新电光伏检测分析形考作业务0104网考试题答案
100通
考试说明：光伏检测分析形考4务务1务4客观题务1务4需考试中次抽取试卷直出现01务_000102务_000103务_000104务_0001试卷该套试卷答案答题做考题时利文档中查找工具考题中关键字输查找工具查找容框迅速查找该题答案文库教学考体化答案敬请查
01务
01务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1 缓剂般（ ）
A 强酸强碱
B 弱酸弱碱
C 弱酸
D 弱碱
2 般认利金属半导体点接触整流原理测量导电类型方法适室温电阻率（ ）硅单晶
A 1000Ω•cm
B 1～1000Ω•cm
C 1000Ω•cm
D 皆
3 目前国外广泛采（ ）测量半导体硅单晶电阻率
A 两探针法
B 四探针法
C 扩展电阻法
D 范德堡法
4 冷热探笔法测量（ ）半导体时冷端带正电热端带负电
A P型
B N型
C PN型
D 皆
5 半导体器件厂定型号（ ）生产出需半导体元件
A 单晶
B 晶
C 非晶
D 皆
6 漩涡缺陷A缺陷B缺陷（ ）
A
B
C 样
D 未知
7 （ ）半导体中缺陷属线缺陷
A 空位
B 位错
C 层错
D 杂质沉淀
8 （ ）简单点缺陷
A 空位
B 填隙原子
C 络合体
D 外原子
9 三探针法属利半导体（ ）测量导电类型方法
A 温差电效应
B 整流效应
C 二种皆
D 二种皆
10 （ ）影响硅器件成品率重素影响器件性稳定性性重素
A 点缺陷
B 线缺陷
C 面缺陷
D 微缺陷
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
国外半导体硅单晶导电类型测量具体方法（ ）
A 冷热探笔法
B 三探针法
C 单探针点接触整流法
D 冷探笔法
2
半导体晶体缺陷中宏观缺陷（ ）
A 星形结构
B 杂质析出
C 系属结构
D
点缺陷
3
高频光电导衰退法优点（ ）
A 样品需切割成定形状
B 测量时必制作欧姆电极
C 样品较少受污染
D 应广泛
4
陷阱效应少数载流子寿命测量影响采（ ）
A 整样品加底光
B 加底光氙灯闪光进行射
C 硅单晶加热50～70℃
D 硅单晶加热60～80℃
5
半导体中非衡少子载流子寿命半导体器件（ ）直接影响
A 太阳电池光电转换效率
B 晶体放倍数
C 开关开关时间
D 太阳电池填充子
6
半导体硅常腐蚀剂（ ）
A Sirtl腐蚀液
B Dash腐蚀液
C Wright腐蚀液
D Shimmel腐蚀液
7
直流光电导衰退法缺点（ ）
A 样品形状尺寸求
B 求制备符合定求欧姆接触
C 测量限较高
D 仪器线路较复杂
8
高频光电导衰退法缺点（ ）
A 仪器线路较复杂
B 干扰较
C 测试方法较简单
D 电容耦合
9
半导体晶体缺陷中微观缺陷（ ）
A 点缺陷
B 位错
C 层错
D 杂质沉淀
10
稳态法测量非衡少数载流子寿命采方法（ ）
A 光电导衰退法
B 扩散长度法
C 光磁法
D 光脉法
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
漩涡缺陷A缺陷B缺陷数量少两数量级
A 错误
B 正确
2
半导体陷阱中心数量变化
A 错误
B 正确
3
硅单晶腐蚀液中P型硅电极电位N型硅高
A 错误
B 正确
4
冷热探笔法测量N型半导体时冷端带负电热端带正电
A 错误
B 正确
5
腐蚀液成分腐蚀速度影响
A 错误
B 正确
6
测量半导体硅单晶导电类型时通常表面进行喷砂处理进行研磨处理
A 错误
B 正确
7
冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时热探笔温度适40～50℃宜
A 错误
B 正确
8
腐蚀半导体电极电位低负极电极电位高正极正级腐蚀溶解
A 错误
B 正确
9
半导体体缺陷金相显微镜进行观察计数
A 错误
B 正确
10
半导体注入非衡载流子方面体杂质缺陷作复合中心方面表面级作复合中心
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
列电阻率测量电流范围应
（1）样品电阻率>1000 A样品电流＜1
（2）样品电阻率30～1000 B样品电流＜01
（3）样品电阻率1～30 C＜001
（1）C
（2）B
（3）A
2
列半导体硅常腐蚀剂液体试剂浓度应
（1）HCL A冰醋酸
（2）HAc B36
（3）H2O2 C30
（1）B
（2）A
（3）C
3
（1）A
（2）B
（3）C
4
列半导体晶体缺陷类型应
（1）宏观缺陷 A杂质沉淀
（2）微观缺陷 B星形结构
（3）表面机械损伤 C加工损伤
（1）B
（2）A
（3）C
5
列微观缺陷种类说法应
（1）空位 A晶格点阵原子热运动辐离开衡位置跑晶格空隙中晶体表面
（2）填隙原子 B占晶格空隙处余原子
（3）络合体 C空位杂质原子相结合形成复合体
（1）A
（2）B
（3）C
6
列硅腐蚀剂腐蚀时间应
（1）Shimmle腐蚀液 A10～15min
（2）Wright腐蚀液 B20 min
（3）Sirtl腐蚀液 C5min
（1）C
（2）B
（3）A
7
列电阻率测量电流范围应
（1）样品电阻率＜001 A样品电流＜100
（2）样品电阻率001～1 B样品电流＜10
（3）样品电阻率1～30 C＜1
（1）A
（2）B
（3）C
8
列硅腐蚀剂腐蚀时间应
（1）Sirtl腐蚀液 A10～15min
（2）Dash腐蚀液 B20 min
（3）Secco腐蚀液 C1～16h
（1）A
（2）B
（3）C
9
列电阻率测量方法电阻率值应答题框中填写答案应选项
（1）冷热探笔法 A104～104Ω•cm
（2）整流法 B1～1000Ω•cm
（3）两探针法 C1000Ω•cm
（1）冷热探笔法 C
（2）整流法 B
（3）两探针法 A
10
列半导体硅常腐蚀剂液体试剂浓度应
（1）HF A70
（2）HNO3 B49
（3）H2O2 C30
（1）B
（2）A
（3）C
02务
02务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1
样品制备中选择样品厚度原吸收峰处透射率（）
A 1070
B 1080
C 2070
D 2080
2
直拉单晶中氧含量头部尾部相（）
A 较高
B 相
C 较低
D 法判断
3
双光束光栅红外分光光度计测碳分辨率应（）
A
B
C
D
4
K系辐射线细分 辐射强度约（）
A 1：1
B 21
C 31
D 41
5
X射线剂量伦琴表示符号r根国际放射学会议规定普通安全剂量应周超（）r
A 02
B 03
C 04
D 05
6
晶面间距字母d表示项表达式立方晶系晶面间距（）
A
B
C
D
7
抛光时抛光液HF体积（）
A 11
B 12
C 14
D 16
8
红外线通样品时硅单晶反射率R（）
A 10
B 20
C 30
D 40
9
X射线医疗诊断方面广泛应赖（）
A 感光作
B 电离作
C 穿透性强
D 衍射作
10
参样品应含测杂质般求氧碳原子含量（）
A
B
C
D
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
抛光时样品表面（）求
A 划道
B 浅坑
C 氧化
D 沟道
2
（）选项需考虑晶体取影响
A 单晶材料制备
B 单晶片制备
C 器件制作
D 芯划片方
3
A
B
C
D
4
X射线衍射法精确度高受（）素影响
A X射线束发散性
B X射线束准直性
C 转角鼓轮读数轮刻度精度
D 天气温度
5
布喇格定律成立需满足（）条件
A
B 入射角等反射角
C 入射线反射线反射晶面法线面入射线衍射线处法线两侧
D
6
某样品受红外线射时会产生（）现象
A 反射
B 折射
C 吸收
D 透
7
硅单晶光点定测试中运仪器设备（）
A 光点定仪
B 光源
C 光屏
D X光
8
X射线（）性质
A 感光作
B 荧光作
C 电离作
D 衍射作
9
X射线定仪（）部分组成
A X射线发生部分
B X射线检测部分
C 样品台
D 转角测量部分
10
样品加工包括（）步骤
A 取样
B 研磨
C 抛光
D 连接电脑测试系统
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
X射线种电磁波见光相波长长
A 错误
B 正确
2
晶偏离度指晶体生长方偏离晶轴角度
A 错误
B 正确
3
激光射中子轰击等产生X射线
A 错误
B 正确
4
晶体定研究晶体种物理性质基础
A 错误
B 正确
5
测定硅中碳含量时必须差法
A 错误
B 正确
6
硅单晶中氧分布位形式存
A 错误
B 正确
7
氧碳硅晶体中呈螺旋纹状分布
A 错误
B 正确
8
硅单晶中掺杂杂质溶度相氧碳说相较低
A 错误
B 正确
9
较光面积较容易求光学晶面
A 错误
B 正确
10
晶体取表示方法中三条晶轴序左手螺旋定确定
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
（1）C
（2）B
（3）A
2
列利晶体外观判断晶体生长方关系应
(1) [111] A）二条轴称棱线
(2) [100] B）三条轴称棱线
(3) [110] C）四条轴称棱线
（1）B
（2）C
（3）A
3
（1）C
（2）A
（3）B
4
（1）C
（2）B
（3）A
5
晶胞参数关系立方晶体中某晶面晶相互垂直请应
(1)[100]晶 A）[111]晶面
(2)[111]晶 B）[100]晶面
(3)[110]晶 C）[110]晶面
（1）B
（2）A
（3）C
6
（1）A
（2）B
（3）C
7
X射线定仪构成部分应
（1）X射线发生部分 A）吸盘
（2）X射线检测部分 B）X射线
（3）样品台 C）盖革计数计数时率计
（1）B
（2）C
（3）A
8
（1）B
（2）A
（3）C
9
（1）A
（2）B
（3）C
10
（1）B
（2）C
（3）A
03务
03务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1
反渗透装置超纯水治水系统中提纯（ ）部分
A 预脱盐
B 清洗
C 软化
D 维护
2
超纯水制水处理系统生部分选择（ ）水泵
A 高压
B 低压
C 耐酸碱ABS水泵
D 未知
3
离子交换树脂种高分子化合物（ ）活性基团两部分组成
A 树脂骨架
B 阴树脂
C 阳树脂
D 碱性树脂
4
三氯氢硅中痕量杂质分析采蒸发法微量高纯水SiHCL3作产生少量（ ）水解物痕量杂质元素吸附作
A SiO2
B SiH
C HCL
D Si
5
RO反渗透技术利（ ）动力膜分离滤技术
A 吸附力
B 离子交换
C 电力
D 压力差
6
全动软化滤器设计滤体材质选（ ）
A 炭钢
B 玻璃
C 钢铁
D FRP增强玻璃钢衬PE
7
三氯氢硅中痕量杂质分析试剂盐酸优级纯（ ）提纯两次
A 机玻璃蒸发器
B 石英亚沸蒸馏器
C 聚四氟乙烯
D 聚乙烯蒸馏器
8
露点法测定气体中水分职业中岗位存危险源（ ）
A 液氮低温冻伤
B 潜氢气泄露引起爆炸
C 温度高
D 没明显危险源
9
A 1
B 2
C 5
D 3
10
放射线位素量越放出射线强度（ ）
A 越
B 变
C 越
D 机变化
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
动软化系统出现述情况（ ）必须进行化学清洗
A 装置纯水量初期投运时次清洗降低510
B 装置单次浓缩初期投运时次清洗降低1020时
C 装置段压力差值初期投运时次清洗12倍
D 装置需长期停运时保护溶液保护前
2
X射线形貌技术试验方法（ ）
A 透射形貌法
B 反射形貌法
C 异常透射法
D 双晶光谱仪法
3
列三项天然水三杂质（ ）
A 悬浮物质
B 挥发物质
C 胶体物质
D 溶解物质
4
高纯水检测时测量方法（ ）
A 静置测量法
B 反渗透测量法
C 蒸发测量法
D 流动测量法
5
纯水制备系统运行控制注意事项表述错误（ ）
A 软化器工作时动启动原水增压泵高压泵处停止状态
B 时反渗透系统脓水调节阀进水调节阀完全关闭
C 离子交换床工作时侯混床进水压力160Pa
D 设备第次时 制纯水应少排放1h收集
6
RO系统清洗条件（ ）
A 装置纯水量初期投运时次清洗降低5—10时
B 装置单次浓缩初期投运时次清洗降低10—20时
C 装置段压力差值初期投运时次清洗1—2倍
D 装置需长期停运时保护溶液保护前
7
影响树脂生素（ ）
A 生剂类型强度浓度流速酸碱液离子交换树脂接触时间等
B 终点PH值
C 离子交换树脂分离反洗效果混合程度清洁卫生等
D 杂质量少
8
三氯氢硅中硼分析试剂表述错误（ ）
A
B 氢氟酸 优级纯氢氟酸制聚乙烯蒸馏器蒸馏次分析合格备
C 5甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中
D 直径6mm光谱纯（B）石墨电极
9
露点法测定气体中水分程控制表述正确（ ）
A 金属导测气体导入露点瓶出口气体石蜡液封瓶放空测定前赶气1h
B 测定时封底铜加入制冷剂插入直80℃低温温度计心搅拌温度降注意观察喷口铜表面出现露斑读出温度值测露点温度
C 测定流速控制250—300mlmin
D 通常测34℃气体观察霜点根实验测霜点露点相应温度差约4℃
10
中子活化分析特点（ ）
A 灵敏度高
B 分析速度快精度高
C 非破坏性分析
D 易沾污受试剂空白影响
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
混床交换生处理时阴离子交换树脂阳离子交换树脂充分混合
A 错误
B 正确
2
色谱法基原理基时间差进行分离
A 错误
B 正确
3
氢离子氢氧根离子完全结合成水阴阳树脂必须交换出等量离子
A 错误
B 正确
4
三氯氢硅中痕量杂质分析采化学药剂提纯法
A 错误
B 正确
5
制取高纯水时般采强碱型阴离子交换树脂
A 错误
B 正确
6
硅单晶中线度104cm缺陷称微陷
A 错误
B 正确
7
新树脂前应进行预处理：膨胀处理变形处理
A 错误
B 正确
8
活性炭滤器作反渗透装置前处理受身进水温度PH值机混合物影响
A 错误
B 正确
9
介质滤器处运行时活性炭滤器进行日常维护
A 错误
B 正确
10
露点法检测气体中水分通常测34℃气体观察露点
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
列天然水中杂质三部分情况应
（1）悬浮物质 A溶胶硅胶铁铝
（2）胶体物质 B 细菌泥沙黏土等容物质
（3）溶解物质 C Ca MgNaFeMn酸式碳酸盐
（1）B
（2）A
（3）C
2
列RO膜污染原适应药液应
（1）碳酸盐结垢 A15EDTA溶液
（2）机物污染硫酸盐结构 B1富尔马林溶液
（3）细菌污染 C3柠檬酸溶液
（1）C
（2）A
（3）B
3
列离子交换树脂类型变型化学试剂量浓度应
（1）强酸型离子交换树脂 A510盐酸溶液3000ml
（2）强碱型离子交换树脂 B 510氢氧化钠溶液2500ml
（3）干树脂 C45Nacl溶液浸泡
（1）B
（2）A
（3）C
4
列质谱分析造成误差较高素原应
（1）杂质均匀 A元素身性质样品中元素选择离子源火花条件关
（2）元素电离效率 B质谱分析次消耗少量样品代表整样品杂质含量
（3）谱线黑度 C受素离子质量影响
（1）B
（2）A
（3）C
5
列介质滤器工作原理容应
（1）反洗 A原水泵停止阀门关闭介质然沉沙层排列整
（2）静止 B原水进口进入控制阀阀芯部阀体顶部进入罐体
（3）正洗 C水底部进入石英砂滤层部排
（1）C
（2）A
（3）B
6列混床生中操作步骤应
（1）逆洗分层 A生剂5NaOH量树脂体积35倍口进入控制定流速维持液面流通
（2）强碱性阴离子交换树脂生 B水底部进入口排出树脂均匀松弛蓬松开加水流速出树脂原 洗出水清高度
（3）强酸性阳离子交换树脂生 C生剂5盐酸酸量阳离子交换树脂体积23倍
（1）B
（2）A
（3）C
7
（1）A
（2）C
（3）B
8
（1）B
（2）A
（3）C
9
列露点法测定气体中水分时职业健康安全进行控制应
（1）危险源 A意氢气引出室外
（2）分析氢气露点时气赶走气 B液氮低温冻伤
（3）酒精放置 C放阴凉方
（1）B
（2）A
（3）C
10
列动软化系统工艺程应
（1）反洗 A生盐液定浓度流量流失效树脂层恢复原交换力
（2）生吸盐+慢洗 B生剂箱中注入溶液生次需盐量水
（3）生剂箱注水 C树脂失效进行生前先水流出
（1）C
（2）A
（3）B
04务
04务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1
列项天然水三杂质（ ）
A 悬浮物质
B 挥发物质
C 胶体物质
D 溶解物质
2
气相色谱法测定干法H2组分岗位存环境素（ ）
A 液氮低温冻伤
B 潜氢气泄露引起爆炸
C 温度高
D 没明显危险源
3
露点法测定气体中水分设备环境求保持工作环境高纯卫生温度440度相湿度（ ）现场整洁腐蚀性气体电路火种
A 90
B 85
C 95
D 92
4
RO反渗透技术利（ ）动力膜分离滤技术
A 吸附力
B 离子交换
C 电力
D 压力差
5
通常水分纯水（ ）
A 超纯水
B 蒸馏水
C 高氧水
D 海水
6
离子交换树脂种高分子化合物树脂骨架（ ）两部分组成
A 活性基团
B 阳树脂
C 阴树脂
D 氢氧根离子
7
三氯氢硅中痕量杂质分析采蒸发法微量高纯水SiHCL3作产生少量（ ）水解物痕量杂质元素吸附作
A SiO2
B SiH
C HCL
D Si
8
纯水制备系统混床生反洗目（ ）
A 阴阳离子交换树脂更紧密
B 阴阳离子交换树脂分层
C 杂质
D 目
9
项三氯氢硅中痕量磷气象色谱测定步骤中温度680度石英石催化作样品含磷杂质分氢原产物（ ）
A 混合氯代硅烷
B 氯化氢
C 磷化氢
D 水
10
制取高纯水时般采（ ）交换树脂（ ）交换树脂
A 强酸型阳离子 强碱型阴离子
B 强碱型阴离子 强酸型阳离子
C 强酸型阳离子 强酸型阴离子
D 强碱型阳离子 强碱型阳离子
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
RO系统清洗程中RO膜污染原药剂搭配错误（ ）
A 碳酸盐结垢3柠檬酸溶液
B 机物污染硫酸盐垢15EDTA溶液
C 细菌污染3柠檬酸溶液
D 碳酸盐结垢1富尔马林溶液
2
混床生具体操作步骤正确（ ）
A 逆洗水底部进入口排出树脂均匀松弛膨胀开加水流速出树脂原
B 强碱性阴离子交换树脂生剂20NAOH量树脂体积35倍
C 清洗阴离子交换树脂碱液琳完淋洗附阴离子交换树脂碱液
D 强酸性阳离子交换树脂生剂5盐酸酸量阳离子交换树脂体积23倍
3
DUI 纯水制备系统中介质滤器注意事项叙述错误（ ）
A 原水箱回流阀完全关闭保护原水泵
B 日常维护程中次反洗时先压缩空气滤料充分松动控制阀旋应位置开启原水增压泵
C 石英砂滤材般3—5年更换添加
D 周检测次沙虑出水SDI值SDI5问题
4
离子交换法制备纯水时新树脂预处理方式（ ）
A 膨胀处理
B 混合处理
C 变形处理
D 稀释处理
5
动软化系统注意事项述叙述正确（ ）
A 逆洗时进口水压维持051bar利洗
B 果进水太快罐中介质会损失缓慢进水时应听空气慢慢排水排出声音
C 石英砂滤器控制阀活性炭滤器控制阀均运行位置时软化滤器进行设备日常维护
D 果整套设备连续供水确定天水量功控制阀设动状态
6
混床生中两种树脂充分混合方法（ ）
A 然混合法
B 真空泵进行混合口抽气开口阀门进气空气搅动阴阳离子交换树脂达充分混合目
C 加入混合剂混合
D 压缩空气底部进入口排
7
高纯水检测时测量方法（ ）
A 静置测量法
B 反渗透测量法
C 蒸发测量法
D 流动测量法
8
X射线形貌技术试验方法（ ）
A 透射形貌法
B 反射形貌法
C 异常透射法
D 双晶光谱仪法
9
列三项天然水三杂质（ ）
A 悬浮物质
B 挥发物质
C 胶体物质
D 溶解物质
10
动软化系统反洗目（ ）
A 通反洗试运行中压紧树脂层松动利树脂颗粒生液充分接触
B 树脂表面积累悬浮物碎树脂反洗水排出交换器水流阻力会越越
C 清树脂层中残留生废液
D 提高软化效果
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
氢离子氢氧根离子完全结合成水阴阳树脂必须交换出等量离子
A 错误
B 正确
2
介质滤器处运行时活性炭滤器进行日常维护
A 错误
B 正确
3
硅单晶中线度104cm缺陷称微陷
A 错误
B 正确
4
三氯氢硅中硼分析采蒸发法
A 错误
B 正确
5
RO系统清洗程应密切注意清洗液温度升超35℃
A 错误
B 正确
6
气相色谱法测定干法H2组成存环境素潜液氮低温冻伤
A 错误
B 正确
7
制取高纯水时般采强酸型阳离子交换树脂
A 错误
B 正确
8
露点法检测气体存危险氢气泄露引起燃烧核爆炸
A 错误
B 正确
9
离子交换法制备纯水阴树脂高纯水
A 错误
B 正确
10
纯水制备系统反渗透系统浓水调节阀进水调节阀完全关闭
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
列活性炭滤器工作原理应
（1）反洗 A穿滤料层布水器收集返回中心
（2）运行 B原水进水口进入控制阀阀芯部阀体顶部进入罐体
（3）正洗 C水底部进入活性炭滤层部排出
（1）C
（2）B
（3）A
2
列离子交换树脂类型变型化学试剂量浓度应
（1）强酸型离子交换树脂 A510盐酸溶液3000ml
（2）强碱型离子交换树脂 B 510氢氧化钠溶液2500ml
（3）干树脂 C45Nacl溶液浸泡
（1）B
（2）A
（3）C
3
列RO膜污染原适应药液应
（1）碳酸盐结垢 A15EDTA溶液
（2）机物污染硫酸盐结构 B1富尔马林溶液
（3）细菌污染 C3柠檬酸溶液
（1）C
（2）A
（3）B
4
（1）A
（2）B
（3）C
5
列混床树脂生步骤容应
（1）逆流分层 A入酸口610盐酸溶液流入柱严格控制流阳离子交换树脂层流速051h流完
（2）碱液生阴离子交换树脂 B树脂进行短时间强烈反阴阳离子交换树脂充分分层
（3）酸液生阴离子交换树脂 C入碱口入水口23倍阴离子交换树脂体积46NaOH溶液注入柱控制流速1530min流完
（1）B
（2）C
（3）A
6
列混床生中操作步骤应
（1）逆洗分层 A生剂5NaOH量树脂体积35倍口进入控制定流速维持液面流通
（2）强碱性阴离子交换树脂生 B水底部进入口排出树脂均匀松弛蓬松开加水流速出树脂原 洗出水清高度
（3）强酸性阳离子交换树脂生 C生剂5盐酸酸量阳离子交换树脂体积23倍
（1）B
（2）A
（3）C
7
（1）B
（2）A
（3）C
8
列质谱分析造成误差较高素原应
（1）杂质均匀 A元素身性质样品中元素选择离子源火花条件关
（2）元素电离效率 B质谱分析次消耗少量样品代表整样品杂质含量
（3）谱线黑度 C受素离子质量影响
（1）B
（2）A
（3）C
9
列天然水中杂质三部分情况应
（1）悬浮物质 A溶胶硅胶铁铝
（2）胶体物质 B 细菌泥沙黏土等容物质
（3）溶解物质 C Ca MgNaFeMn酸式碳酸盐
（1）B
（2）A
（3）C
10
列分析项目分析方法应
（1）三氯氢硅中硼分析 A基时间差进行分离
（2）三氯氢硅中痕量磷气相色谱测定 B然挥发法
（3）X射线形貌技术 C异常透射法
（1）B
（2）A
（3）C
文档香网(httpswwwxiangdangnet)户传
《香当网》用户分享的内容，不代表《香当网》观点或立场，请自行判断内容的真实性和可靠性！
该内容是文档的文本内容，更好的格式请下载文档
100通
考试说明：光伏检测分析形考4务务1务4客观题务1务4需考试中次抽取试卷直出现01务_000102务_000103务_000104务_0001试卷该套试卷答案答题做考题时利文档中查找工具考题中关键字输查找工具查找容框迅速查找该题答案文库教学考体化答案敬请查
01务
01务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1 缓剂般（ ）
A 强酸强碱
B 弱酸弱碱
C 弱酸
D 弱碱
2 般认利金属半导体点接触整流原理测量导电类型方法适室温电阻率（ ）硅单晶
A 1000Ω•cm
B 1～1000Ω•cm
C 1000Ω•cm
D 皆
3 目前国外广泛采（ ）测量半导体硅单晶电阻率
A 两探针法
B 四探针法
C 扩展电阻法
D 范德堡法
4 冷热探笔法测量（ ）半导体时冷端带正电热端带负电
A P型
B N型
C PN型
D 皆
5 半导体器件厂定型号（ ）生产出需半导体元件
A 单晶
B 晶
C 非晶
D 皆
6 漩涡缺陷A缺陷B缺陷（ ）
A
B
C 样
D 未知
7 （ ）半导体中缺陷属线缺陷
A 空位
B 位错
C 层错
D 杂质沉淀
8 （ ）简单点缺陷
A 空位
B 填隙原子
C 络合体
D 外原子
9 三探针法属利半导体（ ）测量导电类型方法
A 温差电效应
B 整流效应
C 二种皆
D 二种皆
10 （ ）影响硅器件成品率重素影响器件性稳定性性重素
A 点缺陷
B 线缺陷
C 面缺陷
D 微缺陷
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
国外半导体硅单晶导电类型测量具体方法（ ）
A 冷热探笔法
B 三探针法
C 单探针点接触整流法
D 冷探笔法
2
半导体晶体缺陷中宏观缺陷（ ）
A 星形结构
B 杂质析出
C 系属结构
D
点缺陷
3
高频光电导衰退法优点（ ）
A 样品需切割成定形状
B 测量时必制作欧姆电极
C 样品较少受污染
D 应广泛
4
陷阱效应少数载流子寿命测量影响采（ ）
A 整样品加底光
B 加底光氙灯闪光进行射
C 硅单晶加热50～70℃
D 硅单晶加热60～80℃
5
半导体中非衡少子载流子寿命半导体器件（ ）直接影响
A 太阳电池光电转换效率
B 晶体放倍数
C 开关开关时间
D 太阳电池填充子
6
半导体硅常腐蚀剂（ ）
A Sirtl腐蚀液
B Dash腐蚀液
C Wright腐蚀液
D Shimmel腐蚀液
7
直流光电导衰退法缺点（ ）
A 样品形状尺寸求
B 求制备符合定求欧姆接触
C 测量限较高
D 仪器线路较复杂
8
高频光电导衰退法缺点（ ）
A 仪器线路较复杂
B 干扰较
C 测试方法较简单
D 电容耦合
9
半导体晶体缺陷中微观缺陷（ ）
A 点缺陷
B 位错
C 层错
D 杂质沉淀
10
稳态法测量非衡少数载流子寿命采方法（ ）
A 光电导衰退法
B 扩散长度法
C 光磁法
D 光脉法
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
漩涡缺陷A缺陷B缺陷数量少两数量级
A 错误
B 正确
2
半导体陷阱中心数量变化
A 错误
B 正确
3
硅单晶腐蚀液中P型硅电极电位N型硅高
A 错误
B 正确
4
冷热探笔法测量N型半导体时冷端带负电热端带正电
A 错误
B 正确
5
腐蚀液成分腐蚀速度影响
A 错误
B 正确
6
测量半导体硅单晶导电类型时通常表面进行喷砂处理进行研磨处理
A 错误
B 正确
7
冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时热探笔温度适40～50℃宜
A 错误
B 正确
8
腐蚀半导体电极电位低负极电极电位高正极正级腐蚀溶解
A 错误
B 正确
9
半导体体缺陷金相显微镜进行观察计数
A 错误
B 正确
10
半导体注入非衡载流子方面体杂质缺陷作复合中心方面表面级作复合中心
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
列电阻率测量电流范围应
（1）样品电阻率>1000 A样品电流＜1
（2）样品电阻率30～1000 B样品电流＜01
（3）样品电阻率1～30 C＜001
（1）C
（2）B
（3）A
2
列半导体硅常腐蚀剂液体试剂浓度应
（1）HCL A冰醋酸
（2）HAc B36
（3）H2O2 C30
（1）B
（2）A
（3）C
3
（1）A
（2）B
（3）C
4
列半导体晶体缺陷类型应
（1）宏观缺陷 A杂质沉淀
（2）微观缺陷 B星形结构
（3）表面机械损伤 C加工损伤
（1）B
（2）A
（3）C
5
列微观缺陷种类说法应
（1）空位 A晶格点阵原子热运动辐离开衡位置跑晶格空隙中晶体表面
（2）填隙原子 B占晶格空隙处余原子
（3）络合体 C空位杂质原子相结合形成复合体
（1）A
（2）B
（3）C
6
列硅腐蚀剂腐蚀时间应
（1）Shimmle腐蚀液 A10～15min
（2）Wright腐蚀液 B20 min
（3）Sirtl腐蚀液 C5min
（1）C
（2）B
（3）A
7
列电阻率测量电流范围应
（1）样品电阻率＜001 A样品电流＜100
（2）样品电阻率001～1 B样品电流＜10
（3）样品电阻率1～30 C＜1
（1）A
（2）B
（3）C
8
列硅腐蚀剂腐蚀时间应
（1）Sirtl腐蚀液 A10～15min
（2）Dash腐蚀液 B20 min
（3）Secco腐蚀液 C1～16h
（1）A
（2）B
（3）C
9
列电阻率测量方法电阻率值应答题框中填写答案应选项
（1）冷热探笔法 A104～104Ω•cm
（2）整流法 B1～1000Ω•cm
（3）两探针法 C1000Ω•cm
（1）冷热探笔法 C
（2）整流法 B
（3）两探针法 A
10
列半导体硅常腐蚀剂液体试剂浓度应
（1）HF A70
（2）HNO3 B49
（3）H2O2 C30
（1）B
（2）A
（3）C
02务
02务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1
样品制备中选择样品厚度原吸收峰处透射率（）
A 1070
B 1080
C 2070
D 2080
2
直拉单晶中氧含量头部尾部相（）
A 较高
B 相
C 较低
D 法判断
3
双光束光栅红外分光光度计测碳分辨率应（）
A
B
C
D
4
K系辐射线细分 辐射强度约（）
A 1：1
B 21
C 31
D 41
5
X射线剂量伦琴表示符号r根国际放射学会议规定普通安全剂量应周超（）r
A 02
B 03
C 04
D 05
6
晶面间距字母d表示项表达式立方晶系晶面间距（）
A
B
C
D
7
抛光时抛光液HF体积（）
A 11
B 12
C 14
D 16
8
红外线通样品时硅单晶反射率R（）
A 10
B 20
C 30
D 40
9
X射线医疗诊断方面广泛应赖（）
A 感光作
B 电离作
C 穿透性强
D 衍射作
10
参样品应含测杂质般求氧碳原子含量（）
A
B
C
D
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
抛光时样品表面（）求
A 划道
B 浅坑
C 氧化
D 沟道
2
（）选项需考虑晶体取影响
A 单晶材料制备
B 单晶片制备
C 器件制作
D 芯划片方
3
A
B
C
D
4
X射线衍射法精确度高受（）素影响
A X射线束发散性
B X射线束准直性
C 转角鼓轮读数轮刻度精度
D 天气温度
5
布喇格定律成立需满足（）条件
A
B 入射角等反射角
C 入射线反射线反射晶面法线面入射线衍射线处法线两侧
D
6
某样品受红外线射时会产生（）现象
A 反射
B 折射
C 吸收
D 透
7
硅单晶光点定测试中运仪器设备（）
A 光点定仪
B 光源
C 光屏
D X光
8
X射线（）性质
A 感光作
B 荧光作
C 电离作
D 衍射作
9
X射线定仪（）部分组成
A X射线发生部分
B X射线检测部分
C 样品台
D 转角测量部分
10
样品加工包括（）步骤
A 取样
B 研磨
C 抛光
D 连接电脑测试系统
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
X射线种电磁波见光相波长长
A 错误
B 正确
2
晶偏离度指晶体生长方偏离晶轴角度
A 错误
B 正确
3
激光射中子轰击等产生X射线
A 错误
B 正确
4
晶体定研究晶体种物理性质基础
A 错误
B 正确
5
测定硅中碳含量时必须差法
A 错误
B 正确
6
硅单晶中氧分布位形式存
A 错误
B 正确
7
氧碳硅晶体中呈螺旋纹状分布
A 错误
B 正确
8
硅单晶中掺杂杂质溶度相氧碳说相较低
A 错误
B 正确
9
较光面积较容易求光学晶面
A 错误
B 正确
10
晶体取表示方法中三条晶轴序左手螺旋定确定
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
（1）C
（2）B
（3）A
2
列利晶体外观判断晶体生长方关系应
(1) [111] A）二条轴称棱线
(2) [100] B）三条轴称棱线
(3) [110] C）四条轴称棱线
（1）B
（2）C
（3）A
3
（1）C
（2）A
（3）B
4
（1）C
（2）B
（3）A
5
晶胞参数关系立方晶体中某晶面晶相互垂直请应
(1)[100]晶 A）[111]晶面
(2)[111]晶 B）[100]晶面
(3)[110]晶 C）[110]晶面
（1）B
（2）A
（3）C
6
（1）A
（2）B
（3）C
7
X射线定仪构成部分应
（1）X射线发生部分 A）吸盘
（2）X射线检测部分 B）X射线
（3）样品台 C）盖革计数计数时率计
（1）B
（2）C
（3）A
8
（1）B
（2）A
（3）C
9
（1）A
（2）B
（3）C
10
（1）B
（2）C
（3）A
03务
03务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1
反渗透装置超纯水治水系统中提纯（ ）部分
A 预脱盐
B 清洗
C 软化
D 维护
2
超纯水制水处理系统生部分选择（ ）水泵
A 高压
B 低压
C 耐酸碱ABS水泵
D 未知
3
离子交换树脂种高分子化合物（ ）活性基团两部分组成
A 树脂骨架
B 阴树脂
C 阳树脂
D 碱性树脂
4
三氯氢硅中痕量杂质分析采蒸发法微量高纯水SiHCL3作产生少量（ ）水解物痕量杂质元素吸附作
A SiO2
B SiH
C HCL
D Si
5
RO反渗透技术利（ ）动力膜分离滤技术
A 吸附力
B 离子交换
C 电力
D 压力差
6
全动软化滤器设计滤体材质选（ ）
A 炭钢
B 玻璃
C 钢铁
D FRP增强玻璃钢衬PE
7
三氯氢硅中痕量杂质分析试剂盐酸优级纯（ ）提纯两次
A 机玻璃蒸发器
B 石英亚沸蒸馏器
C 聚四氟乙烯
D 聚乙烯蒸馏器
8
露点法测定气体中水分职业中岗位存危险源（ ）
A 液氮低温冻伤
B 潜氢气泄露引起爆炸
C 温度高
D 没明显危险源
9
A 1
B 2
C 5
D 3
10
放射线位素量越放出射线强度（ ）
A 越
B 变
C 越
D 机变化
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
动软化系统出现述情况（ ）必须进行化学清洗
A 装置纯水量初期投运时次清洗降低510
B 装置单次浓缩初期投运时次清洗降低1020时
C 装置段压力差值初期投运时次清洗12倍
D 装置需长期停运时保护溶液保护前
2
X射线形貌技术试验方法（ ）
A 透射形貌法
B 反射形貌法
C 异常透射法
D 双晶光谱仪法
3
列三项天然水三杂质（ ）
A 悬浮物质
B 挥发物质
C 胶体物质
D 溶解物质
4
高纯水检测时测量方法（ ）
A 静置测量法
B 反渗透测量法
C 蒸发测量法
D 流动测量法
5
纯水制备系统运行控制注意事项表述错误（ ）
A 软化器工作时动启动原水增压泵高压泵处停止状态
B 时反渗透系统脓水调节阀进水调节阀完全关闭
C 离子交换床工作时侯混床进水压力160Pa
D 设备第次时 制纯水应少排放1h收集
6
RO系统清洗条件（ ）
A 装置纯水量初期投运时次清洗降低5—10时
B 装置单次浓缩初期投运时次清洗降低10—20时
C 装置段压力差值初期投运时次清洗1—2倍
D 装置需长期停运时保护溶液保护前
7
影响树脂生素（ ）
A 生剂类型强度浓度流速酸碱液离子交换树脂接触时间等
B 终点PH值
C 离子交换树脂分离反洗效果混合程度清洁卫生等
D 杂质量少
8
三氯氢硅中硼分析试剂表述错误（ ）
A
B 氢氟酸 优级纯氢氟酸制聚乙烯蒸馏器蒸馏次分析合格备
C 5甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中
D 直径6mm光谱纯（B）石墨电极
9
露点法测定气体中水分程控制表述正确（ ）
A 金属导测气体导入露点瓶出口气体石蜡液封瓶放空测定前赶气1h
B 测定时封底铜加入制冷剂插入直80℃低温温度计心搅拌温度降注意观察喷口铜表面出现露斑读出温度值测露点温度
C 测定流速控制250—300mlmin
D 通常测34℃气体观察霜点根实验测霜点露点相应温度差约4℃
10
中子活化分析特点（ ）
A 灵敏度高
B 分析速度快精度高
C 非破坏性分析
D 易沾污受试剂空白影响
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
混床交换生处理时阴离子交换树脂阳离子交换树脂充分混合
A 错误
B 正确
2
色谱法基原理基时间差进行分离
A 错误
B 正确
3
氢离子氢氧根离子完全结合成水阴阳树脂必须交换出等量离子
A 错误
B 正确
4
三氯氢硅中痕量杂质分析采化学药剂提纯法
A 错误
B 正确
5
制取高纯水时般采强碱型阴离子交换树脂
A 错误
B 正确
6
硅单晶中线度104cm缺陷称微陷
A 错误
B 正确
7
新树脂前应进行预处理：膨胀处理变形处理
A 错误
B 正确
8
活性炭滤器作反渗透装置前处理受身进水温度PH值机混合物影响
A 错误
B 正确
9
介质滤器处运行时活性炭滤器进行日常维护
A 错误
B 正确
10
露点法检测气体中水分通常测34℃气体观察露点
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
列天然水中杂质三部分情况应
（1）悬浮物质 A溶胶硅胶铁铝
（2）胶体物质 B 细菌泥沙黏土等容物质
（3）溶解物质 C Ca MgNaFeMn酸式碳酸盐
（1）B
（2）A
（3）C
2
列RO膜污染原适应药液应
（1）碳酸盐结垢 A15EDTA溶液
（2）机物污染硫酸盐结构 B1富尔马林溶液
（3）细菌污染 C3柠檬酸溶液
（1）C
（2）A
（3）B
3
列离子交换树脂类型变型化学试剂量浓度应
（1）强酸型离子交换树脂 A510盐酸溶液3000ml
（2）强碱型离子交换树脂 B 510氢氧化钠溶液2500ml
（3）干树脂 C45Nacl溶液浸泡
（1）B
（2）A
（3）C
4
列质谱分析造成误差较高素原应
（1）杂质均匀 A元素身性质样品中元素选择离子源火花条件关
（2）元素电离效率 B质谱分析次消耗少量样品代表整样品杂质含量
（3）谱线黑度 C受素离子质量影响
（1）B
（2）A
（3）C
5
列介质滤器工作原理容应
（1）反洗 A原水泵停止阀门关闭介质然沉沙层排列整
（2）静止 B原水进口进入控制阀阀芯部阀体顶部进入罐体
（3）正洗 C水底部进入石英砂滤层部排
（1）C
（2）A
（3）B
6列混床生中操作步骤应
（1）逆洗分层 A生剂5NaOH量树脂体积35倍口进入控制定流速维持液面流通
（2）强碱性阴离子交换树脂生 B水底部进入口排出树脂均匀松弛蓬松开加水流速出树脂原 洗出水清高度
（3）强酸性阳离子交换树脂生 C生剂5盐酸酸量阳离子交换树脂体积23倍
（1）B
（2）A
（3）C
7
（1）A
（2）C
（3）B
8
（1）B
（2）A
（3）C
9
列露点法测定气体中水分时职业健康安全进行控制应
（1）危险源 A意氢气引出室外
（2）分析氢气露点时气赶走气 B液氮低温冻伤
（3）酒精放置 C放阴凉方
（1）B
（2）A
（3）C
10
列动软化系统工艺程应
（1）反洗 A生盐液定浓度流量流失效树脂层恢复原交换力
（2）生吸盐+慢洗 B生剂箱中注入溶液生次需盐量水
（3）生剂箱注水 C树脂失效进行生前先水流出
（1）C
（2）A
（3）B
04务
04务_0001
单项选择题（ 10 道试题 20 分）
1
列项天然水三杂质（ ）
A 悬浮物质
B 挥发物质
C 胶体物质
D 溶解物质
2
气相色谱法测定干法H2组分岗位存环境素（ ）
A 液氮低温冻伤
B 潜氢气泄露引起爆炸
C 温度高
D 没明显危险源
3
露点法测定气体中水分设备环境求保持工作环境高纯卫生温度440度相湿度（ ）现场整洁腐蚀性气体电路火种
A 90
B 85
C 95
D 92
4
RO反渗透技术利（ ）动力膜分离滤技术
A 吸附力
B 离子交换
C 电力
D 压力差
5
通常水分纯水（ ）
A 超纯水
B 蒸馏水
C 高氧水
D 海水
6
离子交换树脂种高分子化合物树脂骨架（ ）两部分组成
A 活性基团
B 阳树脂
C 阴树脂
D 氢氧根离子
7
三氯氢硅中痕量杂质分析采蒸发法微量高纯水SiHCL3作产生少量（ ）水解物痕量杂质元素吸附作
A SiO2
B SiH
C HCL
D Si
8
纯水制备系统混床生反洗目（ ）
A 阴阳离子交换树脂更紧密
B 阴阳离子交换树脂分层
C 杂质
D 目
9
项三氯氢硅中痕量磷气象色谱测定步骤中温度680度石英石催化作样品含磷杂质分氢原产物（ ）
A 混合氯代硅烷
B 氯化氢
C 磷化氢
D 水
10
制取高纯水时般采（ ）交换树脂（ ）交换树脂
A 强酸型阳离子 强碱型阴离子
B 强碱型阴离子 强酸型阳离子
C 强酸型阳离子 强酸型阴离子
D 强碱型阳离子 强碱型阳离子
二项选择题（ 10 道试题 30 分）
1
RO系统清洗程中RO膜污染原药剂搭配错误（ ）
A 碳酸盐结垢3柠檬酸溶液
B 机物污染硫酸盐垢15EDTA溶液
C 细菌污染3柠檬酸溶液
D 碳酸盐结垢1富尔马林溶液
2
混床生具体操作步骤正确（ ）
A 逆洗水底部进入口排出树脂均匀松弛膨胀开加水流速出树脂原
B 强碱性阴离子交换树脂生剂20NAOH量树脂体积35倍
C 清洗阴离子交换树脂碱液琳完淋洗附阴离子交换树脂碱液
D 强酸性阳离子交换树脂生剂5盐酸酸量阳离子交换树脂体积23倍
3
DUI 纯水制备系统中介质滤器注意事项叙述错误（ ）
A 原水箱回流阀完全关闭保护原水泵
B 日常维护程中次反洗时先压缩空气滤料充分松动控制阀旋应位置开启原水增压泵
C 石英砂滤材般3—5年更换添加
D 周检测次沙虑出水SDI值SDI5问题
4
离子交换法制备纯水时新树脂预处理方式（ ）
A 膨胀处理
B 混合处理
C 变形处理
D 稀释处理
5
动软化系统注意事项述叙述正确（ ）
A 逆洗时进口水压维持051bar利洗
B 果进水太快罐中介质会损失缓慢进水时应听空气慢慢排水排出声音
C 石英砂滤器控制阀活性炭滤器控制阀均运行位置时软化滤器进行设备日常维护
D 果整套设备连续供水确定天水量功控制阀设动状态
6
混床生中两种树脂充分混合方法（ ）
A 然混合法
B 真空泵进行混合口抽气开口阀门进气空气搅动阴阳离子交换树脂达充分混合目
C 加入混合剂混合
D 压缩空气底部进入口排
7
高纯水检测时测量方法（ ）
A 静置测量法
B 反渗透测量法
C 蒸发测量法
D 流动测量法
8
X射线形貌技术试验方法（ ）
A 透射形貌法
B 反射形貌法
C 异常透射法
D 双晶光谱仪法
9
列三项天然水三杂质（ ）
A 悬浮物质
B 挥发物质
C 胶体物质
D 溶解物质
10
动软化系统反洗目（ ）
A 通反洗试运行中压紧树脂层松动利树脂颗粒生液充分接触
B 树脂表面积累悬浮物碎树脂反洗水排出交换器水流阻力会越越
C 清树脂层中残留生废液
D 提高软化效果
三判断题（ 10 道试题 20 分）
1
氢离子氢氧根离子完全结合成水阴阳树脂必须交换出等量离子
A 错误
B 正确
2
介质滤器处运行时活性炭滤器进行日常维护
A 错误
B 正确
3
硅单晶中线度104cm缺陷称微陷
A 错误
B 正确
4
三氯氢硅中硼分析采蒸发法
A 错误
B 正确
5
RO系统清洗程应密切注意清洗液温度升超35℃
A 错误
B 正确
6
气相色谱法测定干法H2组成存环境素潜液氮低温冻伤
A 错误
B 正确
7
制取高纯水时般采强酸型阳离子交换树脂
A 错误
B 正确
8
露点法检测气体存危险氢气泄露引起燃烧核爆炸
A 错误
B 正确
9
离子交换法制备纯水阴树脂高纯水
A 错误
B 正确
10
纯水制备系统反渗透系统浓水调节阀进水调节阀完全关闭
A 错误
B 正确
四连线题（ 10 道试题 30 分）
1
列活性炭滤器工作原理应
（1）反洗 A穿滤料层布水器收集返回中心
（2）运行 B原水进水口进入控制阀阀芯部阀体顶部进入罐体
（3）正洗 C水底部进入活性炭滤层部排出
（1）C
（2）B
（3）A
2
列离子交换树脂类型变型化学试剂量浓度应
（1）强酸型离子交换树脂 A510盐酸溶液3000ml
（2）强碱型离子交换树脂 B 510氢氧化钠溶液2500ml
（3）干树脂 C45Nacl溶液浸泡
（1）B
（2）A
（3）C
3
列RO膜污染原适应药液应
（1）碳酸盐结垢 A15EDTA溶液
（2）机物污染硫酸盐结构 B1富尔马林溶液
（3）细菌污染 C3柠檬酸溶液
（1）C
（2）A
（3）B
4
（1）A
（2）B
（3）C
5
列混床树脂生步骤容应
（1）逆流分层 A入酸口610盐酸溶液流入柱严格控制流阳离子交换树脂层流速051h流完
（2）碱液生阴离子交换树脂 B树脂进行短时间强烈反阴阳离子交换树脂充分分层
（3）酸液生阴离子交换树脂 C入碱口入水口23倍阴离子交换树脂体积46NaOH溶液注入柱控制流速1530min流完
（1）B
（2）C
（3）A
6
列混床生中操作步骤应
（1）逆洗分层 A生剂5NaOH量树脂体积35倍口进入控制定流速维持液面流通
（2）强碱性阴离子交换树脂生 B水底部进入口排出树脂均匀松弛蓬松开加水流速出树脂原 洗出水清高度
（3）强酸性阳离子交换树脂生 C生剂5盐酸酸量阳离子交换树脂体积23倍
（1）B
（2）A
（3）C
7
（1）B
（2）A
（3）C
8
列质谱分析造成误差较高素原应
（1）杂质均匀 A元素身性质样品中元素选择离子源火花条件关
（2）元素电离效率 B质谱分析次消耗少量样品代表整样品杂质含量
（3）谱线黑度 C受素离子质量影响
（1）B
（2）A
（3）C
9
列天然水中杂质三部分情况应
（1）悬浮物质 A溶胶硅胶铁铝
（2）胶体物质 B 细菌泥沙黏土等容物质
（3）溶解物质 C Ca MgNaFeMn酸式碳酸盐
（1）B
（2）A
（3）C
10
列分析项目分析方法应
（1）三氯氢硅中硼分析 A基时间差进行分离
（2）三氯氢硅中痕量磷气相色谱测定 B然挥发法
（3）X射线形貌技术 C异常透射法
（1）B
（2）A
（3）C
文档香网(httpswwwxiangdangnet)户传
《香当网》用户分享的内容，不代表《香当网》观点或立场，请自行判断内容的真实性和可靠性！
该内容是文档的文本内容，更好的格式请下载文档
