模拟电子技术基础李国丽题答案
1半导体二极
检测题
．选择填空
1．纯净结构完整半导体称 征半导体掺入杂质称 杂质半导体掺入五价杂质数载流子 电子
2．征半导体中空穴浓度 C 电子浓度N型半导体中空穴浓度 B 电子浓度P型半导体中空穴浓度 A 电子浓度
（A．B．C．等）
3 杂质半导体中数载流子浓度取决 C 少数载流子浓度 A 关系十分密切
（A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度）
4 PN结外加正电压时扩散电流 A 漂移电流耗层 E PN结外加反电压时扩散电流 B 漂移电流耗层 D
（A．B．C．等D．变宽E．变窄F变 ）
5．二极实际PN结PN结具 单导电性 处正偏置时处
导通 状态反偏置时处 截止 状态
6 普通功率硅二极正导通压降约_B 反电流般_C_普通功率锗二极正导通压降约_A_反电流般_D_
（A．01～03VB．06～08VC．D．）
7 已知某二极温度25℃时伏安特性图选择题7中实线示温度 T1时伏安特性图中虚线示25℃时该二极死区电压 05 伏反击穿电压 160 伏反电流 106 安培温度T1 25℃（等）
图选择题7
8．PN结特性方程普通二极工作特性曲线 正区 稳压工作特性曲线 反击穿区
二．判断题（正确括号画√错误画×）
1．N型半导体通纯净半导体中掺入三价硼元素获 （ × ）
2．P型半导体中掺入高浓度五价磷元素改型N型半导体 （ √ ）
3．P型半导体带正电N型半导体带负电 （ × ）
4．PN结漂移电流少数载流子电场作形成 （ √ ）
5．PN结交界面两边存电位差PN结两端短路时电流流（ × ）
6．PN结方程描写PN结正特性反特性描写PN结反击穿特性（ × ）
7．稳压种特殊二极通常工作反击穿状态（√ ）允许工作正导通状态（×）
题
11图题11电路中忽略D导通压降死区电压画出电路相应输出电压波形
图题11
解：
（a）图中vi>0时二极截止vo0vi<0时二极导通vo vi
（b）图中二极导通vo vi +10
（c）图中二极截止vo0
12求图题12示电路中流二极电流IDA点电压VA设二极正导通电压07V
图题12
解：（a）
（b）
133电路图题13示已知D1锗二极死区电压Vth＝02V正导通压降03VD2硅二极死区电压Vth＝05V正导通压降07V求流D1D2电流I1I2
图题13
解：D1死区电压D2死区电压应该D1先导通设D1通D2截止时
D2两端电压＝I1×100＋03＝045V
D2开启电压D2截止
I2＝0
14设二极正导通压降忽略计反饱电流10μA反击穿电压 30V假设旦击穿反电压保持30V变反击穿电流变化求图题14中电路电流I
图题14
解：
（a）图中两二极导通
（b）图中D2反截止电流反饱电流10μA
（c）图中D2反击穿保持击穿电压30V
（d）图中D1导通
15试确定图题15（a）图（b）中二极否导通计算电压V1V2值（设二极正导通电压 07V）
图题15
解：
（a）图中D导通
V1＝07+V2823V
（b）D截止I0V1＝12V V2＝0V
16忽略图题16中二极死区电压试判断图中二极否导通
图题16
解：先D断开计算AB点电压
（a）
D1导通
（b）
D2截止
17设图题17中二极导通压降 07V判断图中二极否导通求出Vo值
图题17
解：
先假设二极截止二极正偏电压高先导通
（a）图中
D2先导通导通 VO＝30723V D1截止
（b）图中
D2~D4先导通D1截止
VO＝－14V
18设图题18中二极导通压降07V求二极流电流ID值
图题18
解：二极外电路进行戴维宁等效
19已知图题19电路中稳压DZ1DZ2稳定电压分5V9V求电压VO值
图题19
解：（a）图中DZ1 DZ2均工作稳压状态
（b）DZ1工作稳压状态DZ2工作反截止区DZ2支路电流似零
110已知图题110示电路中稳压DZ1DZ2稳定电压分5V3V正导通压降均07V试画出vO波形
图题110
解：正半周时DZ1承受正压降DZ2承受反压降VDZ23V前DZ2反截止iD0vOvi升VDZ23VDZ2击穿vO37V
负半周时DZ2承受正压降DZ1承受反压降VDZ15V前DZ1反截止iD0vOvi反电压达VDZ15VDZ1击穿vO－57V
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1半导体二极
检测题
．选择填空
1．纯净结构完整半导体称 征半导体掺入杂质称 杂质半导体掺入五价杂质数载流子 电子
2．征半导体中空穴浓度 C 电子浓度N型半导体中空穴浓度 B 电子浓度P型半导体中空穴浓度 A 电子浓度
（A．B．C．等）
3 杂质半导体中数载流子浓度取决 C 少数载流子浓度 A 关系十分密切
（A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度）
4 PN结外加正电压时扩散电流 A 漂移电流耗层 E PN结外加反电压时扩散电流 B 漂移电流耗层 D
（A．B．C．等D．变宽E．变窄F变 ）
5．二极实际PN结PN结具 单导电性 处正偏置时处
导通 状态反偏置时处 截止 状态
6 普通功率硅二极正导通压降约_B 反电流般_C_普通功率锗二极正导通压降约_A_反电流般_D_
（A．01～03VB．06～08VC．D．）
7 已知某二极温度25℃时伏安特性图选择题7中实线示温度 T1时伏安特性图中虚线示25℃时该二极死区电压 05 伏反击穿电压 160 伏反电流 106 安培温度T1 25℃（等）
图选择题7
8．PN结特性方程普通二极工作特性曲线 正区 稳压工作特性曲线 反击穿区
二．判断题（正确括号画√错误画×）
1．N型半导体通纯净半导体中掺入三价硼元素获 （ × ）
2．P型半导体中掺入高浓度五价磷元素改型N型半导体 （ √ ）
3．P型半导体带正电N型半导体带负电 （ × ）
4．PN结漂移电流少数载流子电场作形成 （ √ ）
5．PN结交界面两边存电位差PN结两端短路时电流流（ × ）
6．PN结方程描写PN结正特性反特性描写PN结反击穿特性（ × ）
7．稳压种特殊二极通常工作反击穿状态（√ ）允许工作正导通状态（×）
题
11图题11电路中忽略D导通压降死区电压画出电路相应输出电压波形
图题11
解：
（a）图中vi>0时二极截止vo0vi<0时二极导通vo vi
（b）图中二极导通vo vi +10
（c）图中二极截止vo0
12求图题12示电路中流二极电流IDA点电压VA设二极正导通电压07V
图题12
解：（a）
（b）
133电路图题13示已知D1锗二极死区电压Vth＝02V正导通压降03VD2硅二极死区电压Vth＝05V正导通压降07V求流D1D2电流I1I2
图题13
解：D1死区电压D2死区电压应该D1先导通设D1通D2截止时
D2两端电压＝I1×100＋03＝045V
D2开启电压D2截止
I2＝0
14设二极正导通压降忽略计反饱电流10μA反击穿电压 30V假设旦击穿反电压保持30V变反击穿电流变化求图题14中电路电流I
图题14
解：
（a）图中两二极导通
（b）图中D2反截止电流反饱电流10μA
（c）图中D2反击穿保持击穿电压30V
（d）图中D1导通
15试确定图题15（a）图（b）中二极否导通计算电压V1V2值（设二极正导通电压 07V）
图题15
解：
（a）图中D导通
V1＝07+V2823V
（b）D截止I0V1＝12V V2＝0V
16忽略图题16中二极死区电压试判断图中二极否导通
图题16
解：先D断开计算AB点电压
（a）
D1导通
（b）
D2截止
17设图题17中二极导通压降 07V判断图中二极否导通求出Vo值
图题17
解：
先假设二极截止二极正偏电压高先导通
（a）图中
D2先导通导通 VO＝30723V D1截止
（b）图中
D2~D4先导通D1截止
VO＝－14V
18设图题18中二极导通压降07V求二极流电流ID值
图题18
解：二极外电路进行戴维宁等效
19已知图题19电路中稳压DZ1DZ2稳定电压分5V9V求电压VO值
图题19
解：（a）图中DZ1 DZ2均工作稳压状态
（b）DZ1工作稳压状态DZ2工作反截止区DZ2支路电流似零
110已知图题110示电路中稳压DZ1DZ2稳定电压分5V3V正导通压降均07V试画出vO波形
图题110
解：正半周时DZ1承受正压降DZ2承受反压降VDZ23V前DZ2反截止iD0vOvi升VDZ23VDZ2击穿vO37V
负半周时DZ2承受正压降DZ1承受反压降VDZ15V前DZ1反截止iD0vOvi反电压达VDZ15VDZ1击穿vO－57V
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