．述
1例出光刻8步骤步做出简解释（P316）
第步：气相成底膜处理光刻第步清洗脱水硅片表面成底膜处理目增强硅片光刻胶间粘附性脱水烘干吸附硅片表面部分水汽脱水烘干硅片立六甲基二硅胺烷（HMDS）进行成膜处理起粘附促进剂作
第二步：旋转涂胶成底膜处理硅片立采旋转涂胶方法涂液相光刻胶材料硅片固定真空载片台表面真空孔便固定硅片金属聚四氯乙烯盘定数量液体光刻胶滴硅片然硅片旋转层均匀光刻胶图层
第三步：软烘光刻胶中溶剂
第四步：准曝光掩膜版图形转移涂胶硅片
第五步：曝光烘培光刻胶100110热板进行曝光烘培
第六步：显影硅片表面光刻胶中产生图形光刻胶溶解区域化学显影剂溶解见岛者窗口图形留硅片表面通常显影方法旋转喷雾浸润然显影硅片离子水（DI）洗甩干
第七步：坚膜烘培挥发掉存留光刻胶溶剂提高光刻胶硅片表面粘附性
第八步：显影检查检查光刻胶图形质量找出质量问题硅片描述光刻胶工艺性满足规范求
2解释发生刻蚀反应化学机理物理机理（P412）
干法刻蚀系统中刻蚀作通化学作物理作者化学物理作实现纯化学机理中等离子体产生反应元素（基反应原子）硅片表面物质发生反应物理机理刻蚀中等离子体产生带粒子（轰击正离子）强电场硅片表面加速离子通溅射刻蚀作未保护硅片表面材料
3描述CVD反应中8步骤(P247)
1) 气体传输淀积区域：反应气体反应腔入口区域流动硅片表面淀积区域
2) 膜先驱物形成：气相反应导致膜先驱物（组成初原子分子）副产物形成
3) 膜先驱物附着硅片表面：量膜先驱物输运硅片表面
4) 膜先驱物粘附：膜先驱物粘附硅片表面
5) 膜先驱物扩散：膜先驱物膜生长区域表面扩散
6) 表面反应：表面化学反应导致膜淀积副产物生成
7) 副产物表面移：吸附（移）表面反应副产物
8）副产物反应腔移：反应副产物淀积区域气体流动反应腔出口排出
5离子注入设备5子系统（P453）
（1）离子源：注入物质必须带电粒子束离子束形式存注入离子离子源中产生
（2）引出电极（吸极）离子分析器：传统注入机吸极系统收集离子源中产生正离子形成粒子束离子通离子源窄缝吸收
（3）加速：获更高速度出分析器磁铁正离子加速中电场进行加速
（4）扫描系统：扫描剂量统性重复性方面起着关键租
（5）工艺室离子束硅片注入发生工艺腔中
二简答
1氧化生长模式（P215）
硅片氧化物界面处通氧化物氧气运动控制限制氧化层生长连续生长氧化层氧气必须进硅片接触紧密然SiO2隔离开氧气硅片氧化物生长发生氧分子通已生成二氧化硅层运动进入硅片程中种运动称扩散（更精确说气体穿固态阻挡层扩散）扩散种材料种材料中运动
2定义刻蚀选择干法刻蚀选择高低？高选择意味着什？（10分）(P409)
选择指刻蚀条件种材料种材料相刻蚀速率快少定义刻蚀材料刻蚀速率种材料刻蚀速率SREfEr Ef刻蚀材料刻蚀速率 Er掩蔽层材料刻蚀速率
干法刻蚀选择低
高选择意味着刻想刻层材料高选择刻蚀工艺刻蚀面层材料（刻蚀恰深度时停止）保护光刻胶未刻蚀
3描述RCA清洗工艺（P126）
工业标准湿法清洗工艺称RCA清洗工艺
1号标准清洗液（SC1）2号标准清洗液（SC2）两种化学配料氧化氢基础
SC1化学配料NH4OHH2O2H2O(氢氧化铵氧化氢离子水)三种化学物1151：2：7配混合碱性溶液颗粒机物质SC1湿法清洗通氧化颗粒电学排斥起作
SC2组分HCLH2O2H2O（盐酸氧化氢离子水）1：1：61：2：8配混合硅片表面金属改进RCA清洗低温进行甚低45摄氏度
4 干法刻蚀湿法刻蚀？产业？（P405）
5 长SiO2意义（P212）
1保护器件避免划伤沾污
2限制带电载流子场区隔离（表面钝化）
3栅氧存储单元结构中介质材料
4掺杂中注入掩蔽
5金属导电层间电介质
6减少表面悬挂键
三 举例
1集成电路制造步骤（P6）
Wafer preparation(硅片准备)
Wafer fabrication (硅片制造)
Wafer testsort (硅片测试拣选)
Assembly and packaging (装配封装)
Final test(终测)
2污染源（P112）
（1） 空气净化级标定净化间空气质量级净化室空气中颗粒尺寸密度表征
（2） 颗粒产生者员持续断进出净化间净化间沾污源
（3） 厂房半导体制造超洁净环境中进行必采系统方法控制净化间区域输入输出
（4） 水需量高质量超纯离子水城市水含量沾污致硅片生产离子水硅片生产中化学品（5）工艺化学品保证成功器件成品率性半导体工艺液态化学品必须含沾污
（6） 工艺气体气体流提纯器气体滤器杂质颗粒
（7） 生产设备制造半导体硅片生产设备硅片生产中颗粒源
3 集成电路封装形式（P532）
1） 双列直插封装（DIP）
2） 单列直插封装（SIP）
3） 薄型封装（TSOP）
4） 四边形扁封装（QFP）
5） 塑料电极芯片载体（PLCC）
6） 教芯片载体（LCC）
四 名词解释
1）active component 源器件 ： 控制电流方放信号 产生复杂电路器件例二极晶体
2）anneal 退火 ：
3）base 基极基区
4）CD 关键尺寸 芯片物理尺寸特征称特征尺寸硅片特征尺寸关键尺寸CDCD作定义制造复杂性水标准果拥硅片制造某种CD力加工特征尺寸尺寸更更容易生产
5）CMP 化学机械坦化 ： CMP：通低处图形更快速率高处图形获均匀表面种化学机械作结合坦化程
6）deposition 淀积 ：
7）diffusion 扩散 ： 扩散粒子浓度较高方着浓度较低方进行粒子分布逐渐趋均匀浓度差越扩散越快温度越高扩散越快
8）plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD ： 等离子体增强CVD程等离子体量产生维持CVD反应膜厚均匀性产量高成低淀积温度低器件表面钝化
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1例出光刻8步骤步做出简解释（P316）
第步：气相成底膜处理光刻第步清洗脱水硅片表面成底膜处理目增强硅片光刻胶间粘附性脱水烘干吸附硅片表面部分水汽脱水烘干硅片立六甲基二硅胺烷（HMDS）进行成膜处理起粘附促进剂作
第二步：旋转涂胶成底膜处理硅片立采旋转涂胶方法涂液相光刻胶材料硅片固定真空载片台表面真空孔便固定硅片金属聚四氯乙烯盘定数量液体光刻胶滴硅片然硅片旋转层均匀光刻胶图层
第三步：软烘光刻胶中溶剂
第四步：准曝光掩膜版图形转移涂胶硅片
第五步：曝光烘培光刻胶100110热板进行曝光烘培
第六步：显影硅片表面光刻胶中产生图形光刻胶溶解区域化学显影剂溶解见岛者窗口图形留硅片表面通常显影方法旋转喷雾浸润然显影硅片离子水（DI）洗甩干
第七步：坚膜烘培挥发掉存留光刻胶溶剂提高光刻胶硅片表面粘附性
第八步：显影检查检查光刻胶图形质量找出质量问题硅片描述光刻胶工艺性满足规范求
2解释发生刻蚀反应化学机理物理机理（P412）
干法刻蚀系统中刻蚀作通化学作物理作者化学物理作实现纯化学机理中等离子体产生反应元素（基反应原子）硅片表面物质发生反应物理机理刻蚀中等离子体产生带粒子（轰击正离子）强电场硅片表面加速离子通溅射刻蚀作未保护硅片表面材料
3描述CVD反应中8步骤(P247)
1) 气体传输淀积区域：反应气体反应腔入口区域流动硅片表面淀积区域
2) 膜先驱物形成：气相反应导致膜先驱物（组成初原子分子）副产物形成
3) 膜先驱物附着硅片表面：量膜先驱物输运硅片表面
4) 膜先驱物粘附：膜先驱物粘附硅片表面
5) 膜先驱物扩散：膜先驱物膜生长区域表面扩散
6) 表面反应：表面化学反应导致膜淀积副产物生成
7) 副产物表面移：吸附（移）表面反应副产物
8）副产物反应腔移：反应副产物淀积区域气体流动反应腔出口排出
5离子注入设备5子系统（P453）
（1）离子源：注入物质必须带电粒子束离子束形式存注入离子离子源中产生
（2）引出电极（吸极）离子分析器：传统注入机吸极系统收集离子源中产生正离子形成粒子束离子通离子源窄缝吸收
（3）加速：获更高速度出分析器磁铁正离子加速中电场进行加速
（4）扫描系统：扫描剂量统性重复性方面起着关键租
（5）工艺室离子束硅片注入发生工艺腔中
二简答
1氧化生长模式（P215）
硅片氧化物界面处通氧化物氧气运动控制限制氧化层生长连续生长氧化层氧气必须进硅片接触紧密然SiO2隔离开氧气硅片氧化物生长发生氧分子通已生成二氧化硅层运动进入硅片程中种运动称扩散（更精确说气体穿固态阻挡层扩散）扩散种材料种材料中运动
2定义刻蚀选择干法刻蚀选择高低？高选择意味着什？（10分）(P409)
选择指刻蚀条件种材料种材料相刻蚀速率快少定义刻蚀材料刻蚀速率种材料刻蚀速率SREfEr Ef刻蚀材料刻蚀速率 Er掩蔽层材料刻蚀速率
干法刻蚀选择低
高选择意味着刻想刻层材料高选择刻蚀工艺刻蚀面层材料（刻蚀恰深度时停止）保护光刻胶未刻蚀
3描述RCA清洗工艺（P126）
工业标准湿法清洗工艺称RCA清洗工艺
1号标准清洗液（SC1）2号标准清洗液（SC2）两种化学配料氧化氢基础
SC1化学配料NH4OHH2O2H2O(氢氧化铵氧化氢离子水)三种化学物1151：2：7配混合碱性溶液颗粒机物质SC1湿法清洗通氧化颗粒电学排斥起作
SC2组分HCLH2O2H2O（盐酸氧化氢离子水）1：1：61：2：8配混合硅片表面金属改进RCA清洗低温进行甚低45摄氏度
4 干法刻蚀湿法刻蚀？产业？（P405）
5 长SiO2意义（P212）
1保护器件避免划伤沾污
2限制带电载流子场区隔离（表面钝化）
3栅氧存储单元结构中介质材料
4掺杂中注入掩蔽
5金属导电层间电介质
6减少表面悬挂键
三 举例
1集成电路制造步骤（P6）
Wafer preparation(硅片准备)
Wafer fabrication (硅片制造)
Wafer testsort (硅片测试拣选)
Assembly and packaging (装配封装)
Final test(终测)
2污染源（P112）
（1） 空气净化级标定净化间空气质量级净化室空气中颗粒尺寸密度表征
（2） 颗粒产生者员持续断进出净化间净化间沾污源
（3） 厂房半导体制造超洁净环境中进行必采系统方法控制净化间区域输入输出
（4） 水需量高质量超纯离子水城市水含量沾污致硅片生产离子水硅片生产中化学品（5）工艺化学品保证成功器件成品率性半导体工艺液态化学品必须含沾污
（6） 工艺气体气体流提纯器气体滤器杂质颗粒
（7） 生产设备制造半导体硅片生产设备硅片生产中颗粒源
3 集成电路封装形式（P532）
1） 双列直插封装（DIP）
2） 单列直插封装（SIP）
3） 薄型封装（TSOP）
4） 四边形扁封装（QFP）
5） 塑料电极芯片载体（PLCC）
6） 教芯片载体（LCC）
四 名词解释
1）active component 源器件 ： 控制电流方放信号 产生复杂电路器件例二极晶体
2）anneal 退火 ：
3）base 基极基区
4）CD 关键尺寸 芯片物理尺寸特征称特征尺寸硅片特征尺寸关键尺寸CDCD作定义制造复杂性水标准果拥硅片制造某种CD力加工特征尺寸尺寸更更容易生产
5）CMP 化学机械坦化 ： CMP：通低处图形更快速率高处图形获均匀表面种化学机械作结合坦化程
6）deposition 淀积 ：
7）diffusion 扩散 ： 扩散粒子浓度较高方着浓度较低方进行粒子分布逐渐趋均匀浓度差越扩散越快温度越高扩散越快
8）plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD ： 等离子体增强CVD程等离子体量产生维持CVD反应膜厚均匀性产量高成低淀积温度低器件表面钝化
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