光伏产品九种生产技术
硅片检测
硅片太阳电池片载体硅片质量坏直接决定太阳电池片转换效率高低需料硅片进行检测该工序硅片技术参数进行线测量参数包括硅片表面整度少子寿命电阻率PN型微裂纹等该组设备分动料硅片传输系统整合部分四检测模块中光伏硅片检测仪硅片表面整度进行检测时检测硅片尺寸角线等外观参数微裂纹检测模块检测硅片部微裂纹外两检测模组中线测试模组测试硅片体电阻率硅片类型模块检测硅片少子寿命进行少子寿命电阻率检测前需先硅片角线微裂纹进行检测动剔破损硅片硅片检测设备够动装片卸片够合格品放固定位置提高检测精度效率
二表面制绒
单晶硅绒面制备利硅异性腐蚀方厘米硅表面形成百万四面方锥体金字塔结构入射光表面次反射折射增加光吸收提高电池短路电流转换效率硅异性腐蚀液通常热碱性溶液碱氢氧化钠氢氧化钾氢氧化锂乙二胺等廉价浓度约1氢氧化钠稀溶液制备绒面硅腐蚀温度7085℃获均匀绒面应溶液中酌量添加醇类乙醇异丙醇等作络合剂加快硅腐蚀制备绒面前硅片须先进行初步表面腐蚀碱性酸性腐蚀液蚀约20～25μm腐蚀绒面进行般化学清洗表面准备硅片宜水中久存防沾污应快扩散制结
三扩散制结
太阳电池需面积PN结实现光电转换扩散炉制造太阳电池PN结专设备式扩散炉石英舟载部分废气室炉体部分气柜部分等四部分组成扩散般三氯氧磷液态源作扩散源P型硅片放式扩散炉石英容器850900摄氏度高温氮气三氯氧磷带入石英容器通三氯氧磷硅片进行反应磷原子定时间磷原子四周进入硅片表面层通硅原子间空隙硅片部渗透扩散形成N型半导体P型半导体交界面PN结种方法制出PN结均匀性方块电阻均匀性百分十少子寿命10ms制造PN结太阳电池生产基关键工序正PN结形成电子空穴流动回原处样形成电流导线电流引出直流电
四磷硅玻璃
该工艺太阳电池片生产制造程中通化学腐蚀法硅片放氢氟酸溶液中浸泡产生化学反应生成溶性络物六氟硅酸扩散制结硅片表面形成层磷硅玻璃扩散程中POCL3O2反应生成P2O5淀积硅片表面P2O5Si反应生成
SiO2磷原子样硅片表面形成层含磷元素SiO2称磷硅玻璃磷硅玻璃设备般体清洗槽伺服驱动系统机械臂电气控制系统动配酸系统等部分组成动力源氢氟酸氮气压缩空气纯水热排风废水氢氟酸够溶解二氧化硅氢氟酸二氧化硅反应生成易挥发四氟化硅气体氢氟酸量反应生成四氟化硅会进步氢氟酸反应生成溶性络物六氟硅酸
五等离子刻蚀
扩散程中采背背扩散硅片表面包括边缘避免扩散磷PN结正面收集光生电子会着边缘扩散磷区域流PN结背面造成短路必须太阳电池周边掺杂硅进行刻蚀电池边缘PN结通常采等离子刻蚀技术完成工艺等离子刻蚀低压状态反应气体CF4母体分子射频功率激发产生电离形成等离子体等离子体带电电子离子组成反应腔体中气体电子撞击转变成离子外吸收量形成量活性基团活性反应基团扩散者电场作达SiO2表面里刻蚀材料表面发生化学反应形成挥发性反应生成物脱离刻蚀物质表面真空系统抽出腔体
六镀减反射膜
抛光硅表面反射率35减少表面反射提高电池转换效率需沉积层氮化硅减反射膜现工业生产中常采PECVD设备制备减反射膜PECVD等离子增强型化学气相沉积技术原理利低温等离子体作量源样品置低气压辉光放电阴极利辉光放电样品升温预定温度然通入适量反应气体SiH4NH3气体系列化学反应等离子体反应样品表面形成固态薄膜氮化硅薄膜般情况种等离子增强型化学气相沉积方法沉积薄膜厚度70nm左右样厚度薄膜具光学功性利薄膜干涉原理光反射减少电池短路电流输出增加效率相提高
七丝网印刷
太阳电池制绒扩散PECVD等工序已制成PN结光产生电流产生电流导出需电池表面制作正负两电极制造电极方法丝网印刷目前制作太阳电池电极普遍种生产工艺丝网印刷采压印方式预定图形印刷基板该设备电池背面银铝浆印刷电池背面铝浆印刷电池正面银浆印刷三部分组成工作原理：利丝网图形部分网孔透浆料刮刀丝网浆料部位施加定压力时丝网端移动油墨移动中刮刀图形部分网孔中挤压基片浆料粘性作印迹固着定范围印刷中刮板始终丝网印版基片呈线性接触接触线刮刀移动移动完成印刷行程
八快速烧结
丝网印刷硅片直接需烧结炉快速烧结机树脂粘合剂燃烧掉剩纯粹玻璃质作密合硅片银电极银电极晶体硅温度达晶温度时晶体硅原子定例融入熔融银电极材料中形成电极欧姆接触提高电池片开路电压填充子两关键参数具电阻特性提高电池片转换效率烧结炉分预烧结烧结降温冷三阶段预烧结阶段目浆料中高分子粘合剂分解燃烧掉阶段温度慢慢升烧结阶段中烧结体完成种物理化学反应形成电阻膜结构真正具电阻特性该阶段温度达峰值降温冷阶段玻璃冷硬化凝固电阻膜结构固定粘附基片
九外围设备
电池片生产程中需供电动力水排水暖通真空特汽等外围设施消防环保设备保证安全持续发展显尤重条年产50MW力太阳电池片生产线仅工艺动力设备电功率1800KW左右工艺纯水量时15吨左右水质求达中国电子级水GBT1144611997中EW1级技术标准工艺冷水量时15吨左右水质中微粒粒径宜10微米供水温度宜1520℃真空排气量300M3H左右时需约氮气储罐20立方米氧气储罐10立方米考虑特殊气体硅烷安全素需单独设置特气间绝保证生产安全外硅烷燃烧塔污水处理站等电池片生产必备设施
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硅片检测
硅片太阳电池片载体硅片质量坏直接决定太阳电池片转换效率高低需料硅片进行检测该工序硅片技术参数进行线测量参数包括硅片表面整度少子寿命电阻率PN型微裂纹等该组设备分动料硅片传输系统整合部分四检测模块中光伏硅片检测仪硅片表面整度进行检测时检测硅片尺寸角线等外观参数微裂纹检测模块检测硅片部微裂纹外两检测模组中线测试模组测试硅片体电阻率硅片类型模块检测硅片少子寿命进行少子寿命电阻率检测前需先硅片角线微裂纹进行检测动剔破损硅片硅片检测设备够动装片卸片够合格品放固定位置提高检测精度效率
二表面制绒
单晶硅绒面制备利硅异性腐蚀方厘米硅表面形成百万四面方锥体金字塔结构入射光表面次反射折射增加光吸收提高电池短路电流转换效率硅异性腐蚀液通常热碱性溶液碱氢氧化钠氢氧化钾氢氧化锂乙二胺等廉价浓度约1氢氧化钠稀溶液制备绒面硅腐蚀温度7085℃获均匀绒面应溶液中酌量添加醇类乙醇异丙醇等作络合剂加快硅腐蚀制备绒面前硅片须先进行初步表面腐蚀碱性酸性腐蚀液蚀约20～25μm腐蚀绒面进行般化学清洗表面准备硅片宜水中久存防沾污应快扩散制结
三扩散制结
太阳电池需面积PN结实现光电转换扩散炉制造太阳电池PN结专设备式扩散炉石英舟载部分废气室炉体部分气柜部分等四部分组成扩散般三氯氧磷液态源作扩散源P型硅片放式扩散炉石英容器850900摄氏度高温氮气三氯氧磷带入石英容器通三氯氧磷硅片进行反应磷原子定时间磷原子四周进入硅片表面层通硅原子间空隙硅片部渗透扩散形成N型半导体P型半导体交界面PN结种方法制出PN结均匀性方块电阻均匀性百分十少子寿命10ms制造PN结太阳电池生产基关键工序正PN结形成电子空穴流动回原处样形成电流导线电流引出直流电
四磷硅玻璃
该工艺太阳电池片生产制造程中通化学腐蚀法硅片放氢氟酸溶液中浸泡产生化学反应生成溶性络物六氟硅酸扩散制结硅片表面形成层磷硅玻璃扩散程中POCL3O2反应生成P2O5淀积硅片表面P2O5Si反应生成
SiO2磷原子样硅片表面形成层含磷元素SiO2称磷硅玻璃磷硅玻璃设备般体清洗槽伺服驱动系统机械臂电气控制系统动配酸系统等部分组成动力源氢氟酸氮气压缩空气纯水热排风废水氢氟酸够溶解二氧化硅氢氟酸二氧化硅反应生成易挥发四氟化硅气体氢氟酸量反应生成四氟化硅会进步氢氟酸反应生成溶性络物六氟硅酸
五等离子刻蚀
扩散程中采背背扩散硅片表面包括边缘避免扩散磷PN结正面收集光生电子会着边缘扩散磷区域流PN结背面造成短路必须太阳电池周边掺杂硅进行刻蚀电池边缘PN结通常采等离子刻蚀技术完成工艺等离子刻蚀低压状态反应气体CF4母体分子射频功率激发产生电离形成等离子体等离子体带电电子离子组成反应腔体中气体电子撞击转变成离子外吸收量形成量活性基团活性反应基团扩散者电场作达SiO2表面里刻蚀材料表面发生化学反应形成挥发性反应生成物脱离刻蚀物质表面真空系统抽出腔体
六镀减反射膜
抛光硅表面反射率35减少表面反射提高电池转换效率需沉积层氮化硅减反射膜现工业生产中常采PECVD设备制备减反射膜PECVD等离子增强型化学气相沉积技术原理利低温等离子体作量源样品置低气压辉光放电阴极利辉光放电样品升温预定温度然通入适量反应气体SiH4NH3气体系列化学反应等离子体反应样品表面形成固态薄膜氮化硅薄膜般情况种等离子增强型化学气相沉积方法沉积薄膜厚度70nm左右样厚度薄膜具光学功性利薄膜干涉原理光反射减少电池短路电流输出增加效率相提高
七丝网印刷
太阳电池制绒扩散PECVD等工序已制成PN结光产生电流产生电流导出需电池表面制作正负两电极制造电极方法丝网印刷目前制作太阳电池电极普遍种生产工艺丝网印刷采压印方式预定图形印刷基板该设备电池背面银铝浆印刷电池背面铝浆印刷电池正面银浆印刷三部分组成工作原理：利丝网图形部分网孔透浆料刮刀丝网浆料部位施加定压力时丝网端移动油墨移动中刮刀图形部分网孔中挤压基片浆料粘性作印迹固着定范围印刷中刮板始终丝网印版基片呈线性接触接触线刮刀移动移动完成印刷行程
八快速烧结
丝网印刷硅片直接需烧结炉快速烧结机树脂粘合剂燃烧掉剩纯粹玻璃质作密合硅片银电极银电极晶体硅温度达晶温度时晶体硅原子定例融入熔融银电极材料中形成电极欧姆接触提高电池片开路电压填充子两关键参数具电阻特性提高电池片转换效率烧结炉分预烧结烧结降温冷三阶段预烧结阶段目浆料中高分子粘合剂分解燃烧掉阶段温度慢慢升烧结阶段中烧结体完成种物理化学反应形成电阻膜结构真正具电阻特性该阶段温度达峰值降温冷阶段玻璃冷硬化凝固电阻膜结构固定粘附基片
九外围设备
电池片生产程中需供电动力水排水暖通真空特汽等外围设施消防环保设备保证安全持续发展显尤重条年产50MW力太阳电池片生产线仅工艺动力设备电功率1800KW左右工艺纯水量时15吨左右水质求达中国电子级水GBT1144611997中EW1级技术标准工艺冷水量时15吨左右水质中微粒粒径宜10微米供水温度宜1520℃真空排气量300M3H左右时需约氮气储罐20立方米氧气储罐10立方米考虑特殊气体硅烷安全素需单独设置特气间绝保证生产安全外硅烷燃烧塔污水处理站等电池片生产必备设施
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