模拟电子基础知识复
1 纯净单晶半导体称征半导体部载流子电子空穴数量相等
2 射极输出器属集电极放电路电压放位数约等1输出电压输入电压相位称电压器(射极器)
3 理想差动放器模电压放倍数0模抑制∞
4 般情况模拟电器中晶体三极工作放状态数字电器中晶体三极工作饱截止状态
5 限幅电路种波形整形电路削波形部位分限幅限幅双限幅电路
6 JK触发器功保持计数置0置1
7 级放器级间耦合阻容耦合直接耦合变压器耦合
8 带放环节串联稳压电路调整电路基准电路取样电路较放电路分组成
9 时序逻辑电路特点输出状态仅取决时输入状态输出端原状态关
10 PN结外加反电压时空间电荷区变宽反电流少数载流子形成
11 半导体具热敏性光敏性力敏性掺杂性等独特导电特性
12 利二极单导电性交流电变成脉动直流电
13 硅稳压正常工作反击穿区区流硅稳压电流较范围变化时硅稳压两端电压基变
14 电容滤波适电压较电流较情况半波整流电路说电容滤波负载两端直流电压变压级次级电压1倍全波整流电路言较12倍
15 处放状态NPN三电极电位分布必须符合UC>UB>UEPNP处放状态时三电极电位分布须符合UE>UE>UC总三极起放作条件：集电结反偏发射结正偏
16 P型半导体中数载流子空穴N型半导体中数载流子电子
17 二极反截止区反电流基保持变
18 环境温度升高时二极反电流增
19 晶体放器设置合适静态工作点保证放信号时三极应始终工作放区
20 般说硅晶体二极死区电压锗死区电压
21 硅晶体二极加03V正电压时该晶体二极相阻值电阻
22 电子秤中半导体器件利半导体力敏性
23 画交流放器直流通路时电容器做开路处理画交流通路时电源电容器应作短路处理
24 PN结正偏置时导通反偏置时截止种特性称PN结单导电性
25 工作放状态中三极视放器件工作截止饱状态三极视开关器件
26 差动放器差模信号电压放作模信号电压放作射极输出器特点电压放倍数略1接1信号源影响带负载力强
27 晶体三极属电流控制器件场效应属电压控制器件
28 三极属双极型半导体器件场效应属单极型半导体器件
29 理想运放两重结：运放两输入端电位相等二运放两输入端输入电流相等等零
30 激振荡器满足相位衡条件振幅衡条件产生振荡
31 计数器分步计数器异步计数器两者中速度较快步计数器
32 触发器时序逻辑电路基单元门电路组合逻辑电路基单元两种电路区前者具记忆功者具
33 二极两端加正电压时超死区电压导通
34 调整放器静态工作点移应该Rb电阻值减少
35 触发器存放1位二进制数
36 放电路中三极组合方式三种集电极基极发射极
37 NPN型晶体三极发射区N型半导体集电区N型半导体基区P型半导体
38 般情况晶体三极电流放系数温度增加增加发射结导通压降Vbe温度增加减
39 具记录输入脉数电路称计数器组成部分触发器时序电路
40 晶体构成三种放电路中没电压放作电流放作：集电极接法(射极输出器)
41 串联型稳压电路中调整工作放区
42 十进制计器少需四触发器构成
43 利电阻R电容C脉波变换变三角波尖顶波
44 三极开关特性指基极输入信号作三极具两明显相反状态饱截止
45 衡量运算放电路抑制零漂力指针：运模抑制运算放器该参数等∞
46 负反馈电路分电流串联负反馈电流联负反馈电压串联负反馈电压联负反馈
47 模拟信号转换数字信号程称AD数字信号转换成模拟信号程称DA
48 集成触 发器功分RS触发器D触发器JK触发器T触发器
49 射极输出器种电压串联负反馈放器
50 半导体材料电阻率受外界条件(温度光线等)影响温度升高受光射均电阻率减
51 PN结晶体二极基结构般半导体器件核心
52 射极输出器没电压放力输出电阻较强带负载力
53 振荡器具选频网络正反馈放器
54 差动放器放信号两种模信号差模信号总希差模放倍数模放倍数
55 晶体三极作开关作三极集电极发射极产相开头闭合时晶体三极应工作饱状态
56 RC微分电路矩形波变换成尖脉波输出电压取电阻两端
RC积分电路矩形波变换成锯齿波输出电压取电容两端
57 严格提纯半导体认征半导体半导体产生电子空穴程征激发室温电子空穴衡浓度
58 点接触型二极适检波面接触型适整流
59 触发器电路中Sd端Rd端根需预先触发器置1置0受CP端步控制
60 谓PN结正偏置电源正极P区相接负区N区相接正偏置电压死区电压条件PN结导通
61 差动放电路输入信号中差模信号信号模信号**抑制干扰信号
62 负反馈放电路列影响：增益放倍数减通频带变宽提高电路稳定性等
63 理想运算放器输入电阻Ri∞Ro0
64 利电阻R电容C脉波形变换三角波尖顶波
65 数字集成门电路制作工艺分TTLCMOS
66 集成触发器功分：RS触发器JK触发器D触发器T触发器
67 十进制编码简称：BCD码类编码中常见8421码
68 数字电路中三极般工作饱截止状态
69 基逻辑门电路：门非门门
70 果输入输出关系：0出1全1出0非门逻辑运算
71 编码器译码器逻辑功相反特定意义输入数字信号文字符号编成相应干位二进制组合逻辑电路
72 触发器具两分稳定状态记录1位二进制代码
73 触发器种防止空翻现象实触发器
74 组合逻辑电路：编码器译码器数选择器奇偶校验器资料较器加法器
75 时序逻辑电路：类触发器寄存器加法器计数器
76 阻容耦合二极射电压放器输出电压输入电压相位关系：相
77 正弦波振荡器振荡频率F取决反馈网络组件参数
78 联型稳压电路中电阻R作：限流作调压作
79 PN结加反电压时：利漂移运动利扩散运动
80 穿透电流衡量三极放力重指针
81 射极基放电路组成原：发射结正偏置集电结反偏置
82 射极输出器输出电阻该电路带负载力强
83 典型运放三基电路组成：入高输入阻抗差动放器高增益电值放器低阻抗输出放器
84 整流电路稳压电路中均二极次利二极单导电反击穿
85 RC正弦波振荡器起振条件AF>1
86 移位操作出现寄存器中
87 晶体三极两PN结反偏时晶体三极集成极电流中断
88 放交流信号极放器中放极间采阻容耦合变压器耦合
89 描述放电路频率特性曲线图：伏安特**
90 异门电路实现带进位二进制加法
91 NPN宝蓝者害饱状态时特点：Uces0
92 直流放器功：直流信号交流信号放
93 差动放器抑制零点漂移效果取决：两三极称程度
94 晶体二极阻常数
95 直流稳压电源中电路先序应：整流滤波稳压
96 二十进制编码器四输出端进行编码数10
97 晶体放电路中引入负反电压放倍数Au减
98 晶体二极PN结导通参加导电电子空穴
99 差动放器抑制零点漂移效果取决两三极称度
100 电容三点式LC振动器电感三点式LC正弦波振荡器较前者优点：输出波形
101 奇偶校验作：网络传送资料中错误进行检查
102 半导体数码七段译码器
103 T触发器市场中买触发器代
104 两二极连接起构成类型三极
105 射极输出器电压增益0分贝
106 三极截止电路必须满足：导电
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1 纯净单晶半导体称征半导体部载流子电子空穴数量相等
2 射极输出器属集电极放电路电压放位数约等1输出电压输入电压相位称电压器(射极器)
3 理想差动放器模电压放倍数0模抑制∞
4 般情况模拟电器中晶体三极工作放状态数字电器中晶体三极工作饱截止状态
5 限幅电路种波形整形电路削波形部位分限幅限幅双限幅电路
6 JK触发器功保持计数置0置1
7 级放器级间耦合阻容耦合直接耦合变压器耦合
8 带放环节串联稳压电路调整电路基准电路取样电路较放电路分组成
9 时序逻辑电路特点输出状态仅取决时输入状态输出端原状态关
10 PN结外加反电压时空间电荷区变宽反电流少数载流子形成
11 半导体具热敏性光敏性力敏性掺杂性等独特导电特性
12 利二极单导电性交流电变成脉动直流电
13 硅稳压正常工作反击穿区区流硅稳压电流较范围变化时硅稳压两端电压基变
14 电容滤波适电压较电流较情况半波整流电路说电容滤波负载两端直流电压变压级次级电压1倍全波整流电路言较12倍
15 处放状态NPN三电极电位分布必须符合UC>UB>UEPNP处放状态时三电极电位分布须符合UE>UE>UC总三极起放作条件：集电结反偏发射结正偏
16 P型半导体中数载流子空穴N型半导体中数载流子电子
17 二极反截止区反电流基保持变
18 环境温度升高时二极反电流增
19 晶体放器设置合适静态工作点保证放信号时三极应始终工作放区
20 般说硅晶体二极死区电压锗死区电压
21 硅晶体二极加03V正电压时该晶体二极相阻值电阻
22 电子秤中半导体器件利半导体力敏性
23 画交流放器直流通路时电容器做开路处理画交流通路时电源电容器应作短路处理
24 PN结正偏置时导通反偏置时截止种特性称PN结单导电性
25 工作放状态中三极视放器件工作截止饱状态三极视开关器件
26 差动放器差模信号电压放作模信号电压放作射极输出器特点电压放倍数略1接1信号源影响带负载力强
27 晶体三极属电流控制器件场效应属电压控制器件
28 三极属双极型半导体器件场效应属单极型半导体器件
29 理想运放两重结：运放两输入端电位相等二运放两输入端输入电流相等等零
30 激振荡器满足相位衡条件振幅衡条件产生振荡
31 计数器分步计数器异步计数器两者中速度较快步计数器
32 触发器时序逻辑电路基单元门电路组合逻辑电路基单元两种电路区前者具记忆功者具
33 二极两端加正电压时超死区电压导通
34 调整放器静态工作点移应该Rb电阻值减少
35 触发器存放1位二进制数
36 放电路中三极组合方式三种集电极基极发射极
37 NPN型晶体三极发射区N型半导体集电区N型半导体基区P型半导体
38 般情况晶体三极电流放系数温度增加增加发射结导通压降Vbe温度增加减
39 具记录输入脉数电路称计数器组成部分触发器时序电路
40 晶体构成三种放电路中没电压放作电流放作：集电极接法(射极输出器)
41 串联型稳压电路中调整工作放区
42 十进制计器少需四触发器构成
43 利电阻R电容C脉波变换变三角波尖顶波
44 三极开关特性指基极输入信号作三极具两明显相反状态饱截止
45 衡量运算放电路抑制零漂力指针：运模抑制运算放器该参数等∞
46 负反馈电路分电流串联负反馈电流联负反馈电压串联负反馈电压联负反馈
47 模拟信号转换数字信号程称AD数字信号转换成模拟信号程称DA
48 集成触 发器功分RS触发器D触发器JK触发器T触发器
49 射极输出器种电压串联负反馈放器
50 半导体材料电阻率受外界条件(温度光线等)影响温度升高受光射均电阻率减
51 PN结晶体二极基结构般半导体器件核心
52 射极输出器没电压放力输出电阻较强带负载力
53 振荡器具选频网络正反馈放器
54 差动放器放信号两种模信号差模信号总希差模放倍数模放倍数
55 晶体三极作开关作三极集电极发射极产相开头闭合时晶体三极应工作饱状态
56 RC微分电路矩形波变换成尖脉波输出电压取电阻两端
RC积分电路矩形波变换成锯齿波输出电压取电容两端
57 严格提纯半导体认征半导体半导体产生电子空穴程征激发室温电子空穴衡浓度
58 点接触型二极适检波面接触型适整流
59 触发器电路中Sd端Rd端根需预先触发器置1置0受CP端步控制
60 谓PN结正偏置电源正极P区相接负区N区相接正偏置电压死区电压条件PN结导通
61 差动放电路输入信号中差模信号信号模信号**抑制干扰信号
62 负反馈放电路列影响：增益放倍数减通频带变宽提高电路稳定性等
63 理想运算放器输入电阻Ri∞Ro0
64 利电阻R电容C脉波形变换三角波尖顶波
65 数字集成门电路制作工艺分TTLCMOS
66 集成触发器功分：RS触发器JK触发器D触发器T触发器
67 十进制编码简称：BCD码类编码中常见8421码
68 数字电路中三极般工作饱截止状态
69 基逻辑门电路：门非门门
70 果输入输出关系：0出1全1出0非门逻辑运算
71 编码器译码器逻辑功相反特定意义输入数字信号文字符号编成相应干位二进制组合逻辑电路
72 触发器具两分稳定状态记录1位二进制代码
73 触发器种防止空翻现象实触发器
74 组合逻辑电路：编码器译码器数选择器奇偶校验器资料较器加法器
75 时序逻辑电路：类触发器寄存器加法器计数器
76 阻容耦合二极射电压放器输出电压输入电压相位关系：相
77 正弦波振荡器振荡频率F取决反馈网络组件参数
78 联型稳压电路中电阻R作：限流作调压作
79 PN结加反电压时：利漂移运动利扩散运动
80 穿透电流衡量三极放力重指针
81 射极基放电路组成原：发射结正偏置集电结反偏置
82 射极输出器输出电阻该电路带负载力强
83 典型运放三基电路组成：入高输入阻抗差动放器高增益电值放器低阻抗输出放器
84 整流电路稳压电路中均二极次利二极单导电反击穿
85 RC正弦波振荡器起振条件AF>1
86 移位操作出现寄存器中
87 晶体三极两PN结反偏时晶体三极集成极电流中断
88 放交流信号极放器中放极间采阻容耦合变压器耦合
89 描述放电路频率特性曲线图：伏安特**
90 异门电路实现带进位二进制加法
91 NPN宝蓝者害饱状态时特点：Uces0
92 直流放器功：直流信号交流信号放
93 差动放器抑制零点漂移效果取决：两三极称程度
94 晶体二极阻常数
95 直流稳压电源中电路先序应：整流滤波稳压
96 二十进制编码器四输出端进行编码数10
97 晶体放电路中引入负反电压放倍数Au减
98 晶体二极PN结导通参加导电电子空穴
99 差动放器抑制零点漂移效果取决两三极称度
100 电容三点式LC振动器电感三点式LC正弦波振荡器较前者优点：输出波形
101 奇偶校验作：网络传送资料中错误进行检查
102 半导体数码七段译码器
103 T触发器市场中买触发器代
104 两二极连接起构成类型三极
105 射极输出器电压增益0分贝
106 三极截止电路必须满足：导电
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