新电光伏电池材料形考作业务0104网考试题答案
100通
考试说明：光伏电池材料形考4务务1务4客观题务1务4需考试中次抽取试卷直出现01务_000102务_000103务_000104务_0001试卷该套试卷答案答题做考题时利文档中查找工具考题中关键字输查找工具查找容框迅速查找该题答案文库教学考体化答案敬请查
01务
01务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1
关四氯化硅说法错误（）
A色刺鼻气味液体
B熔点70℃沸点576℃
C吸入食入皮吸收眼睛呼吸道强烈刺激作
D溶苯氯仿石油醚等数机溶剂
2
观察晶体中位错简单方法（）
A浸蚀观察法
B透射电镜法
C手触感觉法
D肉眼观察法
3
室温气压液态水度（）
A1
B2
C3
D0
4
西门子法作硅提纯工艺原料（）
A999999（69）太阳级硅
B99999999999（119）电子级硅
C9599冶金级硅
DP型硅半导体
5
二元相图通常采（）坐标系
A温度压力（Tp）图
B温度浓度（Tx）图
C三棱柱模型
D压强浓度（px）图
6
关硅单质说法错误（）
A原子晶体深灰色带金属光泽晶体
B熔点1420℃沸点2355℃
C常压具金刚石型结构
D具类似金属塑性
7
（）然界中硅位素
A28Si
B29Si
C30Si
D32Si
8
关二氧化硅说法错误（）
A制造冶金硅原料
BHF反应
CSiO2溶水热浓碱溶液反应生成硅酸盐反应较快
D石英壳中分布少矿物
9
杂质原子基体原子尺寸相容易形成（）
A空位
B置换原子
C间隙原子
D位错
10
关位错密度说法错误（）
A单位体积晶体中包含位错线总长度
B理解穿越单位截面积位错线数目
C位错密度相应材料力学性均较佳
D通常情况制位错密度较材料
二判断题（10道试题20分）
1
绝温度零度外界激发条件硅晶体没电子存完全导电
A错误
B正确
2
方便制备位错少晶硅片
A错误
B正确
3
硅晶体半导体性源价键
A错误
B正确
4
点缺陷衡浓度温度升高呈指数关系增加
A错误
B正确
5
硅壳中丰度2590仅次氧硅含量元素中居第二位
A错误
B正确
6
柏氏矢量说明畸变发生什晶没量
A错误
B正确
7
缺陷增加增加空位越越稳定
A错误
B正确
8
硅烷甲硅烷
A错误
B正确
9
硅通电子导电载流子电子
A错误
B正确
10
刃型位错螺型位错判断通晶体发生局部滑移方位错线垂直行区分
A错误
B正确
三连线题（10道试题30分）
1
晶体特性解释应
（1）异性A晶体常具某确定方位晶面劈裂性质
（2）长程序B粒子排列具三维周期性称性
（3）解理性C方晶体物理性质电阻率导电性导热性介电常数光折射弹性硬度等
（1）C
（2）B
（3）A
2
晶体结构晶胞中原子数应
（1）简单立方结构A4
（2）体心立方结构B2
（3）面心立方结构C1
（1）C
（2）B
（3）A
3
种硅化合物描述应
（1）二氧化硅A沸点315℃室温色透明液体
（2）三氯氢硅B河砂中水洗掉粘土等杂质进行筛分
（3）四氯化硅C潮湿空气中水蒸气发生水解作会产生烟雾
（1）B
（2）A
（3）C
4
（1）A
（2）B
（3）C
5
硅材料描述应
（1）电子级硅A999999
（2）冶金级硅B99999999999
（3）太阳级硅C9599
（1）B
（2）C
（3）A
6
晶体生长方式实例应
（1）固相生长A水汽凝结冰晶
（2）液相生长B盐水溶液结晶
（3）汽相生长C石墨高温高压条件转变金刚石
（1）C
（2）B
（3）A
7
种硅化合物作应
（1）二氧化硅A作西门子法提纯硅材料中间产物
（2）三氯氢硅B制造冶金硅原料
（3）甲硅烷C量制高纯硅高温易热解
（1）B
（2）A
（3）C
8
类晶体缺陷实例应
（1）点缺陷A位错
（2）线缺陷B空位
（3）面缺陷C相界
（1）B
（2）A
（3）C
9
硅途性质应
（1）二极A通掩蔽光刻扩散等工艺硅晶片集结成完整电路
（2）集成电路B光转化成电
（3）光电池C制成晶体二极整流检波
（1）C
（2）A
（3）B
10
种硅化合物熔沸点应
（1）四氯化硅A熔点185℃沸点1118℃
（2）三氯氢硅B熔点70℃沸点576℃
（3）甲硅烷C熔点128℃沸点315℃
（1）B
（2）C
（3）A
四定项选择题（10道试题30分）
1
关硅电阻率说法错误（）
A高纯硅中掺入极微量电活性杂质电阻率会显著降
B硅电导率外界素（光热磁等）高度敏感
CN型半导体中电子数量少称少数载流子
DN型半导体P型半导体导电力征半导体
2
关石英说法错误（）
A晶体硅样原子晶体
B硅原子SP3杂化形式四氧原子结合形成SiO4四面体结构单元
C简单SiO2分子组成
D石英砂开采加工成较低
3
列属晶体宏观特性（）
A长程序
B固定熔点
C解理性
D异性
4
金刚石结构晶胞中原子数（）配位数（）
A44
B84
C88
D124
5
两侧晶粒位差1°晶界属（）
A亚晶界
B角度晶界
C角度晶界
D刃位错
6
区分晶体非晶体（）
A原子排练否序
B否具确定熔点
C密度
D熔点高低
7
关固溶体中间相说法错误（）
A某组元作溶剂组元溶质形成溶剂相晶体结构晶格常数稍变化固相称固溶体
B形成新相晶体结构组元新形成固相中间相
C固熔体般具较高熔点硬度
DCuNi合金属中间相
8
关界晶核说法错误（）
A晶胚尺寸界晶核晶胚稳定难长终熔化消失
B晶胚尺寸界晶核晶胚成稳定晶核继续长
C均匀形核非均匀形核界晶核
D界半径冷度ΔT关
9
关硅卤化物说法错误（）
A色
B价化合物
C般毒
D熔点沸点较低
10
解理面通常晶面间距较晶面金刚石结构中面晶面晶面间距（）
A{111}
B{100}
C{110}
D{120}
02务
02务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1关采区域提纯法硅中硼杂区域提纯杂质描述正确（）
A法效果
B效果般完全
C取决温度效果显著
D取决硼含量
2占晶格间隙位置杂质原子（）
A间隙杂质原子
B位杂质原子
C征点缺陷
D原生长缺陷
3
工业硅生产炉中温度2000℃部分（）
A熔炼程中生成SiC
B底SiC面产品工业硅
C全部产品工业硅
D皆
4生产直拉单晶硅生产时单晶炉需通入（）作保护气体炉体通常（）
A常压空气
B氧气低压空气
C低压氩气
D低压氮气氢气
5太阳电池直拉单晶硅中缺陷（）
A空位
B杂质原子
C位错
D二次缺陷
6金刚石结构晶体中位错滑移容易产生滑移面（）
A{110}面
B{111}面
C{100}面
D{101}面
7Dash工艺解决（）
A加入转晶
B减少缺陷（位错）
C放肩
D热应力
8CZ法生长单晶硅工艺次加料熔化（）
A放肩生长缩颈生长等径生长尾部生长
B等径生长缩颈生长放肩生长尾部生长
C缩颈生长放肩生长等径生长尾部生长
D缩颈生长等径生长放肩生长尾部生长
9吸附时发生化学变化（）
A化学吸附
B逆程
C物理吸附
D皆
10区熔法制备单晶硅时需（）
A需坩埚
B需石英坩埚溶化
C需石英坩埚石墨坩埚
D需石墨坩埚
二定项选择题（10道试题30分）
1关czCZ法fzFZ法说法描述正确（）
A生长时需助采籽晶
B熔化时需采坩埚
C需采真空气氛保护
D需缩颈工艺
2磷硅中容易（）
A磷硅熔液中快蒸发
B磷密度
C磷硅中分配系数1
D磷熔点低
3坩埚区域提纯（）
A晶体生长
B避免坩埚污染
C熔硅会流动表面张力
D硅采水区域提纯法
4化学法提纯高纯晶硅工艺包括（）
A中间化合物合成
B中间化合物分离提纯
C中间产物原者分解成高纯硅原成高纯硅
D区域提纯
5关完全互溶AB双组分溶液混合蒸汽组成相图说法正确（）
A两条曲线分三区域
B降温液相线正产生第气泡液相线称泡点曲线
C升温气相线正产生第气泡气相线称泡点曲线
D降温液相线产生第液滴液相线称露点曲线
6关晶转说法正确（）
A晶体坩埚旋转方相改善热场称性
B吊索晶体出现振时效果
C高晶转会固液界形状太凹
D某晶转棱线者面直径读取步引起直径读值拉速幅度跳动
7具金刚石结构晶体中解理面包括位错线优先方（）
A{100}<110>晶晶面族
B{211}〈211〉晶面族晶
C{111}晶面族〈111〉晶
D〈210〉晶{110}晶面族
8直拉单晶炉室包括（）
A石英坩埚
B石墨坩埚
C石墨加热器
D热绝缘筒盘
9工业吸附吸附剂求包括（）
A具较表面吸附容量
B选择性高
C具定机械强度抗磨损
D良物理化学性耐热击耐腐蚀
10吸附描述正确升温降压助（）
A物理．吸附进行吸附逆
B脱咐进行物理吸附逆
C升温物理吸附影响化学吸附逆
D化学吸附逆降压水蒸气更容易挥发
三判断题（10道试题20分）
1FZ硅占领85硅单晶市场
A错误
B正确
2冶金法制备高纯晶硅改良西门子法相前者成更低电耗更
A错误
B正确
3通湿法冶金技术提纯硅材料难工业硅提纯满足制作太阳电池需求
A错误
B正确
4化学吸附放热程物理吸附吸热程
A错误
B正确
5改良西门子法闭路循环系统晶硅生产中种聊充分利排出废料极少
A错误
B正确
6改良西门子法产生氢气氯化氢氯硅烷等副产物进行回收利
A错误
B正确
7硅然界分布广泛元素介金属非金属间半金属
A错误
B正确
8分子筛具极性非极性分子具较强亲力
A错误
B正确
9MCZ法磁致粘滞性控制流体运动减少熔体温度波动
A错误
B正确
10改良西门子法原料硅石
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
化学反应作应
（1）SiHCl3+H2→Si+3HClA中间产物合成
（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2B工业硅合成
（3）3SiO2+2SiCSi+4SiO↑+2CO↑C中间产物原
（1）C
（2）A
（3）B
2
元素硅熔体中分凝系数应
（1）OA125
（2）CB007
（3）BC08
（1）A
（2）B
（3)C
3
Cz法中设备描述应
（1）石英坩埚A底部较厚起较绝热效果
（2）石墨坩埚B电阻会着次数增加升高
（3）石墨加热器C纯度耐热性求搞
（1）C
（2）A
（3）B
4
工业硅生产程中注意事项作应
（1）保持适宜SiO2碳分子A避免炉热造成硅挥发氧化生成SiO
（2）保证反应区足够高温度B分解生成SiC反应利生成硅方进行
（3）时捣炉帮助沉料C防止SiC生成
（1）C
（2）B
（3）A
5
氧存方式描述应
（1）热施A热处理温度处550～850℃
（2）新施B处理温度处300～500℃
（3）氧沉淀C适温度进行热处理时会脱溶
（1）B
（2）A
（3）C
6
FZ单晶硅中杂质描述应
（1）OA危害
（2）CB浓度低影响
（3）NC增强机械性
（1）A
（2）B
（3）C
7
工艺提纯方法应
（1）硅烷法A精馏
（2）改良西门子法B吸附
（3）冶金C物理提纯
（1）B
（2）A
（3）C
8
Cz法中工艺描述应
（1）缩颈生长A减少位错
（2）放肩生长B硅片取材部位
（3）等径生长C肩部夹角接180°样提高晶硅利率
（1）A
（2）C
（3）B
9
工业硅应量应
（1）生产合金A5
（2）机硅B40
（3）半导体器件太阳电池C55
（1）C
（2）B
（3）A
10
吸附设备工艺应
（1）流体固体吸附剂置容器A半连续操
（2）固定吸附床B连续操作
（3）移动吸附器C间歇操作
（1）C
（2）A
（3）B
03务
03务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1
硅片中磷扩散进行掺杂原料（）
APH3
BPH5
CPOCl3
DB2O3
2
生产1kg铸造晶硅需耗（）kWh
A30
B18～40
C8～15
D
3
常测试半导体材料电阻率方法（）
A扩展电阻法
B四探针法
C两探针法
D范德堡法
4
般制造重量250～300kg铸造晶硅锭需（）时间
A35～45h
B25～35h
C55～65h
D15～25h
5
测试硅片中少数载流子类型测试（）
A四探针法
BX射线法
C整流法
D显微镜观察法
6
铸造晶硅制备目前常方法（）
A布里奇曼法
B电磁铸锭法
C浇铸法
D热交换法
7
电磁铸锭法说法错误（）
A熔体坩埚直接接触
B电磁力硅熔体作硅熔体中掺杂剂分布更均匀
C硅锭中晶粒较细
D较少晶体缺陷
8
硅熔点约（）
A1200℃
B800℃
C2200℃
D1420℃
9
铸造晶硅晶粒般（）
A10cm左右
B1mm左右
C100μm左右
D10mm左右
10
单晶硅片电阻率般控制（）
A2～4·cm左右
B05～2·cm左右
C01～03·cm左右
D1～3·cm左右
二定项选择题（10道试题30分）
1硅片清洗作（）
A提高绝缘性
B边缘腐蚀时油污水气灰尘
C降低杂质离子PN结性影响
D降低杂质存带硅片电阻率稳定
2
工艺热交换法制备晶硅必须（）
A化料
B晶体生长
C退火
D坩锅喷涂
3
铸造晶硅相直拉单晶硅优点（）
A材料利率高
B耗
C成低
D转换效率高
4
金属杂质吸杂工艺般包括（）
A升温熔化金属杂质
B原金属沉淀溶解
C金属原子扩散
D金属杂质吸杂点处重新沉淀
5
浇铸法缺点（）
A熔融结晶坩埚会导致二次污染
B坩埚翻转机构引锭机构结构相较复杂
C生产效率低
D耗高
6
晶硅锭低质量区杂质较（）
A坩埚接触部分引入杂质
B晶粒尺寸较
C晶体凝固分凝作
D热应力
7
太阳电池单晶硅切片通常采（）
A外圆切割机
B圆切割机
C线切割
D带式切割机
8
硅存形式硅基太阳电池分（）
A晶硅太阳电池
B单晶硅太阳电池
C非晶硅太阳电池
D化合物太阳电池
9
影响铸造晶硅晶体生长素包括（）
A固液界面
B热应力
C坩埚污染等
D保护气氛
10
铸造晶硅制备方法（）
A布里奇曼法
B热交换法
C电磁铸锭法
D浇铸法
三判断题（10道试题20分）
1目前技术规模生产制造p型掺硼铸造晶硅掺镓p型铸造晶硅没问题
A错误
B正确
2
高纯石英坩埚相高纯石墨坩埚成更低更引入碳污染金属杂质污染
A错误
B正确
3硅锭坩埚壁接触底部四周晶粒较区域
A错误
B正确
4通常晶体生长速率越快生产效率越高温度梯度越终导致热应力越高热应力会导致高密度位错严重影响材料质量
A错误
B正确
5直流光电导衰退法测量少子寿命需接触硅片
A错误
B正确
6影响铸造晶硅晶体生长素晶粒尺寸固液界面热应力坩埚污染等
A错误
B正确
7晶硅锭中晶粒越细晶界越少
A错误
B正确
8浇铸法应前景铸造晶硅生产新技术
A错误
B正确
9热交换法铸锭炉底部需水冷
A错误
B正确
10纯净晶界具电活性会影响晶硅电学性
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
化学反应作应
（1）3Si+4HNO33SiO2↓+2H2O+4NO↑A硅表面致密保护膜
（2）SiO2+6HFH2[SiF6]+2H2OB碱腐蚀
（3）Si＋H2O+2NaOHNa2SiO3+2H2↑C酸腐蚀
（1）A
（2）C
（3）B
2
制备方法描述应
（1）布里曼法A坩埚需升降
（2）热交换法B固液界面较稳
（3）浇铸法C熔化结晶两坩埚中进行
（1）A
（2）B
（3）C
3
测试方法作应
（1）整流法A少子寿命
（2）四探针法B电阻率
（3）光电导衰退法C导电型号
（1）C
（2）B
（3）A
4
清洗时试剂作应
（1）机酸A镁铝铜银金氧化铝氧化镁二氧化硅等杂质
（2）机溶剂B难溶物质转化易溶物质
（3）氧化氢C相似相溶
（1）A
（2）C
（3）B
5
工艺耗应
（1）区熔单晶硅A8～15kWhKg
（2）直拉单晶硅B18～40kWhKg
（3）铸造晶硅C30kWhKg
（1）C
（2）B
（3）A
6
吸杂工艺描述应
（1）磷吸杂A磷硅玻璃中金属杂质
（2）铝吸杂B利溅射蒸发等技术制备薄层热处理合金化
（3）磷铝吸杂C杂效果佳
（1）A
（2）C
（3）B
7
硅片参数作应
（1）BOWA弯曲度
（2）TTVB整度种量度
（3）TIRC总厚度偏差
（1）A
（2）C
（3）B
8
种硅生产工艺特点应
（1）mcSiA生产成高
（2）czSiB硅料求般
（3）fzSiC转换效率般低
（1）C
（2）B
（3）A
9
硅中种元素影响应
（1）BA危害较
（2）OB钝化效果
（3）HC特意加入形成掺杂
（1）C
（2）A
（3）B
10
抛光工艺描述应
（1）机械抛光法A现代半导体工业中普遍应
（2）化学抛光法B采细磨料颗料
（3）化学－机械抛光法C硝酸氢氟酸混合腐蚀液
（1）B
（2）C
（3）A
04务
04务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1
铜铟镓硒薄膜太阳电池高转换效率记录（）
A25
B101
C194
D167
2
二氧化钛种晶体结构中适合太阳电池（）
A金红石
B锐钛矿
C板钛矿
D差
3
非晶硅PIN结构P部分采（）形成
APH3加BH3
BSiH4加PH3
CSiH4加B2H6
DSiH4加BH3
4
非晶硅禁带宽度（）
A15eV定程度调
B112eV
C16eV
D212eV
5
关染料敏化太阳电池中纳米晶求错误（）
A高表面积量孔隙
B吸附染料
C晶粒越越
D限度电解质紧密接触
6
非晶硅太阳电池转换效率约（）
A5％
B20％
C15％
D10％
7
非晶硅薄膜厚度约（）
A数百微米
B数百纳米
C数十毫米
D数十微米
8
锐钛矿相二氧化钛晶体禁带宽度（）
A22eV
B28eV
C30eV
D32eV
9
太阳电池成（单位：美元W）低（）
A非晶硅薄膜
B晶硅
C铜铟镓硒
D微晶硅薄膜
10
铟储量国家（）
A中国
B日
C美国
D俄罗斯
二定项选择题（10道试题30分）
1
旋涂成膜存问题（）
A溶解性
B挥发性
C溶剂残留
D薄膜均匀性难保证
2
化学气相沉积直接制备晶硅薄膜方法（）
A等离子增强化学气相沉积
B低压化学气相沉积制备晶硅
C热丝化学气相沉积制备晶硅
D非晶硅晶化制备晶硅薄膜
3
辉光放电系统中IV特性曲线分（）阶段
A汤森放电
B正常放电
C异常放电
D电弧放电
4
孔纳米晶薄膜材料（）
ATiO2
BZnO
CSnO2
DAl2O3
5
常晶硅薄膜制备方法（）
A利化学气相沉积直接制备晶硅薄膜
B非晶硅晶化制备
C晶硅片切薄
D晶硅片进行热处理
6
关DA界面说法正确（）
A电离电势（IP）较材料称电子施相机半导体中N型材料
B具电子亲（EA）材料称作电子受相机半导体中P型材料
C类似机太阳电池中PN结
DDA界面处D型材料A型材料存级差
7
机太阳电池产生电流流程（）
A吸收光子
B产生激子
C电子空穴分离
D运输DA界面处
8
关光致衰减效应说法正确（）
A简称SW效应
B长期辐光电导暗电导时降导致光电转换效率降低
C150～200℃热处理恢复原状态
D铸造晶硅没光致衰减
9
染料敏化太阳电池基结构包括（）
A孔纳米晶薄膜
B染料敏化剂
C电解质
D电极
10
机太阳电池基结构模型（）
APIN结构
B单层异质结结构
C双层异质结结构
D单层混合膜异质结结构
三判断题（10道试题20分）
1
机太阳电池中电离电势（IP）较材料称电子施（Donor简称D型材料）相机半导体中P型材料
A错误
B正确
2
非晶硅太阳电池中存晶体硅太阳电池中样pn节结构
A错误
B正确
3
非晶硅太阳电池生产出转换效率会时间发生改变
A错误
B正确
4
高纯硅原料价格增加薄膜太阳电池成影响
A错误
B正确
5
苝衍生物种应较光敏剂A型材料450600nm波段具较强吸收光条件稳定性成低
A错误
B正确
6
单晶硅晶硅物理特性异性非晶硅物理特性异性
A错误
B正确
7
着非晶硅中氢含量增加隙宽度15eV增加18eV
A错误
B正确
8
150～200℃热处理SW效应效率降低非晶硅太阳电池恢复原状态
A错误
B正确
9
PECVD技术非晶硅薄膜太阳电池制备晶硅薄膜太阳电池制备
A错误
B正确
10
酞菁类化合物典型D型机半导体
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
太阳电池特点应
（1）晶体硅A明显光致衰减
（2）非晶硅薄膜B蓄电池种金属元素
（3）碲化镉C块体
（1）C
（2）A
（3）B
2
太阳电池特点应
（1）机半导体薄膜A层状三明治叠层结构
（2）染料敏化太阳电池B光致衰减低成制备简单面积制备
（3）晶硅薄膜C良装饰效果
（1）A
（2）C
（3）B
3
太阳电池转换效率应
（1）单晶硅太阳电池A515
（2）非晶硅薄膜太阳电池B25
（3）机太阳电池C95
（1）B
（2）C
（3）A
4
太阳电池特点应
（1）非晶硅A吸收系数值
（2）孔纳米晶BPECVD
（3）铜铟镓硒C锐钛矿
（1）B
（2）C
（3）A
5
机半导体薄膜制备方法描述应
（1）旋转涂层法A机太阳电池具低成高生产率原
（2）机气相沉积法B机材料金属电极材料良接触界面减少界面处截流子流损耗提高转换效率
（3）丝网印刷技术C采设备匀胶机
（1）C
（2）B
（3）A
6
化学气相沉积直接制备晶硅薄膜方法描述应
（1）等离子增强化学气相沉积A薄膜生长速率高薄膜结构均匀致性高载流子迁移率高
（2）低压化学气相沉积B部含高密度微孪晶缺陷晶粒尺寸载流子迁移率够
（3）热丝化学气相沉积C采卤硅化合物（SiF4）者硅烷卤硅化合物混合气体
（1）C
（2）B
（3）A
7
太阳电池禁带宽度应
（1）非晶硅A15eV
（2）铜铟镓硒B104eV
（3）碲化镉C145eV
（1）A
（2）B
（3）C
8
机分子化合物描述应
（1）酞菁类化合物A耐热性非常400℃较稳定
（2）苝衍生物B足处较脆
（3）五苯C具高化学稳定性耐机溶剂性具强刚性
（1）A
（2）C
（3）B
9
PECVD充入气体形成半导体类型应
（1）SiH4A征
（2）SiH4加PH3Bn型
（3）SiH4加B2H6Cp型
（1）A
（2）B
（3）C
10
非晶硅晶化制备晶硅薄膜方法描述应
（1）固相晶化A晶粒尺寸严重影响晶硅性
（2）激光晶化B设备复杂生产成高难实现规模工业应
（3）快速热处理晶化C会引进金属杂质金属半导体硅电学性产生致命影响
（1）C
（2）B
（3）A
文档香网(httpswwwxiangdangnet)户传
《香当网》用户分享的内容，不代表《香当网》观点或立场，请自行判断内容的真实性和可靠性！
该内容是文档的文本内容，更好的格式请下载文档
100通
考试说明：光伏电池材料形考4务务1务4客观题务1务4需考试中次抽取试卷直出现01务_000102务_000103务_000104务_0001试卷该套试卷答案答题做考题时利文档中查找工具考题中关键字输查找工具查找容框迅速查找该题答案文库教学考体化答案敬请查
01务
01务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1
关四氯化硅说法错误（）
A色刺鼻气味液体
B熔点70℃沸点576℃
C吸入食入皮吸收眼睛呼吸道强烈刺激作
D溶苯氯仿石油醚等数机溶剂
2
观察晶体中位错简单方法（）
A浸蚀观察法
B透射电镜法
C手触感觉法
D肉眼观察法
3
室温气压液态水度（）
A1
B2
C3
D0
4
西门子法作硅提纯工艺原料（）
A999999（69）太阳级硅
B99999999999（119）电子级硅
C9599冶金级硅
DP型硅半导体
5
二元相图通常采（）坐标系
A温度压力（Tp）图
B温度浓度（Tx）图
C三棱柱模型
D压强浓度（px）图
6
关硅单质说法错误（）
A原子晶体深灰色带金属光泽晶体
B熔点1420℃沸点2355℃
C常压具金刚石型结构
D具类似金属塑性
7
（）然界中硅位素
A28Si
B29Si
C30Si
D32Si
8
关二氧化硅说法错误（）
A制造冶金硅原料
BHF反应
CSiO2溶水热浓碱溶液反应生成硅酸盐反应较快
D石英壳中分布少矿物
9
杂质原子基体原子尺寸相容易形成（）
A空位
B置换原子
C间隙原子
D位错
10
关位错密度说法错误（）
A单位体积晶体中包含位错线总长度
B理解穿越单位截面积位错线数目
C位错密度相应材料力学性均较佳
D通常情况制位错密度较材料
二判断题（10道试题20分）
1
绝温度零度外界激发条件硅晶体没电子存完全导电
A错误
B正确
2
方便制备位错少晶硅片
A错误
B正确
3
硅晶体半导体性源价键
A错误
B正确
4
点缺陷衡浓度温度升高呈指数关系增加
A错误
B正确
5
硅壳中丰度2590仅次氧硅含量元素中居第二位
A错误
B正确
6
柏氏矢量说明畸变发生什晶没量
A错误
B正确
7
缺陷增加增加空位越越稳定
A错误
B正确
8
硅烷甲硅烷
A错误
B正确
9
硅通电子导电载流子电子
A错误
B正确
10
刃型位错螺型位错判断通晶体发生局部滑移方位错线垂直行区分
A错误
B正确
三连线题（10道试题30分）
1
晶体特性解释应
（1）异性A晶体常具某确定方位晶面劈裂性质
（2）长程序B粒子排列具三维周期性称性
（3）解理性C方晶体物理性质电阻率导电性导热性介电常数光折射弹性硬度等
（1）C
（2）B
（3）A
2
晶体结构晶胞中原子数应
（1）简单立方结构A4
（2）体心立方结构B2
（3）面心立方结构C1
（1）C
（2）B
（3）A
3
种硅化合物描述应
（1）二氧化硅A沸点315℃室温色透明液体
（2）三氯氢硅B河砂中水洗掉粘土等杂质进行筛分
（3）四氯化硅C潮湿空气中水蒸气发生水解作会产生烟雾
（1）B
（2）A
（3）C
4
（1）A
（2）B
（3）C
5
硅材料描述应
（1）电子级硅A999999
（2）冶金级硅B99999999999
（3）太阳级硅C9599
（1）B
（2）C
（3）A
6
晶体生长方式实例应
（1）固相生长A水汽凝结冰晶
（2）液相生长B盐水溶液结晶
（3）汽相生长C石墨高温高压条件转变金刚石
（1）C
（2）B
（3）A
7
种硅化合物作应
（1）二氧化硅A作西门子法提纯硅材料中间产物
（2）三氯氢硅B制造冶金硅原料
（3）甲硅烷C量制高纯硅高温易热解
（1）B
（2）A
（3）C
8
类晶体缺陷实例应
（1）点缺陷A位错
（2）线缺陷B空位
（3）面缺陷C相界
（1）B
（2）A
（3）C
9
硅途性质应
（1）二极A通掩蔽光刻扩散等工艺硅晶片集结成完整电路
（2）集成电路B光转化成电
（3）光电池C制成晶体二极整流检波
（1）C
（2）A
（3）B
10
种硅化合物熔沸点应
（1）四氯化硅A熔点185℃沸点1118℃
（2）三氯氢硅B熔点70℃沸点576℃
（3）甲硅烷C熔点128℃沸点315℃
（1）B
（2）C
（3）A
四定项选择题（10道试题30分）
1
关硅电阻率说法错误（）
A高纯硅中掺入极微量电活性杂质电阻率会显著降
B硅电导率外界素（光热磁等）高度敏感
CN型半导体中电子数量少称少数载流子
DN型半导体P型半导体导电力征半导体
2
关石英说法错误（）
A晶体硅样原子晶体
B硅原子SP3杂化形式四氧原子结合形成SiO4四面体结构单元
C简单SiO2分子组成
D石英砂开采加工成较低
3
列属晶体宏观特性（）
A长程序
B固定熔点
C解理性
D异性
4
金刚石结构晶胞中原子数（）配位数（）
A44
B84
C88
D124
5
两侧晶粒位差1°晶界属（）
A亚晶界
B角度晶界
C角度晶界
D刃位错
6
区分晶体非晶体（）
A原子排练否序
B否具确定熔点
C密度
D熔点高低
7
关固溶体中间相说法错误（）
A某组元作溶剂组元溶质形成溶剂相晶体结构晶格常数稍变化固相称固溶体
B形成新相晶体结构组元新形成固相中间相
C固熔体般具较高熔点硬度
DCuNi合金属中间相
8
关界晶核说法错误（）
A晶胚尺寸界晶核晶胚稳定难长终熔化消失
B晶胚尺寸界晶核晶胚成稳定晶核继续长
C均匀形核非均匀形核界晶核
D界半径冷度ΔT关
9
关硅卤化物说法错误（）
A色
B价化合物
C般毒
D熔点沸点较低
10
解理面通常晶面间距较晶面金刚石结构中面晶面晶面间距（）
A{111}
B{100}
C{110}
D{120}
02务
02务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1关采区域提纯法硅中硼杂区域提纯杂质描述正确（）
A法效果
B效果般完全
C取决温度效果显著
D取决硼含量
2占晶格间隙位置杂质原子（）
A间隙杂质原子
B位杂质原子
C征点缺陷
D原生长缺陷
3
工业硅生产炉中温度2000℃部分（）
A熔炼程中生成SiC
B底SiC面产品工业硅
C全部产品工业硅
D皆
4生产直拉单晶硅生产时单晶炉需通入（）作保护气体炉体通常（）
A常压空气
B氧气低压空气
C低压氩气
D低压氮气氢气
5太阳电池直拉单晶硅中缺陷（）
A空位
B杂质原子
C位错
D二次缺陷
6金刚石结构晶体中位错滑移容易产生滑移面（）
A{110}面
B{111}面
C{100}面
D{101}面
7Dash工艺解决（）
A加入转晶
B减少缺陷（位错）
C放肩
D热应力
8CZ法生长单晶硅工艺次加料熔化（）
A放肩生长缩颈生长等径生长尾部生长
B等径生长缩颈生长放肩生长尾部生长
C缩颈生长放肩生长等径生长尾部生长
D缩颈生长等径生长放肩生长尾部生长
9吸附时发生化学变化（）
A化学吸附
B逆程
C物理吸附
D皆
10区熔法制备单晶硅时需（）
A需坩埚
B需石英坩埚溶化
C需石英坩埚石墨坩埚
D需石墨坩埚
二定项选择题（10道试题30分）
1关czCZ法fzFZ法说法描述正确（）
A生长时需助采籽晶
B熔化时需采坩埚
C需采真空气氛保护
D需缩颈工艺
2磷硅中容易（）
A磷硅熔液中快蒸发
B磷密度
C磷硅中分配系数1
D磷熔点低
3坩埚区域提纯（）
A晶体生长
B避免坩埚污染
C熔硅会流动表面张力
D硅采水区域提纯法
4化学法提纯高纯晶硅工艺包括（）
A中间化合物合成
B中间化合物分离提纯
C中间产物原者分解成高纯硅原成高纯硅
D区域提纯
5关完全互溶AB双组分溶液混合蒸汽组成相图说法正确（）
A两条曲线分三区域
B降温液相线正产生第气泡液相线称泡点曲线
C升温气相线正产生第气泡气相线称泡点曲线
D降温液相线产生第液滴液相线称露点曲线
6关晶转说法正确（）
A晶体坩埚旋转方相改善热场称性
B吊索晶体出现振时效果
C高晶转会固液界形状太凹
D某晶转棱线者面直径读取步引起直径读值拉速幅度跳动
7具金刚石结构晶体中解理面包括位错线优先方（）
A{100}<110>晶晶面族
B{211}〈211〉晶面族晶
C{111}晶面族〈111〉晶
D〈210〉晶{110}晶面族
8直拉单晶炉室包括（）
A石英坩埚
B石墨坩埚
C石墨加热器
D热绝缘筒盘
9工业吸附吸附剂求包括（）
A具较表面吸附容量
B选择性高
C具定机械强度抗磨损
D良物理化学性耐热击耐腐蚀
10吸附描述正确升温降压助（）
A物理．吸附进行吸附逆
B脱咐进行物理吸附逆
C升温物理吸附影响化学吸附逆
D化学吸附逆降压水蒸气更容易挥发
三判断题（10道试题20分）
1FZ硅占领85硅单晶市场
A错误
B正确
2冶金法制备高纯晶硅改良西门子法相前者成更低电耗更
A错误
B正确
3通湿法冶金技术提纯硅材料难工业硅提纯满足制作太阳电池需求
A错误
B正确
4化学吸附放热程物理吸附吸热程
A错误
B正确
5改良西门子法闭路循环系统晶硅生产中种聊充分利排出废料极少
A错误
B正确
6改良西门子法产生氢气氯化氢氯硅烷等副产物进行回收利
A错误
B正确
7硅然界分布广泛元素介金属非金属间半金属
A错误
B正确
8分子筛具极性非极性分子具较强亲力
A错误
B正确
9MCZ法磁致粘滞性控制流体运动减少熔体温度波动
A错误
B正确
10改良西门子法原料硅石
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
化学反应作应
（1）SiHCl3+H2→Si+3HClA中间产物合成
（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2B工业硅合成
（3）3SiO2+2SiCSi+4SiO↑+2CO↑C中间产物原
（1）C
（2）A
（3）B
2
元素硅熔体中分凝系数应
（1）OA125
（2）CB007
（3）BC08
（1）A
（2）B
（3)C
3
Cz法中设备描述应
（1）石英坩埚A底部较厚起较绝热效果
（2）石墨坩埚B电阻会着次数增加升高
（3）石墨加热器C纯度耐热性求搞
（1）C
（2）A
（3）B
4
工业硅生产程中注意事项作应
（1）保持适宜SiO2碳分子A避免炉热造成硅挥发氧化生成SiO
（2）保证反应区足够高温度B分解生成SiC反应利生成硅方进行
（3）时捣炉帮助沉料C防止SiC生成
（1）C
（2）B
（3）A
5
氧存方式描述应
（1）热施A热处理温度处550～850℃
（2）新施B处理温度处300～500℃
（3）氧沉淀C适温度进行热处理时会脱溶
（1）B
（2）A
（3）C
6
FZ单晶硅中杂质描述应
（1）OA危害
（2）CB浓度低影响
（3）NC增强机械性
（1）A
（2）B
（3）C
7
工艺提纯方法应
（1）硅烷法A精馏
（2）改良西门子法B吸附
（3）冶金C物理提纯
（1）B
（2）A
（3）C
8
Cz法中工艺描述应
（1）缩颈生长A减少位错
（2）放肩生长B硅片取材部位
（3）等径生长C肩部夹角接180°样提高晶硅利率
（1）A
（2）C
（3）B
9
工业硅应量应
（1）生产合金A5
（2）机硅B40
（3）半导体器件太阳电池C55
（1）C
（2）B
（3）A
10
吸附设备工艺应
（1）流体固体吸附剂置容器A半连续操
（2）固定吸附床B连续操作
（3）移动吸附器C间歇操作
（1）C
（2）A
（3）B
03务
03务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1
硅片中磷扩散进行掺杂原料（）
APH3
BPH5
CPOCl3
DB2O3
2
生产1kg铸造晶硅需耗（）kWh
A30
B18～40
C8～15
D
3
常测试半导体材料电阻率方法（）
A扩展电阻法
B四探针法
C两探针法
D范德堡法
4
般制造重量250～300kg铸造晶硅锭需（）时间
A35～45h
B25～35h
C55～65h
D15～25h
5
测试硅片中少数载流子类型测试（）
A四探针法
BX射线法
C整流法
D显微镜观察法
6
铸造晶硅制备目前常方法（）
A布里奇曼法
B电磁铸锭法
C浇铸法
D热交换法
7
电磁铸锭法说法错误（）
A熔体坩埚直接接触
B电磁力硅熔体作硅熔体中掺杂剂分布更均匀
C硅锭中晶粒较细
D较少晶体缺陷
8
硅熔点约（）
A1200℃
B800℃
C2200℃
D1420℃
9
铸造晶硅晶粒般（）
A10cm左右
B1mm左右
C100μm左右
D10mm左右
10
单晶硅片电阻率般控制（）
A2～4·cm左右
B05～2·cm左右
C01～03·cm左右
D1～3·cm左右
二定项选择题（10道试题30分）
1硅片清洗作（）
A提高绝缘性
B边缘腐蚀时油污水气灰尘
C降低杂质离子PN结性影响
D降低杂质存带硅片电阻率稳定
2
工艺热交换法制备晶硅必须（）
A化料
B晶体生长
C退火
D坩锅喷涂
3
铸造晶硅相直拉单晶硅优点（）
A材料利率高
B耗
C成低
D转换效率高
4
金属杂质吸杂工艺般包括（）
A升温熔化金属杂质
B原金属沉淀溶解
C金属原子扩散
D金属杂质吸杂点处重新沉淀
5
浇铸法缺点（）
A熔融结晶坩埚会导致二次污染
B坩埚翻转机构引锭机构结构相较复杂
C生产效率低
D耗高
6
晶硅锭低质量区杂质较（）
A坩埚接触部分引入杂质
B晶粒尺寸较
C晶体凝固分凝作
D热应力
7
太阳电池单晶硅切片通常采（）
A外圆切割机
B圆切割机
C线切割
D带式切割机
8
硅存形式硅基太阳电池分（）
A晶硅太阳电池
B单晶硅太阳电池
C非晶硅太阳电池
D化合物太阳电池
9
影响铸造晶硅晶体生长素包括（）
A固液界面
B热应力
C坩埚污染等
D保护气氛
10
铸造晶硅制备方法（）
A布里奇曼法
B热交换法
C电磁铸锭法
D浇铸法
三判断题（10道试题20分）
1目前技术规模生产制造p型掺硼铸造晶硅掺镓p型铸造晶硅没问题
A错误
B正确
2
高纯石英坩埚相高纯石墨坩埚成更低更引入碳污染金属杂质污染
A错误
B正确
3硅锭坩埚壁接触底部四周晶粒较区域
A错误
B正确
4通常晶体生长速率越快生产效率越高温度梯度越终导致热应力越高热应力会导致高密度位错严重影响材料质量
A错误
B正确
5直流光电导衰退法测量少子寿命需接触硅片
A错误
B正确
6影响铸造晶硅晶体生长素晶粒尺寸固液界面热应力坩埚污染等
A错误
B正确
7晶硅锭中晶粒越细晶界越少
A错误
B正确
8浇铸法应前景铸造晶硅生产新技术
A错误
B正确
9热交换法铸锭炉底部需水冷
A错误
B正确
10纯净晶界具电活性会影响晶硅电学性
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
化学反应作应
（1）3Si+4HNO33SiO2↓+2H2O+4NO↑A硅表面致密保护膜
（2）SiO2+6HFH2[SiF6]+2H2OB碱腐蚀
（3）Si＋H2O+2NaOHNa2SiO3+2H2↑C酸腐蚀
（1）A
（2）C
（3）B
2
制备方法描述应
（1）布里曼法A坩埚需升降
（2）热交换法B固液界面较稳
（3）浇铸法C熔化结晶两坩埚中进行
（1）A
（2）B
（3）C
3
测试方法作应
（1）整流法A少子寿命
（2）四探针法B电阻率
（3）光电导衰退法C导电型号
（1）C
（2）B
（3）A
4
清洗时试剂作应
（1）机酸A镁铝铜银金氧化铝氧化镁二氧化硅等杂质
（2）机溶剂B难溶物质转化易溶物质
（3）氧化氢C相似相溶
（1）A
（2）C
（3）B
5
工艺耗应
（1）区熔单晶硅A8～15kWhKg
（2）直拉单晶硅B18～40kWhKg
（3）铸造晶硅C30kWhKg
（1）C
（2）B
（3）A
6
吸杂工艺描述应
（1）磷吸杂A磷硅玻璃中金属杂质
（2）铝吸杂B利溅射蒸发等技术制备薄层热处理合金化
（3）磷铝吸杂C杂效果佳
（1）A
（2）C
（3）B
7
硅片参数作应
（1）BOWA弯曲度
（2）TTVB整度种量度
（3）TIRC总厚度偏差
（1）A
（2）C
（3）B
8
种硅生产工艺特点应
（1）mcSiA生产成高
（2）czSiB硅料求般
（3）fzSiC转换效率般低
（1）C
（2）B
（3）A
9
硅中种元素影响应
（1）BA危害较
（2）OB钝化效果
（3）HC特意加入形成掺杂
（1）C
（2）A
（3）B
10
抛光工艺描述应
（1）机械抛光法A现代半导体工业中普遍应
（2）化学抛光法B采细磨料颗料
（3）化学－机械抛光法C硝酸氢氟酸混合腐蚀液
（1）B
（2）C
（3）A
04务
04务_0001
单项选择题（10道试题20分）
1
铜铟镓硒薄膜太阳电池高转换效率记录（）
A25
B101
C194
D167
2
二氧化钛种晶体结构中适合太阳电池（）
A金红石
B锐钛矿
C板钛矿
D差
3
非晶硅PIN结构P部分采（）形成
APH3加BH3
BSiH4加PH3
CSiH4加B2H6
DSiH4加BH3
4
非晶硅禁带宽度（）
A15eV定程度调
B112eV
C16eV
D212eV
5
关染料敏化太阳电池中纳米晶求错误（）
A高表面积量孔隙
B吸附染料
C晶粒越越
D限度电解质紧密接触
6
非晶硅太阳电池转换效率约（）
A5％
B20％
C15％
D10％
7
非晶硅薄膜厚度约（）
A数百微米
B数百纳米
C数十毫米
D数十微米
8
锐钛矿相二氧化钛晶体禁带宽度（）
A22eV
B28eV
C30eV
D32eV
9
太阳电池成（单位：美元W）低（）
A非晶硅薄膜
B晶硅
C铜铟镓硒
D微晶硅薄膜
10
铟储量国家（）
A中国
B日
C美国
D俄罗斯
二定项选择题（10道试题30分）
1
旋涂成膜存问题（）
A溶解性
B挥发性
C溶剂残留
D薄膜均匀性难保证
2
化学气相沉积直接制备晶硅薄膜方法（）
A等离子增强化学气相沉积
B低压化学气相沉积制备晶硅
C热丝化学气相沉积制备晶硅
D非晶硅晶化制备晶硅薄膜
3
辉光放电系统中IV特性曲线分（）阶段
A汤森放电
B正常放电
C异常放电
D电弧放电
4
孔纳米晶薄膜材料（）
ATiO2
BZnO
CSnO2
DAl2O3
5
常晶硅薄膜制备方法（）
A利化学气相沉积直接制备晶硅薄膜
B非晶硅晶化制备
C晶硅片切薄
D晶硅片进行热处理
6
关DA界面说法正确（）
A电离电势（IP）较材料称电子施相机半导体中N型材料
B具电子亲（EA）材料称作电子受相机半导体中P型材料
C类似机太阳电池中PN结
DDA界面处D型材料A型材料存级差
7
机太阳电池产生电流流程（）
A吸收光子
B产生激子
C电子空穴分离
D运输DA界面处
8
关光致衰减效应说法正确（）
A简称SW效应
B长期辐光电导暗电导时降导致光电转换效率降低
C150～200℃热处理恢复原状态
D铸造晶硅没光致衰减
9
染料敏化太阳电池基结构包括（）
A孔纳米晶薄膜
B染料敏化剂
C电解质
D电极
10
机太阳电池基结构模型（）
APIN结构
B单层异质结结构
C双层异质结结构
D单层混合膜异质结结构
三判断题（10道试题20分）
1
机太阳电池中电离电势（IP）较材料称电子施（Donor简称D型材料）相机半导体中P型材料
A错误
B正确
2
非晶硅太阳电池中存晶体硅太阳电池中样pn节结构
A错误
B正确
3
非晶硅太阳电池生产出转换效率会时间发生改变
A错误
B正确
4
高纯硅原料价格增加薄膜太阳电池成影响
A错误
B正确
5
苝衍生物种应较光敏剂A型材料450600nm波段具较强吸收光条件稳定性成低
A错误
B正确
6
单晶硅晶硅物理特性异性非晶硅物理特性异性
A错误
B正确
7
着非晶硅中氢含量增加隙宽度15eV增加18eV
A错误
B正确
8
150～200℃热处理SW效应效率降低非晶硅太阳电池恢复原状态
A错误
B正确
9
PECVD技术非晶硅薄膜太阳电池制备晶硅薄膜太阳电池制备
A错误
B正确
10
酞菁类化合物典型D型机半导体
A错误
B正确
四连线题（10道试题30分）
1
太阳电池特点应
（1）晶体硅A明显光致衰减
（2）非晶硅薄膜B蓄电池种金属元素
（3）碲化镉C块体
（1）C
（2）A
（3）B
2
太阳电池特点应
（1）机半导体薄膜A层状三明治叠层结构
（2）染料敏化太阳电池B光致衰减低成制备简单面积制备
（3）晶硅薄膜C良装饰效果
（1）A
（2）C
（3）B
3
太阳电池转换效率应
（1）单晶硅太阳电池A515
（2）非晶硅薄膜太阳电池B25
（3）机太阳电池C95
（1）B
（2）C
（3）A
4
太阳电池特点应
（1）非晶硅A吸收系数值
（2）孔纳米晶BPECVD
（3）铜铟镓硒C锐钛矿
（1）B
（2）C
（3）A
5
机半导体薄膜制备方法描述应
（1）旋转涂层法A机太阳电池具低成高生产率原
（2）机气相沉积法B机材料金属电极材料良接触界面减少界面处截流子流损耗提高转换效率
（3）丝网印刷技术C采设备匀胶机
（1）C
（2）B
（3）A
6
化学气相沉积直接制备晶硅薄膜方法描述应
（1）等离子增强化学气相沉积A薄膜生长速率高薄膜结构均匀致性高载流子迁移率高
（2）低压化学气相沉积B部含高密度微孪晶缺陷晶粒尺寸载流子迁移率够
（3）热丝化学气相沉积C采卤硅化合物（SiF4）者硅烷卤硅化合物混合气体
（1）C
（2）B
（3）A
7
太阳电池禁带宽度应
（1）非晶硅A15eV
（2）铜铟镓硒B104eV
（3）碲化镉C145eV
（1）A
（2）B
（3）C
8
机分子化合物描述应
（1）酞菁类化合物A耐热性非常400℃较稳定
（2）苝衍生物B足处较脆
（3）五苯C具高化学稳定性耐机溶剂性具强刚性
（1）A
（2）C
（3）B
9
PECVD充入气体形成半导体类型应
（1）SiH4A征
（2）SiH4加PH3Bn型
（3）SiH4加B2H6Cp型
（1）A
（2）B
（3）C
10
非晶硅晶化制备晶硅薄膜方法描述应
（1）固相晶化A晶粒尺寸严重影响晶硅性
（2）激光晶化B设备复杂生产成高难实现规模工业应
（3）快速热处理晶化C会引进金属杂质金属半导体硅电学性产生致命影响
（1）C
（2）B
（3）A
文档香网(httpswwwxiangdangnet)户传
《香当网》用户分享的内容，不代表《香当网》观点或立场，请自行判断内容的真实性和可靠性！
该内容是文档的文本内容，更好的格式请下载文档
