材料化学简答
简答
1 晶体称素中点称素种类含移操作称素种类
答：称面称中心称轴旋转反伸轴 滑移面螺旋轴
分 Cm12346 C m abcnd2131324142436162636465
2 晶族晶系称型布拉菲格子空间群数目分
答：373214230
3 解释称型表示意义什？
答：略
4 晶胞空间格子种关系？
答：晶胞指够充分反映整晶体结构特征结构单位晶体成晶胞间隙堆垛成晶胞形状应单位行六面体完全致行六面体相参数表征晶胞特征区单位行六面体具物理化学特征点（等点）构成晶胞实具体质点构成
5 （a）AX型晶体结构中NaCl型结构
（b）MgAl2O4晶体结构中r+rCN关系Mg2+Al3+填充八面体空隙该结构中Mg2+进入四面体空隙Al3+填充八面体空隙MgFe2O4结构中Mg2+填充八面体空隙半Fe3+填充四面体空隙
（c）绿宝石透辉石中SiO13前者环状结构者链状结构
答：（a）AX型晶体结构中般阴离子X半径较阳离子A半径较X做紧密堆积A填充空隙中数AX型化合物r+r0414～0732间应该填充八面体空隙具NaCl型结构NaCl型晶体结构称性较高AX型化合物具NaCl型结构
（b）阳阴离子半径配位数间关系Al3+Mg2+配位数均应该6填入八面体空隙根鲍林规高电价离子填充低配位四面体空隙时排斥力填充八面体空隙中较稳定性较差Al3+填入八面体空隙Mg2+填入四面体空隙
MgFe2O4结构中Fe3+八面体择位0进入四面体八面体空隙配位数4时Fe3+离子半径0049nmMg2+离子半径0057nmFe3+四面体空隙中更加稳定Mg2+填充八面体空隙半Fe3+填充四面体空隙
（c）绿宝石透辉石中SiO13绿宝石中阳离子Be2+Al3+离子半径较配位数较（46）相互间斥力较绿宝石通[SiO4]顶角相连形成六节环通Be2+Al3+六节环连接起离子堆积结合状态太紧密样晶体结构较稳定透辉石中Mg2+Ca2+离子半径较配位数较（分68）相互间斥力较透辉石通[SiO4]顶角相连形成单链离子堆积结合状态较紧密
6 （a）什阳离子交换？
（b）结构说明高岭石蒙脱石阳离子交换容量差异原
（c）较蒙脱石伊利石晶取代说明衡负电荷时什前者水化阳离子形式进入结构单元层者配位阳离子形式进入结构单元层
答：
（a）粘土矿物中果[AlO6]层中部分Al3+Mg2+Fe2+代时水化阳离子（Na+Ca2+等）进入层间衡余负电荷定条件阳离子阳离子交换种现象称阳离子交换
（b）高岭石阳离子交换容量较蒙脱石阳离子交换容量较高岭石11型结构单网层单网层间氢键相连氢键强范氏键水化阳离子易进入层间阳离子交换容量较蒙脱石21型结构复网层间范氏键相连层间联系较弱水化阳离子容易进入复网层间衡余负电荷蒙脱石阳离子交换容量较
（c）蒙脱石伊利石均21型结构蒙脱石铝氧八面体层中约13Al3+Mg2+取代衡电荷水化阳离子半径水化阳离子负电荷间距离远覆网层间结合力弱进入层间位置伊利石硅氧四面体层中约16Si4+Al3+取代K+进入复网层间衡余负电荷K+位二层硅氧层六边形网络中心构成[KO12]K+硅氧层中负电荷距离结合力较强配位离子形式进入结构单元
7 讨衍射反射关系什条件衍射反射？
答：衍射直射光束反射光束干涉形成
指标h*k*l*面点阵晶面衍射hkl(nh*nk*nl*)产生反射反射定理中入射角没限制衍射中入射角需受推引出布拉格方程制约 考虑相邻点阵面间相互干涉关系指标h*k*l*组面点阵等间距排列点阵面法线方具周期性相邻两点阵面间波程差波长整数倍时会产生衍射否总会两两产生抵消
8 劳埃方程布拉格方程解决什问题？实质否相？
答：两方程解决：通测定晶体衍射方求晶胞形状
劳埃方程直线点阵出发点布拉格方程面点阵出发点两方程质相
9 碱土金属阳离子Be2+Mg2+Ca2+卤化物BeF2SiO2结构MgF2TiO2（金红石型）结构CaF2萤石型结构分析原
答：碱土金属离子Be2+Mg2+Ca2+着原子序数增离子半径逐渐增极化性变化阴离子F时r+r增配位数增BeF24配位MgF26配位CaF28配位
10 金刚石结构中C原子面心立方堆积排列什堆积系数仅34？
答：分析晶体结构方便起见金刚石结构中C原子成面心立方排列实际C原子间价键具方性饱性C原子4C原子形成价键（紧密相邻）没达紧密堆积（紧密堆积时原子时12原子紧密相邻）晶体结构部存空隙堆积系数仅34远远紧密堆积7405
11 造水晶（β石英）直接石英熔体中生长出？什？（做仅供参考）
答：沙子里选出洁净色石英加热明水2000℃熔化成透造水晶
石英1600℃熔化成粘稠液体部变规形态遇冷时粘度易结晶会变成石英玻璃造水晶造水晶直接石英熔体中生长出
12 试回答：SCIXRDSEMAFM英文全称中文名称微晶玻璃英文名称什？
答：SCI：科学文献检索 XRD：X射线衍射 SEM：扫描电子显微镜 AFM：原子力显微镜
Microcrystalline glass
13 晶面交角守恒指什角守恒守恒 晶面形状什守恒？（第二问做供参考）
答：
（1）晶体角守恒定律：温度物质形成晶体相晶面夹角常数
（2）晶面界两部分晶体取分具远程序性晶面成角度相晶面交角守恒
（3）晶体晶胞三维空间做规律周期性重复排列物体构成晶面晶胞数晶面形状守恒
14 晶体般特点什？点阵晶体结构关系？
答：般晶体具列特点：
晶体原子基元具短程序长程序结构处定格式空间排列状态晶体规外形晶体具均匀性导性称性晶体具定熔点
构成晶体结构单元——基元抽象未点点称空间点阵空间点阵种数学抽象点阵中结点晶体结构基元代成晶体结构
15 试述玻璃结构特征通性
答：玻璃种具序结构非晶材料原子排列短程序没长程序
非晶具异性没规外形固定熔点
16 什陶瓷？陶瓷特性？
答：陶瓷陶器瓷器总称指粘土等机非金属矿物原料工工业产品包括粘土含粘土混合物混炼成形煅烧制成种制品
陶瓷具刚硬耐磨耐腐蚀耐高温脆性高拉伸强度低等特性
17 液晶结构中特点广泛应？
答：液晶分子具维二维长程序液晶分子位置短程序前者液晶分子光热磁等方面具晶体异性者具液体流动性 流动程中液晶分子分子轴定液晶分子定排列会影响液晶光学性液晶分子排列状态受外界电场调控液晶分子制作液晶显示器广泛
18 指出金属中键型结构特征什金属单质结构问题结等径圆球密堆积问题？
答：金属中键型金属键金属元素电负性般较电离
较外层家电子容易脱离原子束缚金属晶粒中正离子形成
势场中较运动形成电子金属晶体中金属原子价电子公化
整金属分子成键点子整聚集体中流动组成离域
N中心键金属晶体中没定域双原子键原子间离域键原子参加成键离域电子三维空间中运动离域范围
整金属单质晶体作种元素金属正离子周期性排列成
正离子外层电子结构全充满半充满状态电子分布基
球形称种元素原子半径相等成等
径圆球金属键饱性方性金属原子组成晶体时总趋
形成密堆积结构特点堆积密度相互配位数高够充分利空间
整体系量低等圆球密堆积模型描述金属结构
19 指出A1型A3型结构异指出A1型A3型结构中密置层相应晶面指标
答： A1型点阵型式：面心立方结构 原子数目： 4
坐标： 8顶点000010001100101110011111
6面心： 12 12 0 12 0 12 0 12 12
12 12 1 12 1 12 1 12 12
A3型点阵型式：密排六方结构 原子数目： 6
坐标：
面心立方结构A1 晶胞含4球（000）（12120）（12012）（01212）
简单六方结构A3 晶胞含２球（000）（231312）（132312）
20 较A1A3结构异指出A1型A3型结构中密置层相应晶面坐标
答：
异
(1)A1 ABC|ABC|堆积 A3 AB|AB|堆积
(2)A1 取出面心立方晶胞 A3 取出六方晶胞
(3)A1 密置层(111) A3 密置层(001)
(1)层密置层密置层作密堆积
(2)配位数12
(3)堆积系数7405
(4)晶胞中 球数八面体空隙数四面体空隙数112
21 固体带理说明什导体半导体绝缘体？
答：导体中导带价带重叠外电场作导带中电子改变该带级间分布情况产生电子流半导体特征满带空带满带空带间禁带距离窄般3ev般激发条件满带中电子较容易跃入空带空带电子满带中空穴参导电绝缘体特征满带空带禁带宽满带空带级差5ev般激发条件满带中电子跃入空带形成导带绝缘体导电原
22 分数坐标表示ccp晶胞中四面体空隙中心八面体空隙中心位置
答：A1中 晶胞中4球 4八面体空隙 8四面体空隙
四面体空隙中球占14空隙 八面体空隙中球占16空隙
四面体空隙坐标
（343434）（141434）（143414）（341414）
（141414）（341434）（143434）（343414）
八面体空隙坐标
（121212）（0012）（0120）（1200）
23 固溶体溶液异？固溶体种类型？
答：固体条件种组分（溶剂）溶解组分（溶质）形成单均匀晶态固体称固溶体
固溶体分类：
（1）溶质质点溶剂晶格中位置划分
① 置换型固溶体
② 间隙型固溶体
（2）溶质溶剂中溶解度分类
① 连续固溶体
② 限固溶体
（3）根固溶体相图中位置划分
① 端部固溶体
② 中间固溶体
（4）根组元分布规律性划分
① 序固溶体
② 序固溶体
24 金属化合物物相金属固溶体物相？试结构特征组成特征性特征说明
答：结构组成：固溶体晶体结构溶剂结构相金属间化合物晶体结构组成组元分子式表示组成
性：形成固溶体金属间化合物强化合金固溶体强度硬度金属间化合物低塑性韧性金属间化合物固溶体更综合机械性
25 离子晶体结构结等径圆球密堆积问题？
答：阴阳离子半径相离子键没方性饱性离子晶体视等径圆球密堆积：半径圆球堆积成球先定方式做等径圆球密堆积球填充球形成空隙中
26 正确理解离子半径概念？离子半径常数？素关？
答：结晶学中离子半径效半径概念离子半径严格意义指离子电子云分布范围根波动力学计算离子电子云分布穷离子半径应该固定离子晶体中相邻接触阴阳离子中心间距离两离子效半径
离子效半径配位数关
27 试负离子堆积方式正离子占空隙种类分数较NaCl型ZnS型结构异较CsClCaF2型结构异
答：
NaCl中半径较Clˉ作立方紧密堆积NaCl类型晶胞面心立方堆积产生四面体八面体空隙Na+填充八面体空隙中填隙率100晶胞中含NaCl原子4
闪锌矿（ZnS）晶胞面心立方堆积S离子产生八面体四面体空隙Zn离子填充四面体空隙中填隙率50晶胞中含ZnS原子4
CsCl素单位体心立方注意CsCl晶胞体心立方素单位移Cl产生立方体空隙中Cs填充空隙中填隙率100晶胞中含CsCl原子1
CaF2晶胞结构Ca面心立方堆积产生八面体四面体空隙F填充中填隙率100
28 什金属原子半径离子半径价半径范德华半径？？举例说明
答：金属晶体中两相邻原子中心间距离半金属原子半径离子半径严格意义指离子电子云分布范围离子效半径离子晶体中相邻接触阴阳离子中心间距离价半径指连接相原子价键键长半范德华半径指分子晶体中分子间范德华力结合稀气体相邻两原子核间距半
29 纳米基涵义什？简述什纳米材料会表现出许前未新特性？
答：纳米长度单位原称毫微米10^9米（10亿分米） 纳米材料指晶粒尺寸纳米级(109米)超细材料
纳米材料表面效应体积效应量子尺寸效应纳米材料导电力学热学光学等性表现出前未新特性
30 量子尺寸效应尺寸效应引出概念？举例说明两种效应导致结果
答：量子尺寸效应：指粒子尺寸降某数值时费米级附电子级准连续变离散级者隙变宽现象量子尺寸效应会导致纳米粒子磁光声热电超导电性宏观特性着显著时处分立量子化级中电子波动性纳米粒子带系列特殊性质高光学非线性特异催化光催化性强氧化性原性等
尺寸效应：颗粒尺寸光波波长德布罗意波长超导态相干长度透射深度等物理特征尺寸相更时晶体周期性边界条件破坏非晶态纳纳米粒子颗粒表面层附原子密度减少导致声光电磁热力学等特性呈现新物理性质变化称尺寸效应
31 说明溶胶凝胶法基原理基步骤
答：原理：溶胶－凝胶法含高化学活性组分化合物作前驱体液相原料均匀混合进行水解缩合化学反应溶液中形成稳定透明溶胶体系溶胶陈化胶粒间缓慢聚合形成三维空间网络结构凝胶凝胶网络间充满失流动性溶剂形成凝胶凝胶干燥烧结固化制备出分子纳米亚结构材料
步骤：醇盐机盐水解 溶胶 凝胶 超微粉末
32 碳纳米制备方法种？
答：
（1） 单壁碳纳米制备： a电弧法 b 激光蒸发法 c 化学气相沉积法
（2） 壁碳纳米制备： a 石墨电弧法 b 激光蒸发法 c 化学气相沉积法
d壁碳纳米制备方法热解聚合法火焰法电解法金属材料原位合成法太阳法离子辐射法等
33 什发光材料？发光机理什？发光特征？
答：
（1）概念：
发光材料称发光体种够外界吸收种形式量转换非衡光辐射功材料
（2）发光原理：
发光原理指某特殊化学反应中反应中间体产物吸收反应释放化学处电子激发态回基态时伴产生光辐射现象
（3）发光特征：
a 物体定温度具衡热辐射发光指吸收外量发出总辐射中超出衡热辐射部分
b 外界激发源材料作停止发光会持续段时间称余辉
34 半导体种分类致分类结果什？
答：
1 元素半导体
2 化合物半导体
3 固溶体半导体
4 非晶态半导体
5 机半导体
35 常见半导体材料种？什特点？
答：
1元素半导体锗硅硒硼碲锑等50年代锗半导体中占导位 锗半导体器件耐高温抗辐射性较差60年代期逐渐硅材料取代硅制造半导体器件耐高温抗辐射性较特适宜制作功率器件硅已成应种增导体材料目前集成电路数硅材料制造
2化合物半导体两种两种元素化合成半导体材料种类重砷化镓磷化锢锑化锢碳化硅硫化镉镓砷硅等中砷化镓制造微波器件集成电重材料碳化硅抗辐射力强耐高温化学稳定性航天技术领域着广泛应
3定形半导体材料 作半导体玻璃种非晶体定形半导体材料分氧化物玻璃非氧化物玻璃两种类材料具良开关记忆特性强抗辐射力制造阈值开关记忆开关固体显示器件
4机增导体材料已知机半导体材料十种包括萘蒽聚丙烯腈酞菁芳香族化合物等目前尚未应
36 超导体物理性质？界参数什联系？
答：超导体物理性质
①零电阻
②迈斯纳效应——完全抗磁性
37 解超导体分类性熟知超导材料应
答：超导体磁化特征分类
1） 第类超导体
A 界磁场（Hc）
B H(外) H(外)>Hc 导电性
2） 第二类超导体
A 2界磁场
（Hc1Hc2）
B H(外) H(外)>Hc2 导电性
Hc1 超导体性：
超导体应：
①电力工程方面应
②超导技术交通运输方面应
③超导技术电子工程方面应
④超导技术生物医疗方面应
⑤超导技术军事应
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简答
1 晶体称素中点称素种类含移操作称素种类
答：称面称中心称轴旋转反伸轴 滑移面螺旋轴
分 Cm12346 C m abcnd2131324142436162636465
2 晶族晶系称型布拉菲格子空间群数目分
答：373214230
3 解释称型表示意义什？
答：略
4 晶胞空间格子种关系？
答：晶胞指够充分反映整晶体结构特征结构单位晶体成晶胞间隙堆垛成晶胞形状应单位行六面体完全致行六面体相参数表征晶胞特征区单位行六面体具物理化学特征点（等点）构成晶胞实具体质点构成
5 （a）AX型晶体结构中NaCl型结构
（b）MgAl2O4晶体结构中r+rCN关系Mg2+Al3+填充八面体空隙该结构中Mg2+进入四面体空隙Al3+填充八面体空隙MgFe2O4结构中Mg2+填充八面体空隙半Fe3+填充四面体空隙
（c）绿宝石透辉石中SiO13前者环状结构者链状结构
答：（a）AX型晶体结构中般阴离子X半径较阳离子A半径较X做紧密堆积A填充空隙中数AX型化合物r+r0414～0732间应该填充八面体空隙具NaCl型结构NaCl型晶体结构称性较高AX型化合物具NaCl型结构
（b）阳阴离子半径配位数间关系Al3+Mg2+配位数均应该6填入八面体空隙根鲍林规高电价离子填充低配位四面体空隙时排斥力填充八面体空隙中较稳定性较差Al3+填入八面体空隙Mg2+填入四面体空隙
MgFe2O4结构中Fe3+八面体择位0进入四面体八面体空隙配位数4时Fe3+离子半径0049nmMg2+离子半径0057nmFe3+四面体空隙中更加稳定Mg2+填充八面体空隙半Fe3+填充四面体空隙
（c）绿宝石透辉石中SiO13绿宝石中阳离子Be2+Al3+离子半径较配位数较（46）相互间斥力较绿宝石通[SiO4]顶角相连形成六节环通Be2+Al3+六节环连接起离子堆积结合状态太紧密样晶体结构较稳定透辉石中Mg2+Ca2+离子半径较配位数较（分68）相互间斥力较透辉石通[SiO4]顶角相连形成单链离子堆积结合状态较紧密
6 （a）什阳离子交换？
（b）结构说明高岭石蒙脱石阳离子交换容量差异原
（c）较蒙脱石伊利石晶取代说明衡负电荷时什前者水化阳离子形式进入结构单元层者配位阳离子形式进入结构单元层
答：
（a）粘土矿物中果[AlO6]层中部分Al3+Mg2+Fe2+代时水化阳离子（Na+Ca2+等）进入层间衡余负电荷定条件阳离子阳离子交换种现象称阳离子交换
（b）高岭石阳离子交换容量较蒙脱石阳离子交换容量较高岭石11型结构单网层单网层间氢键相连氢键强范氏键水化阳离子易进入层间阳离子交换容量较蒙脱石21型结构复网层间范氏键相连层间联系较弱水化阳离子容易进入复网层间衡余负电荷蒙脱石阳离子交换容量较
（c）蒙脱石伊利石均21型结构蒙脱石铝氧八面体层中约13Al3+Mg2+取代衡电荷水化阳离子半径水化阳离子负电荷间距离远覆网层间结合力弱进入层间位置伊利石硅氧四面体层中约16Si4+Al3+取代K+进入复网层间衡余负电荷K+位二层硅氧层六边形网络中心构成[KO12]K+硅氧层中负电荷距离结合力较强配位离子形式进入结构单元
7 讨衍射反射关系什条件衍射反射？
答：衍射直射光束反射光束干涉形成
指标h*k*l*面点阵晶面衍射hkl(nh*nk*nl*)产生反射反射定理中入射角没限制衍射中入射角需受推引出布拉格方程制约 考虑相邻点阵面间相互干涉关系指标h*k*l*组面点阵等间距排列点阵面法线方具周期性相邻两点阵面间波程差波长整数倍时会产生衍射否总会两两产生抵消
8 劳埃方程布拉格方程解决什问题？实质否相？
答：两方程解决：通测定晶体衍射方求晶胞形状
劳埃方程直线点阵出发点布拉格方程面点阵出发点两方程质相
9 碱土金属阳离子Be2+Mg2+Ca2+卤化物BeF2SiO2结构MgF2TiO2（金红石型）结构CaF2萤石型结构分析原
答：碱土金属离子Be2+Mg2+Ca2+着原子序数增离子半径逐渐增极化性变化阴离子F时r+r增配位数增BeF24配位MgF26配位CaF28配位
10 金刚石结构中C原子面心立方堆积排列什堆积系数仅34？
答：分析晶体结构方便起见金刚石结构中C原子成面心立方排列实际C原子间价键具方性饱性C原子4C原子形成价键（紧密相邻）没达紧密堆积（紧密堆积时原子时12原子紧密相邻）晶体结构部存空隙堆积系数仅34远远紧密堆积7405
11 造水晶（β石英）直接石英熔体中生长出？什？（做仅供参考）
答：沙子里选出洁净色石英加热明水2000℃熔化成透造水晶
石英1600℃熔化成粘稠液体部变规形态遇冷时粘度易结晶会变成石英玻璃造水晶造水晶直接石英熔体中生长出
12 试回答：SCIXRDSEMAFM英文全称中文名称微晶玻璃英文名称什？
答：SCI：科学文献检索 XRD：X射线衍射 SEM：扫描电子显微镜 AFM：原子力显微镜
Microcrystalline glass
13 晶面交角守恒指什角守恒守恒 晶面形状什守恒？（第二问做供参考）
答：
（1）晶体角守恒定律：温度物质形成晶体相晶面夹角常数
（2）晶面界两部分晶体取分具远程序性晶面成角度相晶面交角守恒
（3）晶体晶胞三维空间做规律周期性重复排列物体构成晶面晶胞数晶面形状守恒
14 晶体般特点什？点阵晶体结构关系？
答：般晶体具列特点：
晶体原子基元具短程序长程序结构处定格式空间排列状态晶体规外形晶体具均匀性导性称性晶体具定熔点
构成晶体结构单元——基元抽象未点点称空间点阵空间点阵种数学抽象点阵中结点晶体结构基元代成晶体结构
15 试述玻璃结构特征通性
答：玻璃种具序结构非晶材料原子排列短程序没长程序
非晶具异性没规外形固定熔点
16 什陶瓷？陶瓷特性？
答：陶瓷陶器瓷器总称指粘土等机非金属矿物原料工工业产品包括粘土含粘土混合物混炼成形煅烧制成种制品
陶瓷具刚硬耐磨耐腐蚀耐高温脆性高拉伸强度低等特性
17 液晶结构中特点广泛应？
答：液晶分子具维二维长程序液晶分子位置短程序前者液晶分子光热磁等方面具晶体异性者具液体流动性 流动程中液晶分子分子轴定液晶分子定排列会影响液晶光学性液晶分子排列状态受外界电场调控液晶分子制作液晶显示器广泛
18 指出金属中键型结构特征什金属单质结构问题结等径圆球密堆积问题？
答：金属中键型金属键金属元素电负性般较电离
较外层家电子容易脱离原子束缚金属晶粒中正离子形成
势场中较运动形成电子金属晶体中金属原子价电子公化
整金属分子成键点子整聚集体中流动组成离域
N中心键金属晶体中没定域双原子键原子间离域键原子参加成键离域电子三维空间中运动离域范围
整金属单质晶体作种元素金属正离子周期性排列成
正离子外层电子结构全充满半充满状态电子分布基
球形称种元素原子半径相等成等
径圆球金属键饱性方性金属原子组成晶体时总趋
形成密堆积结构特点堆积密度相互配位数高够充分利空间
整体系量低等圆球密堆积模型描述金属结构
19 指出A1型A3型结构异指出A1型A3型结构中密置层相应晶面指标
答： A1型点阵型式：面心立方结构 原子数目： 4
坐标： 8顶点000010001100101110011111
6面心： 12 12 0 12 0 12 0 12 12
12 12 1 12 1 12 1 12 12
A3型点阵型式：密排六方结构 原子数目： 6
坐标：
面心立方结构A1 晶胞含4球（000）（12120）（12012）（01212）
简单六方结构A3 晶胞含２球（000）（231312）（132312）
20 较A1A3结构异指出A1型A3型结构中密置层相应晶面坐标
答：
异
(1)A1 ABC|ABC|堆积 A3 AB|AB|堆积
(2)A1 取出面心立方晶胞 A3 取出六方晶胞
(3)A1 密置层(111) A3 密置层(001)
(1)层密置层密置层作密堆积
(2)配位数12
(3)堆积系数7405
(4)晶胞中 球数八面体空隙数四面体空隙数112
21 固体带理说明什导体半导体绝缘体？
答：导体中导带价带重叠外电场作导带中电子改变该带级间分布情况产生电子流半导体特征满带空带满带空带间禁带距离窄般3ev般激发条件满带中电子较容易跃入空带空带电子满带中空穴参导电绝缘体特征满带空带禁带宽满带空带级差5ev般激发条件满带中电子跃入空带形成导带绝缘体导电原
22 分数坐标表示ccp晶胞中四面体空隙中心八面体空隙中心位置
答：A1中 晶胞中4球 4八面体空隙 8四面体空隙
四面体空隙中球占14空隙 八面体空隙中球占16空隙
四面体空隙坐标
（343434）（141434）（143414）（341414）
（141414）（341434）（143434）（343414）
八面体空隙坐标
（121212）（0012）（0120）（1200）
23 固溶体溶液异？固溶体种类型？
答：固体条件种组分（溶剂）溶解组分（溶质）形成单均匀晶态固体称固溶体
固溶体分类：
（1）溶质质点溶剂晶格中位置划分
① 置换型固溶体
② 间隙型固溶体
（2）溶质溶剂中溶解度分类
① 连续固溶体
② 限固溶体
（3）根固溶体相图中位置划分
① 端部固溶体
② 中间固溶体
（4）根组元分布规律性划分
① 序固溶体
② 序固溶体
24 金属化合物物相金属固溶体物相？试结构特征组成特征性特征说明
答：结构组成：固溶体晶体结构溶剂结构相金属间化合物晶体结构组成组元分子式表示组成
性：形成固溶体金属间化合物强化合金固溶体强度硬度金属间化合物低塑性韧性金属间化合物固溶体更综合机械性
25 离子晶体结构结等径圆球密堆积问题？
答：阴阳离子半径相离子键没方性饱性离子晶体视等径圆球密堆积：半径圆球堆积成球先定方式做等径圆球密堆积球填充球形成空隙中
26 正确理解离子半径概念？离子半径常数？素关？
答：结晶学中离子半径效半径概念离子半径严格意义指离子电子云分布范围根波动力学计算离子电子云分布穷离子半径应该固定离子晶体中相邻接触阴阳离子中心间距离两离子效半径
离子效半径配位数关
27 试负离子堆积方式正离子占空隙种类分数较NaCl型ZnS型结构异较CsClCaF2型结构异
答：
NaCl中半径较Clˉ作立方紧密堆积NaCl类型晶胞面心立方堆积产生四面体八面体空隙Na+填充八面体空隙中填隙率100晶胞中含NaCl原子4
闪锌矿（ZnS）晶胞面心立方堆积S离子产生八面体四面体空隙Zn离子填充四面体空隙中填隙率50晶胞中含ZnS原子4
CsCl素单位体心立方注意CsCl晶胞体心立方素单位移Cl产生立方体空隙中Cs填充空隙中填隙率100晶胞中含CsCl原子1
CaF2晶胞结构Ca面心立方堆积产生八面体四面体空隙F填充中填隙率100
28 什金属原子半径离子半径价半径范德华半径？？举例说明
答：金属晶体中两相邻原子中心间距离半金属原子半径离子半径严格意义指离子电子云分布范围离子效半径离子晶体中相邻接触阴阳离子中心间距离价半径指连接相原子价键键长半范德华半径指分子晶体中分子间范德华力结合稀气体相邻两原子核间距半
29 纳米基涵义什？简述什纳米材料会表现出许前未新特性？
答：纳米长度单位原称毫微米10^9米（10亿分米） 纳米材料指晶粒尺寸纳米级(109米)超细材料
纳米材料表面效应体积效应量子尺寸效应纳米材料导电力学热学光学等性表现出前未新特性
30 量子尺寸效应尺寸效应引出概念？举例说明两种效应导致结果
答：量子尺寸效应：指粒子尺寸降某数值时费米级附电子级准连续变离散级者隙变宽现象量子尺寸效应会导致纳米粒子磁光声热电超导电性宏观特性着显著时处分立量子化级中电子波动性纳米粒子带系列特殊性质高光学非线性特异催化光催化性强氧化性原性等
尺寸效应：颗粒尺寸光波波长德布罗意波长超导态相干长度透射深度等物理特征尺寸相更时晶体周期性边界条件破坏非晶态纳纳米粒子颗粒表面层附原子密度减少导致声光电磁热力学等特性呈现新物理性质变化称尺寸效应
31 说明溶胶凝胶法基原理基步骤
答：原理：溶胶－凝胶法含高化学活性组分化合物作前驱体液相原料均匀混合进行水解缩合化学反应溶液中形成稳定透明溶胶体系溶胶陈化胶粒间缓慢聚合形成三维空间网络结构凝胶凝胶网络间充满失流动性溶剂形成凝胶凝胶干燥烧结固化制备出分子纳米亚结构材料
步骤：醇盐机盐水解 溶胶 凝胶 超微粉末
32 碳纳米制备方法种？
答：
（1） 单壁碳纳米制备： a电弧法 b 激光蒸发法 c 化学气相沉积法
（2） 壁碳纳米制备： a 石墨电弧法 b 激光蒸发法 c 化学气相沉积法
d壁碳纳米制备方法热解聚合法火焰法电解法金属材料原位合成法太阳法离子辐射法等
33 什发光材料？发光机理什？发光特征？
答：
（1）概念：
发光材料称发光体种够外界吸收种形式量转换非衡光辐射功材料
（2）发光原理：
发光原理指某特殊化学反应中反应中间体产物吸收反应释放化学处电子激发态回基态时伴产生光辐射现象
（3）发光特征：
a 物体定温度具衡热辐射发光指吸收外量发出总辐射中超出衡热辐射部分
b 外界激发源材料作停止发光会持续段时间称余辉
34 半导体种分类致分类结果什？
答：
1 元素半导体
2 化合物半导体
3 固溶体半导体
4 非晶态半导体
5 机半导体
35 常见半导体材料种？什特点？
答：
1元素半导体锗硅硒硼碲锑等50年代锗半导体中占导位 锗半导体器件耐高温抗辐射性较差60年代期逐渐硅材料取代硅制造半导体器件耐高温抗辐射性较特适宜制作功率器件硅已成应种增导体材料目前集成电路数硅材料制造
2化合物半导体两种两种元素化合成半导体材料种类重砷化镓磷化锢锑化锢碳化硅硫化镉镓砷硅等中砷化镓制造微波器件集成电重材料碳化硅抗辐射力强耐高温化学稳定性航天技术领域着广泛应
3定形半导体材料 作半导体玻璃种非晶体定形半导体材料分氧化物玻璃非氧化物玻璃两种类材料具良开关记忆特性强抗辐射力制造阈值开关记忆开关固体显示器件
4机增导体材料已知机半导体材料十种包括萘蒽聚丙烯腈酞菁芳香族化合物等目前尚未应
36 超导体物理性质？界参数什联系？
答：超导体物理性质
①零电阻
②迈斯纳效应——完全抗磁性
37 解超导体分类性熟知超导材料应
答：超导体磁化特征分类
1） 第类超导体
A 界磁场（Hc）
B H(外)
2） 第二类超导体
A 2界磁场
（Hc1Hc2）
B H(外)
Hc1
超导体应：
①电力工程方面应
②超导技术交通运输方面应
③超导技术电子工程方面应
④超导技术生物医疗方面应
⑤超导技术军事应
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