晶格周期性选取（）重复单元作固体物理学原胞简称原胞
A
B
C中间
D皆
7晶胞（）体积重复单元结点般仅顶点体心面心
A定
B定
C定
D皆
8杂质原子取代基质原子占晶格格点位置时形成（）杂质
A位式
B间隙式
C组成式
D皆
9太阳常数参考值Isc（）±7Wm2
A1357
B1367
C1377
D1387
10非晶硅两致命缺点工作性稳定寿命短二光电转化效率晶体硅太阳电池（）
A高
B低
C致
D未知
二项选择题（10道试题30分）
1根晶体缺陷空间延伸线度晶体缺陷分（）
A点缺陷
B线缺陷
C面缺陷
D体缺陷
2（）区属国太阳热资源分布三类区
A山西北部
B山东
C河南
D吉林
3弗仑克尔缺陷特点（）
A空位填隙原子成产生
B空位填隙原子数目相等
C定温度缺陷产生复合程达衡
D定温度晶体部空位表面原子处衡
4网光伏供电系统组成结构（）
A太阳电池阵列
B控制器
C蓄电池
D逆变器
E交流负载
5球太阳资源丰富程度低区（）
A北非
B加
C西北欧洲
D中美洲
6立方晶系列（）面完全等价
A（100）
B（010）
C（001）
D{100}
7太阳中心外分（）
A核反应区
B辐射区
C流区
D太阳气
8点缺陷材料性影响（）
A提高材料电阻
B加快原子扩散迁移
C形成晶体缺陷
D改变材料力学性
9国（）等西部区光资源尤丰富
A青藏高原
B蒙古
C宁夏
D陕西
10球太阳资源丰富程度高区（）
A印度
B巴基斯坦
C澳利亚
D中国
三判断题（10道试题20分）
1点缺陷特点：三维尺寸均某位置发生影响邻原子
A错误
B正确
2般言晶体方具相周期性方具周期性
A错误
B正确
3倒格子中某倒格点原点离原点面体称第布里渊区
A错误
B正确
4电子原子间转移意电子量相轨道间发生转移
A错误
B正确
5原胞结点出现顶点
A错误
B正确
6气层影响仅太阳光入射方关气中吸收散射反射太阳辐射物质关
A错误
B正确
7天空晴朗太阳头顶直射阳光气中光程短时达球表面太阳辐射强
A错误
B正确
8正格子倒格子相应
A错误
B正确
9根接受太阳总辐射量少国划分五类区
A错误
B正确
10太阳常数常单位Wm2
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
列国太阳电池发展历程应
（1）1958年A国开始研制太阳电池
（2）1971年B国发射第二颗造卫星—科学实验卫星实践号首次应太阳电池
（3）1979年C国开始利半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池
（1）A（2）B（3）C
2
列事件时间关系等应
（1）1839年A法国物理学家AEBecqueral第次实验室中发现液体光生伏特效应
（2）1877年B制作第片硒太阳电池
（3）1954C贝尔实验室Chapin等开发出第块实效率6％单晶硅光电池
（1）A（2）B（3）C
3
列晶体缺陷特征应
（1）点缺陷A维尺寸二维尺寸光学显微镜观察
（2）线缺陷B二维尺寸维尺寸电镜观察
（3）面缺陷C三维尺寸均某位置发生影响邻原子
（1）C（2）B（3）A
4
列定义公式应
（1）太阳高度角A
（2）太阳方位角B
（3）太阳入射角C
（1）C（2）A（3）B
5
列太阳气结构名称应
（1）光球A外层
（2）色球B中层
（3）日冕C底层
（1）C（2）B（3）A
6
列球太阳资源分布情况区应
（1）丰富程度高区A中国
（2）丰富程度中高区B印度
（3）丰富程度中低区C日
（1）B（2）A（3）C
7
列世界气候带应
（1）赤道带A纬度10º～回线（235º）
（2）热带B回线极圈（235º～665º）
（3）温带C南北纬10º
（1）C（2）A（3）B
8
列省份区太阳资源分布情况应
（1）山东A二类
（2）江西B三类
（3）宁夏南部C四类
（1）B（2）C（3）A
9
列晶胞含原子数计算方法应
（1）顶点原子A时2晶胞
（2）棱原子B时4晶胞
（3）面心原子C时8晶胞
（1）C（2）B（3）A
10
列概念意义应
（1）太阳常数A描述气层太阳辐射强度
（2）太阳光谱B太阳发射电磁辐射气顶波长分布
（3）气光学质量C太阳光线穿球气路径太阳光线天顶角方时穿气路径
（1）A（2）B（3）C
02务
02务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1（）价带效状态密度计算公式
A
B
C
D
2列项属配位数值（）
A12
B9
C8
D6
3然界晶体结构（）种
A200
B210
C220
D230
4空间点阵分（）晶系
A四种
B五种
C六种
D七种
5PN结中总电子电流计算公式（）
A
B
C
D
6PN结中施掺杂浓度受掺杂浓度300K时Si突变结接触电势差VD（）
A0736V
B0976V
C0686V
D0876V
7300K时征半导体中掺入施杂质形成N型半导体欲锗中费米级低导带底量015eV施掺杂浓度ND（）
A
B
C
D
8列公式中计算征半导体费米级（）
A
B
C
D
9体心立方堆积空间利率（）
A68
B67
C66
D65
10空穴漂移电流（）
A
B
C
D
二项选择题（10道试题30分）
1晶体结合基形式分（）
A高子键合
B金属键合
C价键合
D分子键合
2点缺陷材料造成影响（）
A提高材料电阻
B加快原子扩散迁移
C形成晶体缺陷
D改变材料力学性
3征半导体电子浓度空穴浓度（）
A电子浓度>空穴浓度
B相等
C电子浓度<空穴浓度
D费米级通常带隙中央附
4衡PN结扩散电流漂移电流（）
A相等
B等
C方相反
D方致
5PN结光作发生变化（）
A产生电子空穴数
B电子空穴建电场作产生漂移运动
C形成光电流
D光转化电光电效应
6正格子原胞体积倒格子原胞体积互倒数表达正确（）
A
B
C
D
7弗仑克尔缺陷特点描述正确（）
A空位填隙原子成产生
B留空位没填隙原子
C空位填隙原子数目相等
D定温度缺陷产生复合程达衡
8P型半导体征半导体中掺入受杂质扩散作形成特征（）
A数载流子空穴
B少数载流子电子
C费米级价带顶
D费米级位置征费米级
9晶体缺陷缺陷形状涉范围分（）
A点缺陷
B线缺陷
C面缺陷
D体缺陷
10半导体性描述正确（）
AN型半导体电子浓度远空穴浓度
BP型半导体电子浓度远空穴浓度
C半导体导电性施杂质浓度关
D半导体导电性受杂质浓度关
三判断题（10道试题20分）
1晶体方具相周期性
A错误
B正确
2熔化程中晶体长程序解体时应着定熔点非晶体固定熔点
A错误
B正确
3组成缺陷包括位式杂质原子填隙式杂质原子
A错误
B正确
4定晶格结点占体积定面间距晶面格点面密度
A错误
B正确
5非晶体部原子分子排列整齐周期性规律
A错误
B正确
6晶体缺陷固体物理中重研究领域
A错误
B正确
7带轴方晶体中原子排列情况晶体性质
A错误
B正确
8晶体中位晶格点阵原子静止动
A错误
B正确
9晶体位错滑移界切应力减原
A错误
B正确
10结构相晶体滑移方滑移面通常相
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
根均摊法晶胞中处位置原子晶胞含原子数计算方法应
（1）处顶点原子A原子14属该晶胞
（2）处棱原子B原子18属该晶胞
（3）处面心原子C原子12属该晶胞
（1）B（2）A（3）C
2
晶体金属中原子堆积方式应
（1）六方密堆积A铜型堆积
（2）面心立方密堆积B钾型堆积
（3）体心立方堆积C镁型堆积
（1）C（2）A（3）B
3
P型半导体费米级受杂质浓度增加变化根变化图符号表达意义应
（1）EcA费米级
（2）EvB价带顶量
（3）EfC导带底量
（1）C（2）B（3）A
4
列半导体费米级求解公式应
（1）征半导体费米级A
（2）N型半导体费米级B
（3）P型半导体费米级C
（1）A（2）B（3）C
5
列定义计算公式应
（1）导带效状态密度A
（2）导带中电子浓度B
（3）价带中空穴浓度C
（1）A（2）C（3）B
6
列关晶体结构描述应
（1）晶棱A互相行晶棱方
（2）晶带B晶面交线
（3）晶带带轴C晶棱互相行晶面组合
（1）B（2）C（3）A
7
物质室温征载流子浓度应
（1）SiA
（2）GaAsB
（3）GeC
（1）A（2）B（3）C
8
品种晶体两应晶面间夹角恒定变石英晶体面间夹角情况应
（1）abA141°47′
（2）acB120°00′
（3）bcC113°08′
（1）A（2）C（3）B
9
称操作程中保持变素称称元素称元素定义应
（1）点A旋转轴
（2）线B反演中心
（3）面C反映面
（1）B（2）A（3）C
10列晶体缺陷类型描述应
（1）点缺陷A维尺寸二维尺寸光学显微镜观察
（2）线缺陷B二维尺寸维尺寸电镜观察
（3）面缺陷C三维尺寸均某位置发生影响邻原子
（1）C（2）B（3）A
03务
03务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1太阳电池组件测量条件欧洲委员会定义101号标准中光谱辐度（）
A500W㎡
B1000W㎡
C1500W㎡
D2000W㎡
2悬浮区熔方法制备区熔单晶硅纯度（）电学性（）
A高均匀
B高均匀
C低均匀
D低均匀
3圆切割机切片速度（）硅材料损耗（）效率（）切片硅片表面损伤
A慢低
B慢低
C快高
D快高
4太阳电池组件测量条件欧洲委员会定义101号标准中电池温度（）
A15℃
B20℃
C25℃
D30℃
5常规电池厚度（）开路电压填充子（）
A减降
B减升
C减变
D增加变
6目前拉晶工艺采放肩工艺肩部形成（）夹角
A30°
B45°
C90°
D180°
7粒子（）差存产生扩散运动必条件
A浓度
B
C颜色
D重量
8电池烧结前先电极进行（）进行烧结
A氧化
B加热
C烘干
D铜化
9常规硅太阳电池工艺中形成电池PN结方法（）
A扩散法
B离子注入法
C合金法
D分离法
10硅片清洗必须次序清洗硅片表面油脂蜡等机物
A甲苯丙酮酒精水
B丙酮甲苯酒精水
C水甲苯丙酮酒精
D水丙酮甲苯酒精
二项选择题（10道试题30分）
1太阳电池光电转换效率素关（）
A结构
B材料性质
C工作温度
D环境变化
2太阳电池测试方法包括（）
A阳极氧化法测结深
B四探针法测薄层电阻
C少子寿命测试
D太阳电池负载特性测试
3制备背电场电池较常方法硼扩散法硼扩散法优点（）
A分配系数铝
B结均匀
C电极牢度
D需温度低
4固态氮化硼扩散液态硼扩散较特点（）
A设备复杂操作麻烦
B扩散效率高更适批量生产
C扩散硅片均匀性重复性表面质量较
D产品合格率较高
5晶硅绒面制备时采酸腐蚀液（）组成
AHN03
BHF
CH20
DCH3CH2OH
6硅材料选料包括（）
A导电类型
B电阻率
C晶位错寿命
D形状尺寸厚度
7离子注入法具特点（）
A精确剂量控制
B均匀性
C掺杂深度
D受固溶度限制
8常酸性腐蚀液配方中硝酸氢氟酸醋酸（）
A633
B533
C511
D611
9单晶硅锭两种常见生产工艺（）
A浇铸法
B直拉法
C直熔法
D区熔法
10碱腐蚀法酸腐蚀法优点（）
A成较低
B环境污染
C外观整
D光亮度高
三判断题（10道试题20分）
1水汽氧化面工艺常方法
A错误
B正确
2制作背场较改善太阳电池性
A错误
B正确
3串联电阻填充子影响极忽略计
A错误
B正确
4利区熔单晶硅制备太阳电池光电转换效率高生产成低应广泛
A错误
B正确
5晶面间价键密度越低该晶面越容易腐蚀
A错误
B正确
6光伏电池具称电子学结构
A错误
B正确
7光伏电池微波中继站电源供作线电通讯系统电源
A错误
B正确
8晶硅般采碱溶液进行表面腐蚀制绒
A错误
B正确
9硅片进行表面腐蚀作表面切片机械损伤
A错误
B正确
10常规硅太阳电池工艺中形成电池PN结方法合金法
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1提高硅太阳电池效率种途径请匹配
（1）紫光电池A采01～015μm浅结30条cm精细密栅
（2）M1S电池B金属半导体间加入1．53．0nm绝缘层
（3）聚光电池C电池面积低成
（1）A（2）B（3）C
2硅片表面污染杂质分类
（1）分子型杂质AK+Na+Ca2+FCLCO32
（2）离子型杂质B油脂腊松香
（3）原子型杂质C金铂铜铁
（1）B（2）A（3）C
3太阳电池组件测量必须标准条件进行测量条件欧洲委员会定义101号标准条件
（1）光谱辐度A25℃
（2）光谱B1000W㎡
（3）电池温度CAM15
（1）B（2）C（3）A
4硅片般清洗序请步骤匹配
（1）机溶剂油A热王水I号Ⅱ号清洗液
（2）残留机机杂质B热浓硫酸
（3）清洗液彻底清洗C甲苯
（1）C（2）B（3）A
5列常种氧化方法匹配
（1）水汽氧化法A生长速率慢生成二氧化硅薄膜结构致密均匀性
（2）干氧氧化法B生长速率介两者间钝化效果进步降低体寿命
（3）湿氧氧化法C生长速率快生长二氧化硅层结构疏松表面斑点
（1）C（2）A（3）B
6列概念意义作匹配
（1）腐蚀A降低表面反射提高光生载流子收集
（2）扩散B热运动引起杂质原子基体原子输运程
（3）绒面C表面切片机械损伤
（1）C（2）B（3）A
7太阳电池等效电路中暗电流表达式
式中项分指代（1）C（2）A（3）B
（1）UA电子电量
（2）QB二极曲线子取值1～2间
（3）AC等效二极端电压
8电池总短路电流全部光谱段贡献总表达式表示：
式中项分指代
（1）λ0A表面反射率
（2）R(λ)B征吸收波长限
（3）F(λ)C太阳光谱中波长l～l+dl间隔光子数
（1）B（2）A（3）C
9列常减反射膜匹配
（1）SiO膜A折射率18～25具明显表面钝化体钝化作
（2）TiO2膜B折射率18～19常减反射膜材料
（3）Si3N4膜C折射率20～27较理想太阳电池减反射膜
（1）B（2）C（3）A
10列扩散源匹配
（1）液态源扩散A五氧化二磷
（2）涂布源扩散B硼酸三甲酯
（3）固态源扩散C氮化硼
（1）B（2）A（3）C
04务
04务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1提高微晶硅太阳电池性核心技术（）光电转换效率超20
A陷光技术
B掺杂工艺
C面积均匀性技术
D抗光致衰减技术
2转化率低存光致衰退太阳发电市场功率型电子产品市场电子计算器玩具等太阳电池（）
A单晶硅电池
B晶硅太阳电池
C铜铟镓硒太阳电池
D非晶硅太阳电池
3列染料敏化太阳电池（DSSC）优点（）
A结构简单
B光电转换效率高
C环境污染
D成低廉易制造
4硅太阳电池面应倾采电阻率()材料获高转换效率
A0150·cm
B10200Ω·cm
C零点2Ω·cm
D001
5目前产业化太阳电池中占例（）
AMIS光伏电池
B硅基太阳电池
C碲化镉太阳电池（aSi）
D铜铟镓硒太阳电池
6列半导体异质结太阳电池（）
A硫化亚铜硫化镉太阳电池
B碲化镉太阳电池
C砷化镓太阳电池
D非晶硅薄膜太阳电池
7目前制备薄膜方法中（）种高效低成适合面积生产方法
A化学沉积法
B电沉积法（ED）
C喷涂法（SP）
D物理气相沉积法（PVD）
8（）接触形成整流特性接触良欧姆接触
A半导体半导体
B金属半导体
C金属金属
D金属绝缘体
9单晶硅生产工艺太阳电池领域应（）
A浇铸法
B直熔法
C区熔法
D直拉法
10MIS光伏电池什结构()
A金属绝缘层半导体结构
B金属绝缘层金属结构
C半导体绝缘层半导体结构
D绝缘层金属半导体结构
二项选择题（10道试题30分）
1晶硅采种溶液进行表面腐蚀制绒（）
ANaOH
BHN03HFH20
CKOH
DCH3CH2OH
2MIS结构实际（）
A金属绝缘层半导体
B金属
C电阻
D电容
3染料敏化太阳电池组成（）
A纳米孔薄膜
B染料敏化剂
C电解质
D电极
4铸造晶硅工艺（）
A直熔法
B浇铸法
C直拉法
D区熔法
5王水溶解活泼金属铜银金铂等具极强（）
A强碱性
B氧化性
C腐蚀性
D强酸性
6电池优缺点（）
A衬底制作非常适合规模动化生产
B电池生产成低廉
C效率低缺少硅电池种固稳定性
D系统部分成高
7直拉单晶硅制备工艺般包括（）
A晶硅装料熔化
B种晶
C引细颈放肩等径
D收尾
8铜铟镓硒薄膜太阳电池受全世界广泛研究原（）
A性稳定
B成低
C抗辐射力强
D光电转换效率高
9面关硅太阳电池形状尺寸厚度说法正确（）
A125×125mm2
B156×156mm2
C基体厚度200µm左右
D球形
10硝酸(HNO3)溶解（）
A金
B铂
C铜
D铁
三判断题（10道试题20分）
1硅片清洗必须酒精水甲苯丙酮次序清洗机物机溶剂分子
A错误
B正确
2N型半导体样品热端空穴冷端扩散冷端带正电热端带负电
A错误
B正确
3金属绝缘层半导体(MIS)结构实际电容
A错误
B正确
4非晶硅薄膜太阳电池般设计成pin结构
A错误
B正确
5II号清洗液离子水含量30氧化氢含量37浓盐酸混合成
A错误
B正确
6太阳电池工艺成低面积均匀性动化生产
A错误
B正确
7硅片清洗常机溶剂甲苯丙酮酒精等
A错误
B正确
8晶硅般采酸溶液进行表面腐蚀制绒
A错误
B正确
9非晶硅薄膜太阳电池制备玻璃锈钢陶瓷等衬底
A错误
B正确
10微晶硅非晶硅样间接吸收具低吸收系数
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1列太阳电池尺寸应
（1）单晶硅片厚度A125×125mm2
(2)硅太阳电池尺寸B700mm×700mm×300mm
(3)晶硅铸锭尺寸C200～300μm
（1）C（2）A（3）B
2列溶剂名称应
（1）王水A机溶剂
(2)硝酸B混合溶剂
(3)甲苯C机溶剂
（1）B（2）C（3）A
3列太阳电池关键词应
（1）非晶硅A陷光效应
(2)微晶硅B光致衰减效应
(3)铜铟镓硒C敏感元素配
（1）B（2）A（3）C
4列生产工艺特点应
(1)区熔单晶硅A利高频感应线圈辅助线圈加热晶硅棒
(2)直拉单晶硅制备工艺B炉需消耗支坩埚
(3)直熔法生长铸造晶硅C种晶引细颈放肩程
（1）A（2）C（3）B
5I号清洗液离子水含量30氧化氢含量25浓氨水混合成体积占例应
（1）离子水A58
(2)氧化氢B28
(3)氨水C18
（1）A（2）B（3）C
6列太阳电池研制年份应
（1）质结GaAs太阳电池A1973年
(2)染料敏化太阳电池B1956年
(3)GaAs三层结构异质结太阳电池C1991年
（1）B（2）C（3）A
7列太阳电池缺陷应
（1）铜铟镓硒A效率低稳定性差
(2)非晶硅B严重光致衰减效应
(3)C复杂结构敏感元素配
（1）C（2）B（3）A
8列太阳电池概念应
（1）第代电池A聚光电池
(2)第二代电池B单晶硅太阳电池
(3)第三代电池C非晶硅薄膜太阳电池
（1）B（2）C（3）A
9列等效情况应
（1）欧姆接触A等效电容
(2)金属绝缘层半导体结构B等效带正电荷电子
(3)空穴C等效成电阻
（1）C（2）A（3）B
10单晶硅制绒工艺复杂请工艺时间应
（1）腐蚀时间A10～20min
(2)加水乙醇间隔B40～60mim
(3)HF溶液浸泡C3～5min
（1）B（2）A（3）C
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